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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-91MT160KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-91MT160KPBF 96.3207
सराय
ECAD 1321 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला तमाम 91MT160 तमाम तंग-के। तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS91MT160KPBF Ear99 8541.10.0080 15 90 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
TZMC8V2-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC8V2-GS08 0.2300
सराय
ECAD 24 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC8V2 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
V40PW60C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PW60C-M3/I 1.4900
सराय
ECAD 228 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V40PW60 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 680 mV @ 20 ए २.४ सना -40 ° C ~ 150 ° C
V2PL63LHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pl63lhm3/h 0.4100
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur DO-220AA V2pl63 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2 ए 360pf @ 4v, 1MHz
VIT2080S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT2080S-E3/4W 0.5858
सराय
ECAD 5565 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VIT2080 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 920 mV @ 20 ए 700 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
189NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 189NQ135 -
सराय
ECAD 7470 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य 189NQ135 schottky डी -67 अराध्य तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *189NQ135 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 135 वी 1.07 V @ 180 ए ४.५ सदा 180A 4500pf @ 5v, 1MHz
MBRF760-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF760-E3/45 -
सराय
ECAD 2098 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब MBRF7 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 mV @ 7.5 ए 500 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a -
BZT55A12-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55A12-GS18 -
सराय
ECAD 2330 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
VS-88HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-88HF20 8.8342
सराय
ECAD 5204 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 88HF20 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS88HF20 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
VS-80-6008 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-6008 -
सराय
ECAD 1935 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-6008 - 112-‘-80-6008 1
PB5010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB5010-E3/45 4.4200
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी isocink+™ नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, पीबी PB5010 तमाम isocink+™ pb तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम PB5010-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 20 1.1 वी @ 22.5 ए 10 µA @ 1000 V 4.5 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
BZX85B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B11-TAP 0.0561
सराय
ECAD 2433 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85B11 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 8.2 V 11 वी 8 ओम
BZX384C2V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C2V7-G3-08 0.0389
सराय
ECAD 9300 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C2V7 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
BZX584C3V3-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V3-HG3-08 0.3400
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 85 ओम
BZT52B9V1-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B9V1-E3-08 0.3100
सराय
ECAD 5541 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B9V1 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 7 वी 9.1 वी 4.8 ओम
BZX384C68-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C68-HE3-08 0.0341
सराय
ECAD 8056 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C68 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५० सदाबहार @ ४.६ वी 68 वी 240 ओम
MMBZ5255B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5255B-HE3-08 -
सराय
ECAD 4884 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5255 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
HFA105NH60R Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA105NH60R -
सराय
ECAD 7076 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य HFA105 तमाम डी -67 अराध्य तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *HFA105NH60R Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 105 ए 140 एनएस 30 µA @ 600 V 105 ए -
BZG03C150-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C150-HM3-18 0.1898
सराय
ECAD 6233 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C150 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 110 V 150 वी 300 ओम
VS-88-6509 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -88-6509 -
सराय
ECAD 2283 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 88-6509 - 112-‘-88-6509 1
BZX55C39-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C39-TR 0.0292
सराय
ECAD 4947 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55C39 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 30 वी 39 वी 90 ओम
BAT54W-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54W-HE3-08 0.4000
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 BAT54 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
1N4151WS-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151WS-G3-18 0.0389
सराय
ECAD 8431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-76, SOD-323 1N4151 तमाम Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 1 वी @ 50 सना हुआ 4 एनएस 50 सना -55 ° C ~ 150 ° C 150ma -
TZM5241F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5241F-GS08 -
सराय
ECAD 2523 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर - 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5241 ५०० तंग Sod-80 sautun - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 2 @a @ 8.4 वी 11 वी 600 ओम
V2PM12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2pm12hm3/h 0.3500
सराय
ECAD 12 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम V2pm12 schottky Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 980 mV @ 2 ए 50 µa @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 2 ए 140pf @ 4v, 1MHz
SE8D30DHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se8d30dhm3/i 0.4600
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 1.2 µs 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 19pf @ 4v, 1MHz
MMBZ5258C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5258C-HE3-18 -
सराय
ECAD 9690 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5258 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 70 ओम
TZM5264C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5264C-GS08 -
सराय
ECAD 6830 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5264 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 100 gay @ 46 वी 60 वी 170 ओम
TZM5263C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5263C-GS08 -
सराय
ECAD 1290 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5263 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 150 ओम
BZG05B24-E3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B24-E3-TR3 -
सराय
ECAD 2515 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सना 24 वी 25 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम