SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MBRF16H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF16H35-E3/45 -
सराय
ECAD 5334 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब MBRF16 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 660 mV @ 16 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
PTV30B-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV30B-E3/85A -
सराय
ECAD 5252 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV30 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 23 वी 32 वी 18 ओम
40CPQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40CPQ080 -
सराय
ECAD 3834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 40CPQ schottky To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 20 ए 770 mV @ 20 ए 1.25 पायल @ 80 वी -55 ° C ~ 175 ° C
1N4003GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPHE3/54 -
सराय
ECAD 4069 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4003 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-VSKC91/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC91/08 38.5600
सराय
ECAD 1568 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Vskc91 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsvskc9108 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 800 वी 50 ए 10 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 150 ° C
VS-85HFLR80S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFLR80S05 13.5363
सराय
ECAD 2148 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 85HFLR80 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.75 वी @ 266.9 ए ए 500 एनएस 100 µA @ 800 V -40 ° C ~ 125 ° C 85 ए -
NSF8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsf8mthe3_b/p -
सराय
ECAD 3464 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Nsf8 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 55pf @ 4v, 1MHz
SS1H9HE3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H9HE3/5AT -
सराय
ECAD 9297 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS1H9 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 770 mV @ 1 ए 1 µa @ 90 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
MMBZ4689-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4689-E3-18 -
सराय
ECAD 4901 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4689 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 3 वी 5.1 वी
MSS1P3LHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P3LHM3/89A -
सराय
ECAD 1289 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम MSS1P3 schottky Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 250 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 65pf @ 4v, 1MHz
1N5398-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5398-E3/73 -
सराय
ECAD 7602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5398 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
VS-6EWX06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWX06FNTRHM3 1.0025
सराय
ECAD 8583 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 6EWX06 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS6EWX06FNTRHM3 Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.1 वी @ 6 ए 21 एनएस 20 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
BYD33JGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33JGPHE3/54 -
सराय
ECAD 4356 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BYD33 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VS-40HFLR20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR20S02 8.1723
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 40hflr20 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.95 वी @ 40 ए 200 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
MBRB1045HE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1045HE3/81 -
सराय
ECAD 3759 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB10 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 840 mV @ 20 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
MBRB1645HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1645HE3/45 -
सराय
ECAD 3562 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB16 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 200 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
UF4006-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-E3/73 0.5000
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4006 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
V1FM10-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1fm10-m3/h 0.3900
सराय
ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V1fm10 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 1 ए 50 µa @ 100 वी -40 ° C ~ 175 ° C 1 क 95pf @ 4v, 1MHz
GP10JE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JE-M3/54 -
सराय
ECAD 8946 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-25TTS12STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTTS12STRRRRR-M3 1.1468
सराय
ECAD 7144 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25TTS12 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 800 १५० सना हुआ 1.2 केवी 25 ए 2 वी 350A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 10 सना हुआ तंग
VS-VSKN56/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN56/16 39.7370
सराय
ECAD 6635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Vskn56 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKN5616 Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.6 केवी 135 ए 2.5 वी 1200 ए, 1256 ए १५० सना हुआ 60 1 सरा
IMBD4148-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IMBD4148-HE3-18 0.0312
सराय
ECAD 4966 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 IMBD4148 तमाम -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 10 एमए 4 एनएस 2.5 µA @ 70 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 150ma -
ZMY39-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMY39-GS08 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZMY39 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 ५०० सवार @ २ ९ वी 39 वी 60 ओम
BZT52C33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 2791 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C33 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
RGP10BE-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10BE-E3/73 -
सराय
ECAD 4301 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
MBRB1660-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1660-E3/45 1.5000
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB1660 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 mV @ 16 ए 1 पायल @ 60 वी -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
VS-SD603C16S15C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD603C16S15C 105.7600
सराय
ECAD 2086 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग अफ़सीर DO-200AA, A-PUK SD603 तमाम बी -43, पीयूके पीयूके तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 2.97 V @ 1885 ए 1.5 µs 45 पायल @ 1600 वी 600 ए -
VSSAF510-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF510-M3/H 0.3900
सराय
ECAD 24 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS®, SLIMSMA ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur SAF510 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 750 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5 ए 440pf @ 4v, 1MHz
VE2045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE2045C-E3/45 -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Ve2045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
S1PJHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PJHE3/84A -
सराय
ECAD 4772 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA एस 1 पी तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम