SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZT55B13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B13-GS18 0.0433
सराय
ECAD 3265 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B13 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 26 ओम
VS-SD600R04PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 600R04PC 131.1883
सराय
ECAD 8706 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म बी -8 SD600 तमाम बी -8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.31 वी @ 1500 ए 35 पायल @ 400 वी -40 ° C ~ 180 ° C 600 ए -
BZT52C16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C16-E3-08 0.2700
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C16 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 13 ओम
1N5627-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5627- टैप 1.0900
सराय
ECAD 24 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu 1N5627 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1 वी @ 3 ए 7.5 µs 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
VS-MBRS130LTRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRS130LTRPBF -
सराय
ECAD 5140 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Mbrs1 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 1 ए 1 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
MMSZ5262C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5262C-E3-08 0.0433
सराय
ECAD 3744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5262 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 39 वी 51 वी 125 ओम
MMBZ5252C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5252C-E3-18 -
सराय
ECAD 1444 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5252 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 18 वी 24 वी 33 ओम
MMSZ5239B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5239B-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 8539 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5239 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
SMPZ3929B-E3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3929B-E3/84A -
सराय
ECAD 6843 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA Smpz39 ५०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ११.४ वो 15 वी 9 ओम
TZMC10GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC10GS08 0.2300
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC10 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
VS-16CTU04S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTU04S-M3 1.2600
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 16CTU04 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 8 ए 1.3 वी @ 8 ए 60 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-8ETL06-1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETL06-1PBF -
सराय
ECAD 2749 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 8ETL06 तमाम To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 V @ 8 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
RMPG06JHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RMPG06JHE3/54 -
सराय
ECAD 8167 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Rmpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 6.6pf @ 4v, 1MHz
VB20M120CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB20M120CHM3/I -
सराय
ECAD 2285 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VB20M schottky To-263ab तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 120 वी 10 ए 910 mV @ 10 ए 700 @a @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C
VS-VSUD505CW60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSUD505CW60 54.6000
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® कड़ा शिर अँगुला To-244ab तमाम To-244 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 112-वीएसयूडी-‘505CW60 Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 572 ए 1.355 V @ 250 ए 179 एनएस 820 µA @ 600 V -40 ° C ~ 175 ° C
1N5393-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5393-E3/73 0.2700
सराय
ECAD 27 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5393 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µa @ 200 वी -50 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
ESH2PBHE3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH2PBHE3/85A -
सराय
ECAD 1265 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA Esh2 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 980 mV @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 25pf @ 4v, 1MHz
ES2AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es2ahe3_a/i 0.1947
सराय
ECAD 1245 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Es2a तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 900 mV @ 2 ए 20 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 18pf @ 4v, 1MHz
AZ23B11-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B11-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 7211 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23B11-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 8 वी 11 वी 20 ओम
VS-3ECH02-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3ECH02-M3/9AT 0.2026
सराय
ECAD 2656 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC 3ECH02 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
GL41B-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL41B-E3/96 0.4500
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) GL41 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
1N5247C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5247C-TAP 0.0288
सराय
ECAD 2939 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5247 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
VS-6CSH02-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CSH02-M3/87A 0.2701
सराय
ECAD 6026 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन 6CSH02 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 3 ए 940 mV @ 3 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
GI250-4-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI250-4-M3/73 -
सराय
ECAD 1270 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी * टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर GI250 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000
1N4007/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007/54 -
सराय
ECAD 9552 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4007 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग रोहस तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
GF1DHE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division GF1DHE3/5CA -
सराय
ECAD 1296 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba GF1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 2 µs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
GP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JE-E3/54 0.1840
सराय
ECAD 4865 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
SBLB1640CTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB1640CTHE3_A/P -
सराय
ECAD 6465 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SBLB1640 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम SBLB1640CTHE3_B/P Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 8 ए 550 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C
12CWQ03FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CWQ03FNTRL -
सराय
ECAD 9822 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 6 ए 470 mV @ 6 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
PLZ24A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz24a-hg3_a/h 0.3600
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz24 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम