SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MBRB1045HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1045HE3/45 -
सराय
ECAD 4101 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB10 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 840 mV @ 20 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VS-25F100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F100M 8.5474
सराय
ECAD 1898 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 25F100 तमाम DO-203AA (DO-4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25F100M Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 78 ए -65 ° C ~ 175 ° C 25 ए -
BZT52B33-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B33-HE3_A-08 0.0533
सराय
ECAD 4452 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B33-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
MMSZ5263C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5263C-HE3-18 0.0454
सराय
ECAD 9970 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5263 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gay @ 43 वी 56 वी 150 ओम
AZ23B5V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B5V1-HE3-18 0.0534
सराय
ECAD 7607 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b5v1 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 800 एमवी 5.1 वी 60 ओम
SD103CWS-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CWS-E3-18 0.0577
सराय
ECAD 2383 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 SD103 schottky Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 @a @ 10 वी -55 ° C ~ 125 ° C 350ma 50pf @ 0v, 1MHz
VS-80-5598 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-5598 -
सराय
ECAD 8467 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-5598 - 112-‘-80-5598 1
SML4761A-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4761A-E3/61 0.5000
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4761 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
DZ23C2V7-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C2V7-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 4515 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 2.7 वी 83 ओम
PTV4.3B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV4.3B-E3/84A -
सराय
ECAD 8959 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV4.3 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 20 µA @ 1 वी 4.6 वी 15 ओम
VS-12TQ040SHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ040SHM3 0.9342
सराय
ECAD 1504 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 12TQ040 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए 900pf @ 5v, 1MHz
BZM55B18-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B18-TR 0.3200
सराय
ECAD 5795 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZM55 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BZM55B18 ५०० तंग तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 170 ओम
VBT3080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3080S-E3/4W 0.6023
सराय
ECAD 6463 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT3080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 950 mV @ 30 ए 1 सना हुआ @ 80 वी -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
BZG05C36-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C36-HE3-TR -
सराय
ECAD 9796 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ २ वी वी 36 वी 40 ओम
S2A/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division एस 2 ए/54 -
सराय
ECAD 3337 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB एस 2 ए तमाम DO-214AA (SMB) तंग रोहस तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 2 µs 1 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 16PF @ 4V, 1MHz
BZT52B22-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B22-HE3-18 0.0436
सराय
ECAD 4226 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B22 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 25 ओम
BZG03B130TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B130TR3 -
सराय
ECAD 7210 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG03B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 100 वी 130 वी 300 ओम
HFA30TA60CSTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA30TA60CSTRR -
सराय
ECAD 9150 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB HFA30 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 15 ए (डीसी) 1.7 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
AS3BG-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS3BG-M3/H 0.1634
सराय
ECAD 8543 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB AS3 कांपना DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.05 वी @ 3 ए 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
IRKL105/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkl105/12a -
सराय
ECAD 3094 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 2) Irkl105 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 235 ए 2.5 वी 1785 ए, 1870 ए १५० सना हुआ 105 ए 1 सरा
HFA210NJ60C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA210NJ60C -
सराय
ECAD 1825 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® थोक शिर अँगुला To-244ab HFA210 तमाम To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 171 ए (डीसी) 1.5 वी @ 105 ए 140 एनएस 30 µA @ 600 V
SB550A-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB550A-E3/54 0.5600
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SB550 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
FESB8GTHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fesb8gthe3_a/i 0.8910
सराय
ECAD 3485 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Fesb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
BZT03D9V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Bzt03d9v1- rayr -
सराय
ECAD 7518 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BZT03 1.3 डब सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 वी @ 500 एमए 20 µa @ 6.8 V 9.1 वी 4 ओम
SMPZ3932B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3932B-E3/84A -
सराय
ECAD 7459 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA Smpz39 ५०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए 500 NA @ 15.2 V 20 वी 14 ओम
DZ23C10-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C10-E3-18 0.0415
सराय
ECAD 3794 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
BZG03C15-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C15-M3-18 0.5000
सराय
ECAD 1470 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C15 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
60EPU02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu02 -
सराय
ECAD 2635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 60epu02 तमाम To-247ac संशोधित तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.08 वी @ 60 ए 35 एनएस 50 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 60 ए -
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
सराय
ECAD 4859 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 STPS40 schottky To-220-3 - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 15 वी 20 ए 410 mV @ 19 ए 10 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C
VS-25TTS08STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTTS08STRRRRRRRR-M3 1.1806
सराय
ECAD 3456 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25TTS08 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 800 १५० सना हुआ 800 वी 25 ए 2 वी 350A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 10 सना हुआ तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम