SIC
close

अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-ST303C10CFK0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST303C10CFK0 121.1758
सराय
 ECAD 4033 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C सराय To-200ab, ई-प ST303 TO-200AB (E-PUK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 1 केवी 1180 ए 3 वी 7950A, 8320A 200 एमए 2.16 वी 620 ए ५० सदा तंग
VSKD600-12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKD600-12 -
सराय
 ECAD 7436 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ३- VSKD600 तमाम मैगm-ए-rana ® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 1200 वी 600 ए 1.24 वी @ 1800 ए ५० सदा
VS-VSKN26/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN26/12 37.4700
सराय
 ECAD 9992 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Vskn26 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKN2612 Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 60 2.5 वी 400A, 420A १५० सना हुआ 27 ए 1 सरा
BZX84C6V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C6V2-G3-08 0.2700
सराय
 ECAD 6666 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6V2 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
VS-HFA30TA60CSL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA30TA60CSL-M3 1.1245
सराय
 ECAD 5459 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB HFA30 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 15 ए (डीसी) 2 वी @ 30 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
GP10QHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10QHE3/54 -
सराय
 ECAD 2799 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.2 वी @ 1 ए 3 μs 5 @ ए @ 1200 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
VS-HFA08SD60SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08SD60SPBF -
सराय
 ECAD 2095 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Hfa08 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 55 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
SML4731AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4731AHE3/5A -
सराय
 ECAD 5360 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4731 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 10 µa @ 1 वी 4.3 वी 9 ओम
BAT54-02V-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54-02V-G3-08 0.3200
सराय
 ECAD 6921 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 BAT54 schottky एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
VS-SD300C04C Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 300C04C 48.0967
सराय
 ECAD 1111 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर सराय DO-200AA, A-PUK SD300 तमाम DO-200AA, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 2.08 V @ 1500 ए 15 सना हुआ @ 400 वी 650A -
VS-113CNQ100ASLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-11CNQ100ASLPBF -
सराय
 ECAD 2410 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur -61-8-एसएल 113CNQ100 schottky -61-8-एसएल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-11CNQ100ASLPBFGI Ear99 8541.10.0080 400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 55 ए 1 वी @ 110 ए 1 पायल @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
VS-VSKL91/04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL91/04 42.0550
सराय
 ECAD 9620 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Vskl91 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsvskl9104 Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 400 वी 210 ए 2.5 वी 2000 ए, 2094 ए १५० सना हुआ 95 ए 1 सरा
V20PW15HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pw15hm3/i 0.5029
सराय
 ECAD 2128 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V20pw15 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.47 वी @ 20 ए 250 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए 950pf @ 4V, 1MHz
VS-71HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-71HF100 12.9792
सराय
 ECAD 8909 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 71HF100 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.35 V @ 220 ए 9 सना हुआ @ 1000 वी -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
VS-MUR1020CTPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MUR1020CTPBF -
सराय
 ECAD 8271 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 MUR1020 तमाम To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 5 ए 990 mV @ 5 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
MSQ1PJ-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Msq1pj-m3/h 1.2800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur तमाम MSQ1 तमाम Microsmp (DO-219AD) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 650 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 4pf @ 4v, 1MHz
SS8P4CHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss8p4chm3_a/i 0.2640
सराय
 ECAD 1655 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 4 ए 580 mV @ 4 ए 300 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N5239B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5239B-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5239 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 7 वी 9.1 वी 10 ओम
AZ23C39-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C39-E3-08 0.0415
सराय
 ECAD 8101 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी Az23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C39 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 29 वी 39 वी 90 ओम
GLL4742A-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4742A-E3/97 0.3168
सराय
 ECAD 9699 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4742 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
BZG05B11-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B11-E3-TR -
सराय
 ECAD 5703 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 500 NA @ 8.2 V 11 वी 8 ओम
MMBZ5238C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5238C-HE3-08 -
सराय
 ECAD 5657 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5238 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
VSKY10201406-G4-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSKY10201406-G4-08 0.4600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०५०२ Vsky10201406 schottky CLP1406-2L तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 100 µA @ 20 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 240pf @ 0v, 1MHz
BZX84B6V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B6V2-G3-08 0.0389
सराय
 ECAD 8195 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B6V2 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
VS-8TQ060-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ060-N3 -
सराय
 ECAD 7804 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 8TQ060 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-8TQ060-N3GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 720 mV @ 8 ए 50 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
VS-ST180S20P0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180S20P0 173.8275
सराय
 ECAD 9395 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से ST180 से -209AB (से 93) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 2 kv 314 ए 3 वी 5000 ए, 5230 ए १५० सना हुआ 1.75 वी 200 ए ३० सना हुआ तंग
VS-111RKI120M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-111RKI120M 113.6556
सराय
 ECAD 2268 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun 111RKI120 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS111RKI120M Ear99 8541.30.0080 25 200 एमए 1.2 केवी 172 ए 2 वी 1750 ए, 1830 ए 120 1.57 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
IRKL142/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL142/16 -
सराय
 ECAD 5244 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला इंट-ए-सेह (3 + 2) Irkl142 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *Irkl142/16 Ear99 8541.30.0080 3 200 एमए 1.6 केवी 310 ए 2.5 वी 4500 ए, 4712 ए १५० सना हुआ 140 ए 1 सरा
BYG22BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg22bhm3_a/i 0.2251
सराय
 ECAD 8357 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg22 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 2 ए 25 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
30BQ040TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30BQ040TR -
सराय
 ECAD 5078 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC 30bq040 schottky DO-214AB (SMC) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें