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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) इनपुट इनपुट (cies) @ vce
BZD27B15P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B15P-HE3-08 0.1238
सराय
 ECAD 1487 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
BZG05B33-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3333-M3-08 0.1980
सराय
 ECAD 5543 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B33 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदा 33 वी 35 ओम
US1AHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1AHE3/61T -
सराय
 ECAD 8159 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C68P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C68P-E3-08 0.4500
सराय
 ECAD 30 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C68 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
BZT55C13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C13-GS18 0.0283
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55C13 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 26 ओम
VS-18TQ045STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045STRRHM3 1.3679
सराय
 ECAD 3647 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 18TQ045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-VS-18TQ045STRRHM3TR Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 एमवी @ 18 ए २.५ सदा -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
VS-VSKDS330/030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKDS330/030 -
सराय
 ECAD 2740 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर - - Vskds330 schottky - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) VSVSKDS330030 Ear99 8541.10.0080 10 - 1 अराध्यना 30 वी 165 ए -
S1BA-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BA-E3/5AT -
सराय
 ECAD 6180 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 बी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µs 3 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
TVR06JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TVR06JHE3/73 -
सराय
 ECAD 8773 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut TVR06 तमाम DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 600 एमए 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 600ma 15pf @ 4v, 1MHz
MMSZ4706-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4706-E3-18 0.0360
सराय
 ECAD 1047 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4706 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ १४.४ वी 19 वी
BAV203-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV203-GS08 0.2100
सराय
 ECAD 16 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-80 sauturण BAV203 तमाम Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
RGP10A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10A-M3/73 -
सराय
 ECAD 3200 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZG05C6V8TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C6V8TR -
सराय
 ECAD 1358 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay - 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
US1A-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1A-E3/5AT 0.4300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1A तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
TLZ4V3B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ4V3B-GS08 0.2500
सराय
 ECAD 535 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz4v3 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 40 ओम
VS-SD400N16PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 400N16PC 106.5800
सराय
 ECAD 2282 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum SD400 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 15 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 190 ° C 400 ए -
MURS340-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURS340-M3/9AT 0.2353
सराय
 ECAD 3725 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Murs340 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.28 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
IRKT41/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt41/12a -
सराय
 ECAD 9633 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Irkt41 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 100 ए 2.5 वी 850A, 890A १५० सना हुआ 45 ए 1 सरा
ESH1PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1PDHM3/84A 0.1681
सराय
 ECAD 5733 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA Esh1 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 1 ए 25 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
VS-GB300LH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300LH120N -
सराय
 ECAD 5475 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर 150 ° C (TJ) अँगुला डबल इंट-ए-rana (3 + 4) GB300 1645 इकम तमाम डबल इंट-ए-rana - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSGB300LH120N Ear99 8541.29.0095 12 कसना - 1200 वी 500 ए 2V @ 15V, 300A (SANA) ५ सदाचार नहीं 21.2 एनएफ @ 25 वी
ES3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3dhe3_a/i 0.7100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
SL02-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL02-M-08 0.4500
सराय
 ECAD 30 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SL02 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 420 mV @ 1.1 ए 10 एनएस 250 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.1 ए -
MBRB30H35CTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H35CTHE3_A/I -
सराय
 ECAD 6380 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB30 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 80 @a @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-40L15CTS-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40L15CTS-M3 2.3300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 40L15 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 15 वी 20 ए 410 mV @ 19 ए 10 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C
MBR15H50CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR15H50CT-E3/45 -
सराय
 ECAD 4919 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR15 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 7.5a 730 mV @ 7.5 ए 50 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C
SE15FDHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se15fdhm3/i 0.0936
सराय
 ECAD 7177 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SE15 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 1.5 ए 900 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 10.5pf @ 4v, 1MHz
GP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10AHE3/73 -
सराय
 ECAD 8072 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BZD27C91P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C91P-M3-08 0.1733
सराय
 ECAD 6134 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27-m R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C91 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 91 वी 200 ओम
BU1008-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008-E3/45 1.8851
सराय
 ECAD 9579 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, बू Bu1008 तमाम isocink+™ बू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 1.05 वी @ 5 ए 5 µA @ 800 V 3.2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
SB2H100-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2H100-E3/73 -
सराय
 ECAD 4634 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SB2H100 schottky DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 790 mV @ 2 ए 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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