SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट ट kryryrair (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RGF1A-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1A-E3/67A 0.5400
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba Rgf1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8.5pf @ 4v, 1MHz
VS-SD600N16PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 600N16PC 158.6317
सराय
ECAD 7319 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म बी -8 SD600 तमाम बी -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.31 वी @ 1500 ए 35 सना -40 ° C ~ 180 ° C 600 ए -
VS-ST083S08MFM1P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S08MFM1P 129.3836
सराय
ECAD 2618 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST083 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST083S08MFM1P Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 800 वी 135 ए 3 वी 2060 ए, 2160 ए 200 एमए 2.15 वी 85 ए ३० सना हुआ तंग
UGB8HCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8HCT-E3/45 -
सराय
ECAD 9371 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Ugb8 तमाम To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.75 वी @ 4 ए 50 एनएस 30 µA @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VS-P404 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 404 40.2540
सराय
ECAD 2557 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला 8 सभा पी 404 पुल, एकल rurण - rayrएस/rana (लेआउट 1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsp404 Ear99 8541.30.0080 10 १३० सना हुआ 1 केवी 40 ए 2 वी 385 ए, 400 ए 60 सना हुआ 2 सियार, 2 सवार
VS-S671C Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 671 सी -
सराय
ECAD 1723 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर - 112-एस-एस 671 सी शिर 1
IRKL105/10A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL105/10A -
सराय
ECAD 5998 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 2) Irkl105 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1 केवी 235 ए 2.5 वी 1785 ए, 1870 ए १५० सना हुआ 105 ए 1 सरा
VS-ST303C04LFL0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST303C04LFL0 184.3000
सराय
ECAD 4001 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला To-200ab, ई-प ST303 TO-200AB (E-PUK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 400 वी 995 ए 3 वी 7950A, 8320A 200 एमए 2.16 वी 515 ए ५० सदा तंग
GDZ24B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ24B-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 5668 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, GDZ R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ24 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 सवार @ 19 वी 24 वी 120 ओम
VS-30CPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPF02PBF -
सराय
ECAD 2756 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 30CPF02 तमाम To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.41 वी @ 30 ए 160 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
B140-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B140-M3/61T 0.0644
सराय
ECAD 8155 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA B140 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 520 mV @ 1 ए 200 @a @ 40 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
VE2045C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VE2045C-E3/45 -
सराय
ECAD 7573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Ve2045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 45 V -40 ° C ~ 150 ° C
S3BHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3BHE3/9AT -
सराय
ECAD 2802 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 बी तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.15 V @ 2.5 ए 2.5 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
MBR1560CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1560CT-E3/45 1.3300
सराय
ECAD 730 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1560 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 7.5a 750 mV @ 7.5 ए 1 पायल @ 60 वी -65 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKT105/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT105/12 45.7470
सराय
ECAD 3091 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) VSKT105 अफ़रप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKT10512 Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 1.2 केवी 235 ए 2.5 वी 2000 ए, 2094 ए १५० सना हुआ 105 ए
VS-GB150YG120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150YG120NT -
सराय
ECAD 7460 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला कांपना GB150 892 डब तमाम ECONO3 4PACK - Ear99 8541.29.0095 10 सराय एनपीटी 1200 वी 182 ए 4V @ 15V, 200A 120 µa तमाम
SF5402-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5402-TAP 0.5544
सराय
ECAD 4521 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu SF5402 तमाम सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
FESE16AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESE16AT-E3/45 -
सराय
ECAD 8796 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Fese16 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 975 mV @ 16 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C
ZMM5247B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5247B-7 -
सराय
ECAD 6757 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
BYT28F-400-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28F-400-E3/45 -
सराय
ECAD 9712 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BYT28 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 5 ए 1.3 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-81RIA80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-81RIA80 41.0432
सराय
ECAD 5586 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 81RIA80 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS81RIA80 Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 800 वी 125 ए 2.5 वी 1600 ए, 1675 ए 120 1.6 वी 80 ए 15 सना हुआ तंग
MBRF1635-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF1635-E3/45 1.5000
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब MBRF1635 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 630 mV @ 16 ए 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
VS-10ETF12FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12FP-M3 2.6700
सराय
ECAD 245 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 10ETF12 तमाम TO-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS10ETF12FPM3 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.33 वी @ 10 ए 310 एनएस 100 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
MBRB1090-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090-M3/4W 0.7447
सराय
ECAD 9711 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB1090 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VS-80CNQ040ASMPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80CNQ040ASMPBF -
सराय
ECAD 9425 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से -61-8-एसएम 80CNQ040 schottky -61-8-एसएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS80CNQ040ASMPBF Ear99 8541.10.0080 400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 40 ए 520 mV @ 40 ए 5 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 150 ° C
ES2BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2BHE3/5BT -
सराय
ECAD 2361 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB ES2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 mV @ 2 ए 30 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 18pf @ 4v, 1MHz
VS-P102KW Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-P102KW 47.7300
सराय
ECAD 9884 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला 8 सभा P102 पुल, एकल rurण - rayrएस/rana (लेआउट 1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 १३० सना हुआ 600 वी 2 वी 357 ए, 375 ए 60 सना हुआ 2 सियार, 2 सवार
60EPU02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60epu02 -
सराय
ECAD 2635 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 60epu02 तमाम To-247ac संशोधित तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.08 वी @ 60 ए 35 एनएस 50 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 60 ए -
VS-25TTS08FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS08FPPBF -
सराय
ECAD 6030 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 25TTS08 To-220ab rabune-rana तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 50 100 सवार 800 वी 25 ए 2 वी 350A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 500 µa तंग
VB40170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40170C-E3/8W 3.1500
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VB40170 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 170 वी 20 ए 1.2 वी @ 20 ए 250 µA @ 170 V -40 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम