SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़स वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BYG22B-M3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg22b-m3/tr 0.1898
सराय
ECAD 4650 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg22 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
GDZ5V1B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ5V1B-HG3-08 0.0451
सराय
ECAD 8512 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ5V1 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 2 @a @ 1 वी 5.1 वी 100 ओम
VS-2EFH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vs-2efh02hm3/i 0.4100
सराय
ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur Do-219ab 2efh02 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
1N4148W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4148W-E3-08 0.2300
सराय
ECAD 71 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur सोद -123 1N4148 तमाम सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
BZX384B24-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B24-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 8678 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B24 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सटीक @ १६.8 24 वी 70 ओम
VS-FB180SA10P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB180SA10P -
सराय
ECAD 3277 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला एसओटी -227-4, कांपस FB180 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VSFB180SA10P Ear99 8541.29.0095 160 n- चैनल 100 वी 180 ए (टीसी) 10V 6.5MOHM @ 180A, 10V 4V @ 250µA 380 सना ± 20 वी 10700 पीएफ @ 25 वी - 480W (टीसी)
ESH1PCHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PCHE3/85A -
सराय
ECAD 5830 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA Esh1 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 25 एनएस 1 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
SB330/4 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB330/4 -
सराय
ECAD 1089 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB330 schottky Do-201ad तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 3 ए 500 @a @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
BZT52C30-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C30-G3-18 0.0409
सराय
ECAD 6319 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C30 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 22.5 वी 30 वी 35 ओम
BZG05C33-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C33-HM3-08 0.4200
सराय
ECAD 9329 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C33 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदा 33 वी 35 ओम
BZX84C5V1-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V1-G3-08 0.2700
सराय
ECAD 13 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5V1 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
GDZ30B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ30B-G3-08 0.0445
सराय
ECAD 1711 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड-जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ30 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 200 ओम
BZG04-22-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-22-M3-18 0.1980
सराय
ECAD 3859 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) तमाम - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 µa @ 22 वी 27 वी
VS-5EWL06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EWL06FNTRL-M3 0.3652
सराय
ECAD 1122 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 5EWL06 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS5EWL06FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.85 वी @ 5 ए 25 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
V10KM60CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10km60chm3/h 0.3557
सराय
ECAD 5887 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur 8-पॉव schottky फmut (5x6) तंग तमाम 112-V10KM60CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 4.8a 630 mV @ 5 ए 600 @a @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C
ESH2PBHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PBHM3/85A 0.1584
सराय
ECAD 1212 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur DO-220AA Esh2 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 mV @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
BZG05B20-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B20-HM3-08 0.2079
सराय
ECAD 7612 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B20 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सना 20 वी 24 ओम
TZM5249B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 6908 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5249 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
VS-VSKL250-18PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL250-18PBF 384.8100
सराय
ECAD 4988 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तमाम -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला कांपना VSKL250 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKL25018PBF Ear99 8541.30.0080 2 ५०० तंग 400 वी 555 ए 3 वी 8500A, 8900A 200 एमए 250 ए 1 सरा
SE40PB-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PB-M3/87A 0.2228
सराय
ECAD 5148 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SE40 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 वी @ 4 ए २.२ μs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2.4 ए 28PF @ 4V, 1MHz
TY056S150A6OT Vishay General Semiconductor - Diodes Division TY056S150A6OT -
सराय
ECAD 2865 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur शराबी TY056 schottky शराबी तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0040 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.41 वी @ 5 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
1N4151WS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151WS-HE3-08 0.0341
सराय
ECAD 2753 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तमाम सतह rurcur SC-76, SOD-323 1N4151 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 1 वी @ 50 सना हुआ 4 एनएस 50 सना -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
MBRB25H35CTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H35CTHE3_B/P 1.0230
सराय
ECAD 8891 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली तमाम सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB25 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 640 mV @ 15 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
VF20200G-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20200G-E3/4W 1.5400
सराय
ECAD 2100 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली तमाम होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक VF20200 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 1.7 वी @ 10 ए 150 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BZX384B3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V3-G3-08 0.0445
सराय
ECAD 5344 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) तमाम ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B3V3 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
VS-MBRB1535CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1535CTPBF -
सराय
ECAD 1851 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB15 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 7.5a 840 mV @ 15 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
BZT55C5V6-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C5V6-GS08 0.2100
सराय
ECAD 825 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) तमाम - 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55C5V6 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
TZM5230C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5230C-GS18 -
सराय
ECAD 8084 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5230 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
ZMM5231B-13 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5231B-13 -
सराय
ECAD 7343 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) ZMM52 ५०० तंग DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) ZMM5231B-13GI Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 5.1 वी 17 ओम
VS-ST300C16L0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300C16L0 151.7333
सराय
ECAD 6731 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तमाम -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला To-200ab, ई-प एसटी 300 TO-200AB (E-PUK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 1.6 केवी 1115 ए 3 वी 8000A, 8380A 200 एमए 2.18 वी 560 ए ५० सदा तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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