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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-16TTS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS12S-M3 2.2300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 16TTS12 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 50 १५० सना हुआ 1.2 केवी 16 ए 2 वी 200a @ 50 परत्गी 60 सना हुआ 1.4 वी 10 ए 10 सना हुआ तंग
VLZ2V4B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ2V4B-GS08 -
सराय
 ECAD 5812 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz2v4 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 70 µA @ 1 वी 2.53 वी 100 ओम
VS-ST333S04PFM0P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST333S04PFM0P 164.6533
सराय
 ECAD 9688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से 209ae, से -118-4, lestun एसटी 333 से -209ae (से -118) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsst333s04pfm0p Ear99 8541.30.0080 6 ६०० सना हुआ 400 वी 518 ए 3 वी 9250A, 9700A 200 एमए 1.96 वी 330 ए ५० सदा तंग
30WQ10FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30WQ10FNTRR -
सराय
 ECAD 2129 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 30WQ10 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 3 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3.5A -
EGP51F-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egp51f-e3/c 0.8126
सराय
 ECAD 8650 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun EGP51 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 5 ए 50 एनएस 5 µA @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 5 ए 48pf @ 4v, 1MHz
BZG03B43TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B43TR -
सराय
 ECAD 5523 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG03B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
MBRA140TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRA140TR -
सराय
 ECAD 1267 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Mbra1 schottky DO-214AC (SMA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
52CPQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 52CPQ030 -
सराय
 ECAD 5964 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 52CPQ schottky To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 25 ए 480 mV @ 25 ए 1.9 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
V20PWM153C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pwm153c-m3/i 0.4050
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-V20PWM153C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
VS-ST700C20L0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST700C20L0L 171.5167
सराय
 ECAD 5119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, B-PUK एसटी 700 TO-200AC, B-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST700C20L0L Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 2 kv 1857 ए 3 वी 13200 ए, 13800 ए 200 एमए 1.8 वी 910 ए 80 सना हुआ तंग
UG2A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2A-E3/73 -
सराय
 ECAD 2471 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT Ug2 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
VS-VSKH430-16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH430-16PBF -
सराय
 ECAD 7391 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला सियार-कूड़ा VSKH430 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VSVSKH43016PBF Ear99 8541.30.0080 1 ५०० तंग 1.6 केवी 675 ए 15700 ए, 16400 ए 430 ए 1 सरा
SS8P4C-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P4C-M3/86A 0.6700
सराय
 ECAD 13 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 4 ए 580 mV @ 4 ए 300 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C
MPG06K-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06K-E3/53 0.1487
सराय
 ECAD 8693 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Mpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 600 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
MMSZ4691-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4691-G3-08 0.0409
सराय
 ECAD 9018 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 Mmsz4691 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 5 वी 6.2 वी
V4P22C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V4p22c-m3/i 0.2551
सराय
 ECAD 5320 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-V4P22C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 2.8A 870 mV @ 2 ए 50 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 175 ° C
VS-8TQ100GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ100GSPBF -
सराय
 ECAD 4987 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8TQ100 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VS8TQ100GSPBF Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 720 mV @ 8 ए 280 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 500pf @ 5v, 1MHz
BYG10JHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg10jhm3_a/i 0.1551
सराय
 ECAD 7309 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg10 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 4 μs 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
MBRB1645-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645-E3/45 1.4700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB1645 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 200 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
V2FM12-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2fm12-m3/i 0.0759
सराय
 ECAD 5875 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V2FM12 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 960 mV @ 2 ए 65 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 2 ए 130pf @ 4v, 1MHz
S2A-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S2A-E3/5BT 0.0841
सराय
 ECAD 9619 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 ए तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 2 µs 1 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 16PF @ 4V, 1MHz
MMSZ5261C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5261C-E3-08 0.0433
सराय
 ECAD 7035 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5261 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 36 वी 47 वी 105 ओम
1N4002GPE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4002GPE-E3/73 0.4200
सराय
 ECAD 8469 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4002 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
1N5254B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5254B-T -
सराय
 ECAD 7398 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5254 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 21 वी 27 वी 600 ओम
BZT52B39-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B39-HE3-18 0.0436
सराय
 ECAD 4578 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B39 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 29 वी 39 वी 50 ओम
VS-FB180SA10P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FB180SA10P -
सराय
 ECAD 3277 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला एसओटी -227-4, कांपस FB180 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VSFB180SA10P Ear99 8541.29.0095 160 n- चैनल 100 वी 180 ए (टीसी) 10V 6.5MOHM @ 180A, 10V 4V @ 250µA 380 सना ± 20 वी 10700 पीएफ @ 25 वी - 480W (टीसी)
UG15HTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG15HTHE3/45 -
सराय
 ECAD 1406 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 UG15 तमाम TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.75 वी @ 15 ए 50 एनएस 30 µA @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-30-E3/96 0.7400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf SGL41 schottky GL41 (DO-213AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
TZX5V6B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Tzx5v6b-tr 0.2300
सराय
 ECAD 30 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT Tzx5v6 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
MMSZ4681-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4681-E3-18 0.0360
सराय
 ECAD 5854 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 Mmsz4681 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 2 @a @ 1 वी 2.4 वी
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