SIC
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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
V1PM15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V1pm15hm3/h 0.3800
सराय
 ECAD 31 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम V1pm15 schottky Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.21 वी @ 1 ए 50 µa @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C 1 क 65pf @ 4v, 1MHz
VS-MUR1620CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR1620CT-M3 1.0600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MUR1620 तमाम To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 8 ए 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
30CPQ040 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CPQ040 -
सराय
 ECAD 5843 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 30cpq schottky To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 540 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MURD620CTTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division MURD620CTTRR -
सराय
 ECAD 2514 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MURD620 तमाम डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 3 ए 1.2 वी @ 3 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
ES2A-E3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2A-E3/5BT 0.1574
सराय
 ECAD 9360 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Es2a तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 900 mV @ 2 ए 30 एनएस 10 µa @ 50 वी -50 ° C ~ 150 ° C 2 ए 18pf @ 4v, 1MHz
VS-MURB820TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB820TRLPBF -
सराय
 ECAD 9433 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Murb820 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 975 mV @ 8 ए 20 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
IRKD196/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKD196/04 -
सराय
 ECAD 3615 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला इंट-ए-rana (3) Irkd196 तमाम कांपना तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *IRKD196/04 Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 400 वी 195a २० सना @ ४०० वी
VS-MURB2020CTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB2020CTRHM3 1.2182
सराय
 ECAD 3410 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Murb2020 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsmurb2020ctrhm3 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 850 एमवी @ 8 ए 21 एनएस 15 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
SE20PGHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se20pghm3/85a 0.1048
सराय
 ECAD 2831 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SE20 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.05 V @ 2 ए 1.2 µs 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.6 ए 13pf @ 4v, 1MHz
BAS40L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40L-G3-08 0.3000
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) BAS40 schottky DFN1006-2A तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 ° C 200MA 2.9pf @ 0v, 1MHz
BZD27C120P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C120P-HE3-18 0.1660
सराय
 ECAD 4204 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C120 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120 वी 250 ओम
TZM5249B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249B-GS08 0.2300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5249 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
VS-60CPU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPU04-N3 8.1300
सराय
 ECAD 500 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 60CPU04 तमाम To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 30 ए 1.3 वी @ 30 ए 65 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
BY251GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251GP-E3/54 -
सराय
 ECAD 7820 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY251 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
10ETF04STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ETF04STRL -
सराय
 ECAD 6317 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10ETF04 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 10 ए 145 एनएस 100 µA @ 400 वी -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
1N5266B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5266B-T -
सराय
 ECAD 7185 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5266 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1N5266B-TGI Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 पायल @ 52 वी 68 वी 1600 ओम
VSS8D3M6HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSS8D3M6HM3/I 0.4300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur S8D3 schottky Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 490 mV @ 1.5 ए 300 µA @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 2.5a 500pf @ 4v, 1MHz
UH6PDHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Uh6pdhm3_a/i -
सराय
 ECAD 5026 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 6 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BA782-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA782-HG3-08 -
सराय
 ECAD 8305 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सोद -123 Ba782 सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 1.25pf @ 3V, 1MHz पिन - एकल 35V 700MOHM @ 3MA, 1GHz
BZT52C6V2-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C6V2-E3-08 0.2700
सराय
 ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C6V2 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 4.8 ओम
VS-80SQ035TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80SQ035TR -
सराय
 ECAD 3385 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204ar, lectun 80SQ035 schottky Do-204ar तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 530 mV @ 8 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
US1AHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1AHE3/61T -
सराय
 ECAD 8159 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA US1 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VS-VSKH105/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH105/06 45.2700
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3) VSKH105 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 600 वी 235 ए 2.5 वी 2000 ए, 2094 ए १५० सना हुआ 105 ए 1 सरा
BZX55F2V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55F2V7-TAP -
सराय
 ECAD 9289 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
ZMM5221B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5221B-7 -
सराय
 ECAD 9890 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 2.4 वी 30 ओम
MMSZ5244B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5244B-G3-08 0.0409
सराय
 ECAD 9510 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5244 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 10 वी 14 वी 15 ओम
SE15FJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se15fj-m3/i 0.0781
सराय
 ECAD 3556 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SE15 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.05 V @ 1.5 ए 900 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 10.5pf @ 4v, 1MHz
BZG05C22-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C22-M3-08 0.3900
सराय
 ECAD 8140 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C22 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सना 22 वी 25 ओम
VS-12TQ045PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ045PBF -
सराय
 ECAD 5753 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 12TQ045 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 45 वें -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
GI1403-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1403-E3/45 0.5298
सराय
 ECAD 1781 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GI1403 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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