SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
BTA410X-800BT,127 WeEn Semiconductors BTA410X-800BT, 127 0.4671
सराय
ECAD 6492 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA410 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066149127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 10 ए 1.5 वी 100 ए, 110 ए ५० सदा
BT139B-600F,118 WeEn Semiconductors BT139B-600F, 118 0.4445
सराय
ECAD 4084 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT139 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ४५ सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए २५ सना हुआ
WCR03-12MEP WeEn Semiconductors WCR03-12MEP 0.1621
सराय
ECAD 9671 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) WCR03 से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 1.25 केवी 1.25 ए 800 एम.वी. 20 ए, 22 ए 90 µa 1.3 वी 800 सना हुआ 1 µa अफ़राह
BTA208-800B/DG,127 WeEn Semiconductors BTA208-800B/DG, 127 0.3617
सराय
ECAD 8036 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA208 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए ५० सदा
BTA202X-600D,127 WeEn Semiconductors BTA202X-600D, 127 0.2906
सराय
ECAD 7170 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA202 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ५ सदाचार सराफक 600 वी 2 ए 1.5 वी 14 ए, 15.4 ए ५ सदाचार
BT155Z-1200TQ WeEn Semiconductors BT155Z-1200TQ 3.3000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BT155 टू -3 पी तंग रोहस अफ़मार तंग 934070831127 Ear99 8541.30.0080 30 200 एमए 1.2 केवी 79 ए 1 वी 650A, 715A ५० सदा 1.5 वी 50 ए ३ तंग तंग
BT151X-800R/DG,127 WeEn Semiconductors BT151X-800R/DG, 127 0.8100
सराय
ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT151 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 800 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors NXPSC08650DJ -
सराय
ECAD 6977 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग 1 (असीमित) 934070008118 Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30-1200PQ 1.1550
सराय
ECAD 3865 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC30 तमाम TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072004127 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 30 ए 65 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30 ए -
BTA316-600D,127 WeEn Semiconductors BTA316-600D, 127 0.4671
सराय
ECAD 1579 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA316 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५ सदाचार
BTA212B-600E,118 WeEn Semiconductors BTA212B-600E, 118 0.5136
सराय
ECAD 2417 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA212 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना २५ सना हुआ सराफक 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए 10 सना हुआ
BYV410X-600,127 WeEn Semiconductors BYV410X-600,127 1.7500
सराय
ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYV410 तमाम To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 10 ए 2.1 वी @ 10 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BYC5X-600,127 WeEn Semiconductors BYC5X-600,127 0.4950
सराय
ECAD 3384 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYC5 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 5 ए 50 एनएस 100 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
BTA316X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA316X-800CTQ 1.1200
सराय
ECAD 11 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA316 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934072038127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 140 ए, 150 ए ३५ सना हुआ
BTA310-800E,127 WeEn Semiconductors BTA310-800E, 127 0.4219
सराय
ECAD 8480 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA310 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066173127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 10 ए 1.5 वी 85 ए, 93 ए 10 सना हुआ
BTA216-600D,127 WeEn Semiconductors BTA216-600D, 127 0.6480
सराय
ECAD 6108 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA216 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५ सदाचार
BT234X-600D,127 WeEn Semiconductors BT234X-600D, 127 0.2639
सराय
ECAD 2836 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT234 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934065722127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना 6 सना हुआ तमाम 600 वी 4 ए 1 वी 35A @ 50 परत 10 सना हुआ
ACTT2X-800ETNQ WeEn Semiconductors Actt2x-800etnq 0.2539
सराय
ECAD 7529 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Actt2 To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 10 सना हुआ तमाम 800 वी 2 ए 2 वी 18 ए, 20 ए 10 सना हुआ
BTA316X-600E/DG,127 WeEn Semiconductors BTA316X-600E/DG, 127 1.2000
सराय
ECAD 4 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA316 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए 10 सना हुआ
BYV29FX-600,127 WeEn Semiconductors BYV29FX-600,127 0.9700
सराय
ECAD 88 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब BYV29 तमाम To-220fp तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.9 वी @ 8 ए 35 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
BT145-800RTQ WeEn Semiconductors BT145-800RTQ 0.5545
सराय
ECAD 7874 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT145 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) 934660062127 Ear99 8541.30.0080 1,000 60 सना हुआ 800 वी 25 ए 1 वी 300 ए, 330 ए 10 सना हुआ 1.5 वी 16 ए 2 सना हुआ तंग
BT136S-600E,118 WeEn Semiconductors BT136S-600E, 118 0.6600
सराय
ECAD 14 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT136 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए 10 सना हुआ
BYC15-600,127 WeEn Semiconductors BYC15-600,127 1.5000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 BYC15 तमाम TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 2.9 वी @ 15 ए 55 एनएस 200 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए -
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors BUJD105AD, 118 0.3365
सराय
ECAD 3854 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Bujd1 80 डब डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 400 वी 8 ए 100μA एनपीएन 1V @ 800ma, 4 ए 13 @ 500mA, 5V -
BT139X-600,127 WeEn Semiconductors BT139X-600,127 1.0100
सराय
ECAD 6 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BT139 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ४५ सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए ३५ सना हुआ
Z0109NA0,412 WeEn Semiconductors Z0109NA0,412 0.5000
सराय
ECAD 9251 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0109 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 12.5 ए, 13.8 ए ए 10 सना हुआ
BT136-600D/DG,127 WeEn Semiconductors BT136-600D/DG, 127 0.6800
सराय
ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT136 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ५ सदाचार
BT168G,112 WeEn Semiconductors BT168G, 112 0.4900
सराय
ECAD 9 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BT168 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 800 एम.वी. 8 ए, 9 ए 200 µa 1.7 वी ५०० तंग 100 µa अफ़राह
WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650WQ 6.6800
सराय
ECAD 529 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D20650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 20 ए 1200pf @ 1V, 1MHz
NXPSC086506Q WeEn Semiconductors NXPSC086506Q 4.8000
सराय
ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072073127 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम