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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
V20150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150C-M3/4W 0.8037
सराय
 ECAD 2225 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 V20150 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 1.2 वी @ 10 ए 150 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-80APS16-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS16-M3 7.4621
सराय
 ECAD 4421 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 80aps16 तमाम To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vs80aps16m3 Ear99 8541.10.0080 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.17 वी @ 80 ए 100 µA @ 1600 वी -40 ° C ~ 150 ° C 80 ए -
SSA23LHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ssa23lhe3_a/h 0.1507
सराय
 ECAD 4841 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SSA23 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 2 ए 500 @a @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
10ETS12S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10ets12s -
सराय
 ECAD 8573 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10ets12 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *10ets12s Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.1 वी @ 10 ए 50 µa @ 1200 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VS-T70RIA100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70RIA100 33.7470
सराय
 ECAD 8554 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला -55 टी 70 कसना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1 केवी 110 ए 2.5 वी 1660 ए, 1740 ए 120 70 ए 1 सीन
SE40PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PD-M3/86A 0.2228
सराय
 ECAD 6395 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SE40 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 2 ए २.२ μs 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2.4 ए 28PF @ 4V, 1MHz
EGP20CHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20CHE3/54 -
सराय
 ECAD 4429 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT ईजीपी 20 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 2 ए 50 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 70pf @ 4v, 1MHz
V12PM12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pm12-m3/86a 0.8600
सराय
 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V12pm12 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 800 mV @ 12 ए 500 @a @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
SS36HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS36HE3_A/I -
सराय
 ECAD 3655 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SS36 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZT52B2V4-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V4-G3-18 0.0501
सराय
 ECAD 1124 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B2V4 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 2.4 वी 85 ओम
VSSAF5M12-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M12-M3/H 0.1238
सराय
 ECAD 6808 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS®, SLIMSMA ™ R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur Saf5m12 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 890 mV @ 5 ए 350 @a @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 5 ए 420pf @ 4v, 1MHz
VLZ4V7B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ4V7B-GS18 -
सराय
 ECAD 2244 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz4v7 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 6 µa @ 2 वी 4.68 वी 25 ओम
BYV28-200-RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-200-RAS15-10 0.7138
सराय
 ECAD 6786 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYV28 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 5 ए 30 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3.5A -
VS-300UR60A Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -300UR60A 50.1500
सराय
 ECAD 20 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum 300UR60 तंग, तमाम DO-205AB (DO-9) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.4 वी @ 942 ए 40 सना हुआ @ 600 वी -65 ° C ~ 200 ° C 300 ए -
VS-12TQ035STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12TQ035STRRRR-M3 0.6734
सराय
 ECAD 5787 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 12TQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 35 वें -55 ° C ~ 155 ° C 15 ए 900pf @ 5v, 1MHz
SMZJ3794BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3794bhm3_a/h 0.1815
सराय
 ECAD 8221 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3794 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 @a @ 12.2 V 16 वी 10 ओम
GLL4746-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4746-E3/97 0.2970
सराय
 ECAD 5396 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4746 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 13.7 V 18 वी 20 ओम
SS29HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS29HE3/5BT -
सराय
 ECAD 4767 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SS29 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 750 mV @ 1 ए 30 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
VS-40EPF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPF06-M3 6.8100
सराय
 ECAD 500 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 40epf06 तमाम To-247ac संशोधित तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 40 ए 180 एनएस 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 40 ए -
BZT55B10-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B10-GS18 0.0433
सराय
 ECAD 4142 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55B10 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
12CTQ045S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12CTQ045S -
सराय
 ECAD 1885 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 12CTQ schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 560 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 45 वें -55 ° C ~ 175 ° C
VS-SD200N20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD200N20PC 69.1300
सराय
 ECAD 5221 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर DO-205AC, DO-30, CHANTUS SD200 तमाम DO-205AC (DO-30) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2000 वी 1.4 वी @ 630 ए 15 सना हुआ @ 2000 वी -40 ° C ~ 180 ° C 200A -
EGP20G-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP20G-E3/54 0.9100
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT ईजीपी 20 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 2 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 2 ए 45pf @ 4v, 1MHz
VS-VSKD91/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD91/08 40.4200
सराय
 ECAD 7451 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) Vskd91 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 800 वी 50 ए 10 सना हुआ @ 800 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BYM07-100HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-100HE3_A/H -
सराय
 ECAD 1156 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213aa (गthama) BYM07 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम BYM07-100HE3_B/H Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.25 वी @ 500 एमए 50 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7PF @ 4V, 1MHz
20ETF06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF06 -
सराय
 ECAD 5645 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 20ETF06 तमाम TO-220AC तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 20 ए 160 एनएस 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
1N5618GPHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5618GPHE3/54 -
सराय
 ECAD 5987 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5618 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.2 वी @ 1 ए 2 µs 500 NA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 12v, 1MHz
RGL41MHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41MHE3/96 -
सराय
 ECAD 2331 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) Rgl41 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
MUR440-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR440-E3/73 -
सराय
 ECAD 8036 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun सिया 440 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.28 वी @ 4 ए 75 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 4 ए -
GIB1402-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1402-E3/81 0.7496
सराय
 ECAD 4607 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Gib1402 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

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