SIC
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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
GP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10JE-E3/54 0.1840
सराय
 ECAD 4865 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-72HFR140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HFR140 13.0328
सराय
 ECAD 6061 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 72HFR140 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS72HFR140 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.46 V @ 220 ए -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
VS-15MQ040HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15MQ040HM3/5AT 0.5100
सराय
 ECAD 58 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA 15mq040 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 430 mV @ 1.5 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 134pf @ 10v, 1MHz
VS-85HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HFR100 12.0307
सराय
 ECAD 1920 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 85HFR100 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 267 ए 9 सना हुआ @ 1000 वी -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
12CWQ03FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CWQ03FNTRL -
सराय
 ECAD 9822 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 6 ए 470 mV @ 6 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BYG10JHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg10jhm3_a/i 0.1551
सराय
 ECAD 7309 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg10 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 1.5 ए 4 μs 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
1N4007/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007/54 -
सराय
 ECAD 9552 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4007 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग रोहस तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
50WQ06FNTRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50WQ06FNTRL -
सराय
 ECAD 2979 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 50WQ06 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 570 mV @ 5 ए 3 सना हुआ @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5.5 ए 360pf @ 5v, 1MHz
VS-10WQ045FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10WQ045FNPBF -
सराय
 ECAD 9019 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 10WQ045 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 10 ए 1 पायल @ 45 वी -40 ° C ~ 175 ° C 10 ए 760pf @ 5v, 1MHz
VS-8ETL06SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETL06SPBF -
सराय
 ECAD 9083 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8ETL06 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 V @ 8 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
1N5397GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5397GP-E3/54 0.6300
सराय
 ECAD 1672 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5397 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 2 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
SS10P2CLHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P2CLHM3/86A -
सराय
 ECAD 4773 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS10P2 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 5 ए 520 mV @ 5 ए 850 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C33-HE3-18 0.0378
सराय
 ECAD 2791 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C33 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
GL34B-E3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GL34B-E3/98 0.4100
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213aa (गthama) GL34 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.2 वी @ 500 एमए 1.5 µs 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
VS-ST280CH06C1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST280CH06C1 78.0633
सराय
 ECAD 9530 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C अँगुला TO-200AB, A-PUK एसटी 280 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST280CH06C1 Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 600 वी 960 ए 3 वी 6000A, 6300A १५० सना हुआ 1.35 वी 500 ए 75 सना हुआ तंग
SD200N12PV Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD200N12PV -
सराय
 ECAD 3815 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर DO-205AC, DO-30, CHANTUS SD200 तमाम DO-205AC (DO-30) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *SD200N12PV Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.4 वी @ 630 ए 15 सना हुआ @ 1200 वी -40 ° C ~ 180 ° C 200A -
SMBZ5934B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5934B-E3/5B 0.4600
सराय
 ECAD 9421 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5934 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 1.5 वी @ 200 एमए 1 @a @ 18.2 V 24 वी 19 ओम
BZG05C47-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C47-E3-TR -
सराय
 ECAD 8482 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ३६ वी 47 वी 90 ओम
MBRB25H45CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB25H45CT-E3/45 -
सराय
 ECAD 5088 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB25 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 640 mV @ 15 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-50WQ04FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ04FNPBF -
सराय
 ECAD 8744 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 50WQ04 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 5 ए 3 सना हुआ @ 40 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5.5 ए 405pf @ 5v, 1MHz
6CWQ10FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6CWQ10FN -
सराय
 ECAD 5511 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 6CWQ10 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 3.5A 810 mV @ 3 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
U2D-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U2D-M3/52T 0.1203
सराय
 ECAD 5815 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB U2D तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 2 ए 27 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 16PF @ 4V, 1MHz
AS3PMHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS3PMHM3/86A -
सराय
 ECAD 8128 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन AS3 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 920 mV @ 1.5 ए 1.2 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.1a 37PF @ 4V, 1MHz
BYM07-50HE3/98 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-50HE3/98 -
सराय
 ECAD 7625 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-213aa (गthama) BYM07 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.25 वी @ 500 एमए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7PF @ 4V, 1MHz
BZD17C18P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C18P-E3-18 0.1482
सराय
 ECAD 7386 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 18 वी
AS3BGHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division As3bghm3_a/h 0.1769
सराय
 ECAD 7065 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB AS3 कांपना DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.05 वी @ 3 ए 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
VS-HFA16TA60CSR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TA60CSR-M3 0.6417
सराय
 ECAD 2258 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB HFA16 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 8 ए (डीसी) 2.1 वी @ 16 ए 55 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
ES2D/1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2D/1 -
सराय
 ECAD 4158 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB ES2D तमाम DO-214AA (SMB) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 2 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
MBR20H100CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H100CTHE3/45 -
सराय
 ECAD 3652 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 770 mV @ 10 ए 4.5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C
BZX384B7V5-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B7V5-G3-08 0.0445
सराय
 ECAD 5322 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B7V5 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 µA @ 1 वी 7.5 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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