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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZW03C51-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C51-TR -
सराय
 ECAD 8961 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZW03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BZW03 1.85 डब सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 वी @ 1 ए 2 @a @ 39 वी 51 वी 27 ओम
VS-31DQ10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-31DQ10 -
सराय
 ECAD 4645 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 31dq10 schottky सी -16 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3.3a -
UF4006-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4006-E3/73 0.5000
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut UF4006 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
V1FM10-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1fm10-m3/h 0.3900
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V1fm10 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 1 ए 50 µa @ 100 वी -40 ° C ~ 175 ° C 1 क 95pf @ 4v, 1MHz
VS-70HF160M Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -70HF160M 20.7900
सराय
 ECAD 8893 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 70HF160 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.46 V @ 220 ए -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
MMBZ4685-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4685-G3-08 -
सराय
 ECAD 1637 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4685 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 7.5 @a @ 2 वी 3.6 वी
40CPQ080 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40CPQ080 -
सराय
 ECAD 3834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 40CPQ schottky To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 20 ए 770 mV @ 20 ए 1.25 पायल @ 80 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SS24HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24HE3/5BT -
सराय
 ECAD 3743 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SS24 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 2 ए -
1N4003GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4003GPHE3/54 -
सराय
 ECAD 4069 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4003 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
V20DM153C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM153C-M3/I 1.1700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) schottky TO-263AC (SMPD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
BY251P-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251P-E3/73 -
सराय
 ECAD 4485 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY251 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
VE2045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE2045C-E3/45 -
सराय
 ECAD 7573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Ve2045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
MBR760-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR760-E3/45 0.9300
सराय
 ECAD 28 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR760 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 mV @ 7.5 ए 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 7.5a -
1N5398-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5398-E3/73 -
सराय
 ECAD 7602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5398 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
VS-6EWX06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWX06FNTRHM3 1.0025
सराय
 ECAD 8583 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 6EWX06 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS6EWX06FNTRHM3 Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.1 वी @ 6 ए 21 एनएस 20 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 6 ए -
BY255GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY255GPHE3/54 -
सराय
 ECAD 6987 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY255 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1300 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 µA @ 1300 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
1N4004GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4004GP-E3/73 0.5100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4004 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
SS3P6L-E3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P6L-E3/86A -
सराय
 ECAD 4549 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS3P6 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 600 एमवी @ 3 ए 150 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
SS14-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS14-M3/61T 0.4500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS14 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
V3FM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3fm10hm3/h 0.4400
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab V3fm10 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 830 mV @ 3 ए 85 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 175 ° C 3 ए 240pf @ 4v, 1MHz
BZD27B43P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B43P-HE3-08 0.1238
सराय
 ECAD 8156 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B43 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
SS1FH6HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FH6HM3/H 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS1FH6 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 1 ए 3 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 90pf @ 4v, 1MHz
SL04-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL04-HM3-08 0.4000
सराय
 ECAD 22 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SL04 schottky Do-219ab (SMF) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 540 mV @ 1.1 ए 10 एनएस 20 µa @ 40 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.1 ए 65pf @ 4v, 1MHz
BYD33JGPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYD33JGPHE3/54 -
सराय
 ECAD 4356 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BYD33 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
NSB8DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8DT-E3/45 0.5059
सराय
 ECAD 1524 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Nsb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 55pf @ 4v, 1MHz
VS-40HFLR20S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40HFLR20S02 8.1723
सराय
 ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 40hflr20 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.95 वी @ 40 ए 200 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 125 ° C 40 ए -
S1PJHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1PJHE3/84A -
सराय
 ECAD 4772 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA एस 1 पी तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6pf @ 4v, 1MHz
SML4745-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4745-E3/5A 0.1733
सराय
 ECAD 6949 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4745 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 @a @ 12.2 V 16 वी 16 ओम
MSE1PGHM3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSE1PGHM3/89A 0.3700
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम MSE1 तमाम Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 780 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 5pf @ 4v, 1MHz
BZX85B3V9-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B3V9-TR 0.0561
सराय
 ECAD 2227 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85B3V9 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 10 µa @ 1 वी 3.9 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    2800+

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AD9208BBPZ-3000

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