SIC
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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - अधिकतम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) इनपुट इनपुट (cies) @ vce पthirraurोध @ yur, एफ
VS-25TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS08STRL-M3 2.1000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 25TTS08 To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 800 १५० सना हुआ 800 वी 25 ए 2 वी 350A @ 50 परत ४५ सना हुआ 1.25 वी 16 ए 10 सना हुआ तंग
UGB18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18DCT-E3/45 -
सराय
 ECAD 4228 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB UGB18 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 18 ए 1.1 वी @ 9 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 150 ° C
BA779-2-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA779-2-HG3-08 -
सराय
 ECAD 8074 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Ba779 -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 ५० सदा 0.5pf @ 0v, 100mHz पिन - 1 कांपरा 30V 50ohm @ 1.5ma, 100mHz
GP10BE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10BE-M3/73 -
सराय
 ECAD 3597 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
CPV362M4K Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV362M4K -
सराय
 ECAD 2047 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 19-SIP (13 लीड), IMS-2 CPV362 २३ सन्नम तमाम IMS-2 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *CPV362M4K Ear99 8541.29.0095 160 तीन rurण kadaurachurthir - 600 वी 5.7 ए 1.93V @ 15V, 3 ए 250 µa नहीं 450 पीएफ @ 30 वी
GDZ20B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ20B-E3-08 0.0360
सराय
 ECAD 5440 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ20 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kaga @ 15 वी 20 वी 85 ओम
GP15D-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15D-E3/73 -
सराय
 ECAD 8528 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT GP15 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 3.5 µs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए -
RGP10GHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GHE3/54 -
सराय
 ECAD 8418 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
RGF1G-1HE3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1G-1HE3/67A -
सराय
 ECAD 5090 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba तमाम DO-214BA (GF1) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 112-RGF1G-1HE3/67ATR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8.5pf @ 4v, 1MHz
FEP16GT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16GT-E3/45 1.5700
सराय
 ECAD 981 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 Fep16 तमाम To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 16 ए 1.3 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C
EGF1B-1HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egf1b-1he3_b/i -
सराय
 ECAD 4853 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba ईजीएफ 1 बी तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-EGF1B-1HE3_B/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
CS2G-E3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Cs2g-e3/i 0.3900
सराय
 ECAD 310 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB CS2 तमाम DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.15 वी @ 2 ए 2.1 ग्रोन्स 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.6 ए 12pf @ 4v, 1MHz
NSB8ATHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsb8athe3_b/p 0.6930
सराय
 ECAD 6470 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Nsb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 8 ए 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 55pf @ 4v, 1MHz
T40HFL10S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division T40HFL10S02 -
सराय
 ECAD 2822 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -55 टी -मॉड टी 40 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *T40HFL10S02 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 200 एनएस 100 µA @ 100 वी 40 ए -
S5MHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S5mhe3_a/h 0.5400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC S5M तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.15 वी @ 5 ए 2.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 40pf @ 4v, 1MHz
GI1402HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1402HE3/45 -
सराय
 ECAD 4212 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GI1402 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
1N5407-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5407-E3/54 0.4700
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5407 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 3 ए 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 3 ए 30pf @ 4v, 1MHz
VS-STPS30L60CWPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-STPS30L60CWPBF -
सराय
 ECAD 4077 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Stps30 schottky To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 800 एमवी @ 30 ए 480 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
GDZ16B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ16B-E3-18 0.0360
सराय
 ECAD 5307 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ16 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 50 ओम
BZG05C6V8-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C6V8-HE3-TR3 -
सराय
 ECAD 2201 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 4 वी 6.8 वी 3.5 ओम
SS2P5HM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P5HM3/84A 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2P5 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 80pf @ 4v, 1MHz
SL44HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sl44hm3_a/i 0.4300
सराय
 ECAD 5743 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SL44 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-SL44HM3_A/ITR Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 8 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 8 ए -
MBR30H35PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H35PT-E3/45 1.3321
सराय
 ECAD 8374 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR30 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 30 ए 730 mV @ 30 ए 150 µA @ 35 V -65 ° C ~ 175 ° C
SD103CW-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CW-G3-08 0.0612
सराय
 ECAD 5144 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SD103 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 @a @ 10 वी -55 ° C ~ 150 ° C 350ma 50pf @ 0v, 1MHz
440CMQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 440CMQ030 -
सराय
 ECAD 8473 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला To-244ab 440CMQ schottky To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *440CMQ030 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 220A 500 mV @ 220 ए 20 सना -55 ° C ~ 150 ° C
VS-8EWS16STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS16STRL-M3 1.6338
सराय
 ECAD 3529 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8EWS16 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS8EWS16STRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.1 वी @ 8 ए 50 µA @ 1600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
PLZ27A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz27a-hg3_a/h 0.3600
सराय
 ECAD 50 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C सतह rurcur Do-219ac PLZ27 ५०० तंग Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए २०० सवार @ २१ वी 27 वी 45 ओम
BZG05B9V1-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-HE3-TRE -
सराय
 ECAD 2313 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 6.8 V 9.1 वी 5 ओम
BZG05C56-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C56-HE3-TR -
सराय
 ECAD 2180 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सवार @ ४३ वी 56 वी 120 ओम
VS-SD400R16PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 400R16PC 106.5767
सराय
 ECAD 6275 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum SD400 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSSD400R16PC Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.62 वी @ 1500 ए -40 ° C ~ 190 ° C 400 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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