SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-ST300C04C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300C04C0 83.0542
सराय
ECAD 4864 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला To-200ab, ई-प एसटी 300 TO-200AB (E-PUK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 400 वी 1290 ए 3 वी 8000A, 8380A 200 एमए 2.18 वी 650 ए ५० सदा तंग
MBRF2535CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2535CTHE3/45 -
सराय
ECAD 4090 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF25 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 820 mV @ 30 ए 200 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C
MBRB2550CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2550CT-E3/45 -
सराय
ECAD 6411 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB25 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 15 ए 750 mV @ 15 ए 1 सना हुआ @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C
TZM5257B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5257B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 9714 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5257 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 25 वी 33 वी 58 ओम
VS-25TTS16STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS16STRLPBF -
सराय
ECAD 9108 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25TTS16 To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25TTS16STRLPBF Ear99 8541.30.0080 800 १५० सना हुआ 1.6 केवी 25 ए 2 वी 300A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 500 µa तंग
VS-ST730C12L1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST730C12L1L 144.2933
सराय
ECAD 8892 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, B-PUK ST730 TO-200AC, B-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST730C12L1L Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 2000 ए 3 वी 15000 ए, 15700 ए 200 एमए 1.62 वी 990 ए 80 सना हुआ तंग
P600K-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600K-E3/54 0.9200
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से पी 600, कांपो पी 600 तमाम पी 600 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 900 mV @ 6 ए 2.5 µs 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 6 ए 150pf @ 4v, 1MHz
VS-20ETS12M-S1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS12M-S1 -
सराय
ECAD 6669 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी * नली शिर - तमाम 112-‘-20ETS12M-S1 शिर 1
VSKT250-14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKT250-14 -
सराय
ECAD 2640 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर - अँगुला ३- VSKT250 अफ़रप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 2 ५०० तंग 1.4 केवी 555 ए 3 वी 8500A, 8900A 200 एमए 250 ए
VS-ST083S12PFK0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S12PFK0 105.2996
सराय
ECAD 3935 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST083 से -209ac (से 94) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 135 ए 3 वी 2450 ए, 2560 ए 200 एमए 2.15 वी 85 ए ३० सना हुआ तंग
VS-25TTS08STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS08STRRPBF -
सराय
ECAD 1190 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25TTS08 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS25TTS08STRRPBF Ear99 8541.30.0080 800 १५० सना हुआ 800 वी 25 ए 2 वी 300A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 500 µa तंग
VS-30TPS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30TPS16-M3 4.8100
सराय
ECAD 1681 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 30tps16 To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 25 १५० सना हुआ 1.6 केवी 30 ए 2 वी 250A @ 50 परत्गी ४५ सना हुआ 1.3 वी 20 ए 10 सना हुआ तंग
VS-ST1000C16K1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1000C16K1 272.7850
सराय
ECAD 1814 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1000 ए -24 (के -प तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST1000C16K1 Ear99 8541.30.0080 2 ६०० सना हुआ 1.6 केवी 2913 ए 3 वी 17000 ए, 18100 ए 200 एमए 1.8 वी 1473 ए 100 सवार तंग
VS-VSKU162/16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKU162/16PBF 49.5000
सराय
ECAD 3558 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला इंट-ए-rana (3) VSKU162 तमामकस - तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.30.0080 15 200 एमए 1.6 केवी 355 ए 2.5 वी 4870A, 5100A १५० सना हुआ 160 ए 1 सीन
VS-MBRB2045CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2045CTPBF -
सराय
ECAD 9593 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB20 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 570 mV @ 10 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKV41/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV41/16 41.4050
सराय
ECAD 5399 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Vskv41 तमामकस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsvskv4116 Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.6 केवी 70 ए 2.5 वी 850A, 890A १५० सना हुआ 45 ए
VS-ST1000C22K1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST1000C22K1L 290.1650
सराय
ECAD 5775 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सराय TO-200AC, K-PUK, A-24 ST1000 ए -24 (के -प तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST1000C22K1L Ear99 8541.30.0080 2 ६०० सना हुआ 2.2 केवी 2913 ए 3 वी 17000 ए, 18100 ए 200 एमए 1.8 वी 1473 ए 100 सवार तंग
VS-ST230S16P1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230S16P1PBF 99.1350
सराय
ECAD 4170 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से एसटी 230 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST230S16P1PBF Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 1.6 केवी 360 ए 3 वी 4800A, 5000A १५० सना हुआ 1.55 वी 230 ए ३० सना हुआ तंग
IRKT92/06A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKT92/06A -
सराय
ECAD 1532 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Irkt92 अफ़रप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 600 वी 210 ए 2.5 वी 1785 ए, 1870 ए १५० सना हुआ 95 ए
SS26-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS26-M3/5BT 0.1467
सराय
ECAD 9867 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SS26 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
HFA15TB60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA15TB60S -
सराय
ECAD 7087 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB HFA15 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
PLZ24D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz24d-hg3_a/h 0.3600
सराय
ECAD 27 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac Plz24 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सदाबहार @ वी वी 24 वी 35 ओम
TZMB3V3-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB3V3-GS08 0.3100
सराय
ECAD 55 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB3V3 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 2 @a @ 1 वी 3.3 वी 90 ओम
VS-ST280CH04C1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST280CH04C1 76.2842
सराय
ECAD 3627 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C अँगुला TO-200AB, A-PUK एसटी 280 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST280CH04C1 Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 400 वी 960 ए 3 वी 6000A, 6300A १५० सना हुआ 1.35 वी 500 ए 75 सना हुआ तंग
VS-70HFL40S05 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFL40S05 11.6125
सराय
ECAD 2052 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 70HFL40 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.85 वी @ 219.8 ए ए 500 एनएस 100 µA @ 400 वी -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
AZ23B9V1-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B9V1-E3-18 0.0509
सराय
ECAD 2243 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b9v1 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gapa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
VS-18TQ035-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ035-N3 -
सराय
ECAD 1875 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 18TQ035 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS18TQ035N3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 600 एमवी @ 18 ए २.५ सना -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
VS-ST110S04P1VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S04P1VPBF 63.9532
सराय
ECAD 4687 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST110S04P1VPBF Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 400 वी 175 ए 3 वी 2270 ए, 2380 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
VSKL250-14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKL250-14 -
सराय
ECAD 4378 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर - अँगुला ३- VSKL250 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 2 ५०० तंग 1.4 केवी 555 ए 3 वी 8500A, 8900A 200 एमए 250 ए 1 सरा
ZMM5247B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5247B-7 -
सराय
ECAD 6757 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 13 वी 17 वी 19 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम