OnSemi का NTF3055-100T1G एक N-Channel पावर MOSFET है। SOT-223 में पैक किया गया, यह कम-वोल्टेज, हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन के लिए डिज़ाइन किया गया है। 25 डिग्री सेल्सियस पर 3.0 ए (1.4 ए पर 100 डिग्री सेल्सियस पर) और 9.0 ए के एक एकल -पल्स करंट के साथ, एक 60V नाली - स्रोत वोल्टेज और एक कम स्थिर नाली - स्रोत पर एक एकल - पल्स करंट के साथ - 110 मीटर का प्रतिरोध - 110 मीटर के प्रतिरोध के साथ, यह प्रभावी रूप से चालन नुकसान को कम करता है। यह पर्यावरणीय मानकों को पूरा करता है जैसे कि लीड - फ्री और आरओएचएस - आज्ञाकारी। NVF के साथ उपसर्ग किए गए डिवाइस मोटर वाहन और विशेष आवश्यकता अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, जो AEC - Q101 और PPAP क्षमताओं के साथ पारित करते हैं, उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करते हैं।
ONSEMI NTF3055-100T1Gसुविधाएँ
OnSemi NTF3055-100T1G के अनुप्रयोग
OnSemi के NTF3055-100T1G में कई क्षेत्रों में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है। पावर मैनेजमेंट फील्ड में, इसकी कम-प्रतिरोध विशेषता बिजली रूपांतरण के दौरान ऊर्जा के नुकसान को काफी कम कर सकती है। यह विभिन्न कम-वोल्टेज पावर मॉड्यूल के लिए उपयुक्त है, जो कुशल और स्थिर बिजली उत्पादन सुनिश्चित करता है। मोटर ड्राइव के संदर्भ में, इसकी उत्कृष्ट स्विचिंग विशेषताओं पर भरोसा करते हुए, यह मोटर की गति और दिशा को ठीक से नियंत्रित कर सकता है। यह छोटे बिजली उपकरण, मोटर वाहन शीतलन प्रशंसकों और अन्य उपकरणों पर लागू किया जा सकता है जिन्हें मोटर नियंत्रण में उच्च परिशुद्धता की आवश्यकता होती है। सिग्नल प्रोसेसिंग सर्किट में, इसका उपयोग उच्च-गति स्विचिंग तत्व के रूप में किया जा सकता है, जो संकेत परिवर्तनों के लिए जल्दी से जवाब देता है और कुशल सिग्नल स्विचिंग और प्रसंस्करण प्राप्त करता है। इसका उपयोग अक्सर संचार उपकरणों के सिग्नल मॉड्यूलेशन और डिमोड्यूलेशन सर्किट में किया जाता है। इसके अलावा, पर्यावरण संरक्षण मानकों के अनुपालन के कारण, यह स्मार्टफोन और टैबलेट जैसे उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादों के चार्जिंग सर्किट में भी भूमिका निभा सकता है, जो चार्जिंग प्रक्रिया की सुरक्षा और दक्षता सुनिश्चित करता है। चाहे यह प्रदर्शन, पर्यावरण संरक्षण, या अंतरिक्ष लेआउट के लिए आवश्यकताओं के साथ एक परिदृश्य हो, NTF3055-100T1G विश्वसनीय समाधान प्रदान कर सकता है।
OnSemi NTF3055-100T1G की विशेषताएं
स्थिति | सक्रिय | अनुपालन | पीबीएएचपी |
पैकेज प्रकार | SOT-223-4 / TO-261-4D | केस की रूपरेखा | 0.0318 |
एमएसएल प्रकार | 1 | एमएसएल अस्थायी (° C) | 260 |
कंटेनर प्रकार | रील | कंटेनर qty। | 1000 |
योजनापूर्ण | एन | चैनल ध्रुवीयता | n- चैनल |
विन्यास | अकेला | वी (बीआर) डीएसएस मिन (वी) | 60 |
वीजीएस मैक्स (वी) | 20 | वीजीएस (टीएच) अधिकतम (वी) | 4 |
आईडी मैक्स (ए) | 3 | पीडी मैक्स (डब्ल्यू) | 2.1 |
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 10 वी (एम () | 110 | क्यूजी टाइप @ वीजीएस = 10 वी (नेकां) | 11 |
सीआईएसएस टाइप (पीएफ) | 324 | मूल्य निर्धारण | $ 0.3569 |
ONSEMI NTF3055-100T1G का डेटशीट
ONSEMI NTF3055-100T1Gकी श्रेणी - MOSFETS
NTF3055-100T1G के समान MOSFET की खरीद पर विचार करते समय, इसके एन-चैनल की विशेषता यह निर्धारित करती है कि यह कम-साइड स्विचिंग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है। उदाहरण के लिए, पारंपरिक बिजली अनुप्रयोगों में जहां यह ग्राउंडेड है और लीड मुख्य लाइन वोल्टेज से जुड़ा हुआ है, यह डिवाइस स्विचिंग के लिए आवश्यक वोल्टेज ट्रांसमिशन को पूरा कर सकता है। NTF3055-100T1G के प्रदर्शन का मूल्यांकन करते समय, ऊपर वर्णित MOSFETs के परीक्षण के लिए सामान्य तरीकों को अपनाया जा सकता है। डायोड वोल्टेज ड्रॉप की जाँच करते समय, यदि मान 0.4V - 0.9V की सीमा से बाहर है, तो एक को सतर्क होना चाहिए कि डिवाइस दोषपूर्ण हो सकता है। प्रतिरोध का परीक्षण करते समय, नाली और स्रोत के बीच एक अपेक्षाकृत बड़ा प्रतिरोध प्रस्तुत किया जाना चाहिए। यदि परीक्षण के लिए एक डिजिटल मल्टीमीटर का उपयोग किया जाता है, तो मल्टीमीटर के स्रोत को नकारात्मक (-) लीड से जोड़ने जैसे चरणों का पालन करके, मेटल टेस्ट जांच घटकों और टर्मिनलों के साथ संपर्क से बचने के दौरान डिवाइस को पकड़े हुए, मल्टीमीटर के सकारात्मक लीड को गेट से जोड़ने के लिए, और इसके प्रदर्शन को पूरा करने के लिए एक छोटे से दबाव को लागू कर सकता है, एक प्रारंभिक इवैल्यूएशन, एक प्रारंभिक इवैल्यूमेंट को पूरा कर सकता है। आवेदन।
NTF3055-100T1G बनाम NTF6P02T3G
पार्ट्स |
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उत्पादक | पर | Onsemi |
पैकेट | SOT223 - 4 | एसओटी - 223 - 4 |
विवरण | तीन - पिन एसओटी - 223 एन - चैनल मोसफेट ट्रांजिस्टर एक 3 ए डीसी और 60 वी डीसी क्षमता के साथ | पी - चैनल मोसफेट ट्रांजिस्टरके साथ - 20V वोल्टेज रेटिंग,8.4 ए करंट,और 3 - पिन एसओटी - 223 |
भंडार | 1651 | 3875 |
भाग की स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
अनुपालन | पीबीएएचपी | पीबीएएचपी |
केस की रूपरेखा | 0.0318 | 0.0318 |
एमएसएल प्रकार | 1 | 1 |
एमएसएल अस्थायी (° C) | 260 | 260 |
कंटेनर प्रकार | रील | रील |
कंटेनर qty। | 1000 | 4000 |
योजनापूर्ण | एन | Y |
चैनल ध्रुवीयता | N - चैनल | पी - चैनल |
विन्यास | अकेला | अकेला |
वी (बीआर) डीएसएस मिन (वी) | 60 | - 20 |
वीजीएस मैक्स (वी) | 20 | 8 |
वीजीएस (टीएच) अधिकतम (वी) | 4 | - 1 |
आईडी मैक्स (ए) | 3 | - 10 |
पीडी मैक्स (डब्ल्यू) | 2.1 | 1.8 |
क्यूजी टाइप @ वीजीएस = 10 वी (नेकां) | 11 | 15 |
सीआईएसएस टाइप (पीएफ) | 324 | 900 |
मूल्य निर्धारण | $ 0.3599 | $ 0.5334 |
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 10 वी (एम () | 110 | - |
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 2.5 वी (एम () | - | 70 |
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 4.5 वी (एम () | - | 50 |
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