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ONSEMI NTF3055-100T1G+बम


OnSemi का NTF3055-100T1G एक N-Channel पावर MOSFET है। SOT-223 में पैक किया गया, यह कम-वोल्टेज, हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन के लिए डिज़ाइन किया गया है। 25 डिग्री सेल्सियस पर 3.0 ए (1.4 ए पर 100 डिग्री सेल्सियस पर) और 9.0 ए के एक एकल -पल्स करंट के साथ, एक 60V नाली - स्रोत वोल्टेज और एक कम स्थिर नाली - स्रोत पर एक एकल - पल्स करंट के साथ - 110 मीटर का प्रतिरोध - 110 मीटर के प्रतिरोध के साथ, यह प्रभावी रूप से चालन नुकसान को कम करता है। यह पर्यावरणीय मानकों को पूरा करता है जैसे कि लीड - फ्री और आरओएचएस - आज्ञाकारी। NVF के साथ उपसर्ग किए गए डिवाइस मोटर वाहन और विशेष आवश्यकता अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं, जो AEC - Q101 और PPAP क्षमताओं के साथ पारित करते हैं, उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करते हैं।

ONSEMI NTF3055-100T1Gसुविधाएँ

OnSemi का NTF3055-100T1G एक N-Channel पावर MOSFET है जो SOT-223 में पैक किया गया है और इसमें कई विशेषताएं हैं। यह कम-वोल्टेज, हाई-स्पीड स्विचिंग एप्लिकेशन, जैसे बिजली की आपूर्ति, कन्वर्टर्स, पावर मोटर नियंत्रण और ब्रिज सर्किट के लिए उपयुक्त है। इसकी निरंतर नाली धारा 25 ° C पर 3.0 A, 1.4 A पर 100 ° C पर है, और एक ही पल्स में 9.0 A तक पहुंच सकती है। ड्रेन-सोर्स वोल्टेज 60 वी है, और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस 110 M are जितना कम है, जो प्रभावी रूप से चालन नुकसान को कम कर सकता है।


NVF उपसर्ग के साथ उपकरण विशेष साइट और नियंत्रण परिवर्तन आवश्यकताओं के साथ मोटर वाहन और अन्य अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हैं। उन्होंने AEC-Q101 प्रमाणन पारित किया है और उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित करते हुए PPAP क्षमताएं हैं। इसी समय, यह लीड-फ्री और आरओएचएस मानकों को पूरा करता है, पर्यावरण संरक्षण आवश्यकताओं को पूरा करता है। इसके अलावा, इसमें कम स्विचिंग देरी समय के साथ उत्कृष्ट स्विचिंग विशेषताएं हैं। उदाहरण के लिए, ठेठ टर्न-ऑन देरी समय 20 एनएस है, और ठेठ टर्न-ऑफ देरी समय 45 एनएस है, जो तेजी से स्विचिंग क्रियाओं को सक्षम करता है और समग्र सर्किट प्रदर्शन को बढ़ाता है।

OnSemi NTF3055-100T1G के अनुप्रयोग

OnSemi के NTF3055-100T1G में कई क्षेत्रों में अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला है। पावर मैनेजमेंट फील्ड में, इसकी कम-प्रतिरोध विशेषता बिजली रूपांतरण के दौरान ऊर्जा के नुकसान को काफी कम कर सकती है। यह विभिन्न कम-वोल्टेज पावर मॉड्यूल के लिए उपयुक्त है, जो कुशल और स्थिर बिजली उत्पादन सुनिश्चित करता है। मोटर ड्राइव के संदर्भ में, इसकी उत्कृष्ट स्विचिंग विशेषताओं पर भरोसा करते हुए, यह मोटर की गति और दिशा को ठीक से नियंत्रित कर सकता है। यह छोटे बिजली उपकरण, मोटर वाहन शीतलन प्रशंसकों और अन्य उपकरणों पर लागू किया जा सकता है जिन्हें मोटर नियंत्रण में उच्च परिशुद्धता की आवश्यकता होती है। सिग्नल प्रोसेसिंग सर्किट में, इसका उपयोग उच्च-गति स्विचिंग तत्व के रूप में किया जा सकता है, जो संकेत परिवर्तनों के लिए जल्दी से जवाब देता है और कुशल सिग्नल स्विचिंग और प्रसंस्करण प्राप्त करता है। इसका उपयोग अक्सर संचार उपकरणों के सिग्नल मॉड्यूलेशन और डिमोड्यूलेशन सर्किट में किया जाता है। इसके अलावा, पर्यावरण संरक्षण मानकों के अनुपालन के कारण, यह स्मार्टफोन और टैबलेट जैसे उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादों के चार्जिंग सर्किट में भी भूमिका निभा सकता है, जो चार्जिंग प्रक्रिया की सुरक्षा और दक्षता सुनिश्चित करता है। चाहे यह प्रदर्शन, पर्यावरण संरक्षण, या अंतरिक्ष लेआउट के लिए आवश्यकताओं के साथ एक परिदृश्य हो, NTF3055-100T1G विश्वसनीय समाधान प्रदान कर सकता है।

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OnSemi NTF3055-100T1G की विशेषताएं

स्थितिसक्रियअनुपालनपीबीएएचपी
पैकेज प्रकारSOT-223-4 / TO-261-4Dकेस की रूपरेखा0.0318
एमएसएल प्रकार1एमएसएल अस्थायी (° C)260
कंटेनर प्रकाररीलकंटेनर qty।1000
योजनापूर्णएनचैनल ध्रुवीयताn- चैनल
विन्यासअकेलावी (बीआर) डीएसएस मिन (वी)60
वीजीएस मैक्स (वी)20वीजीएस (टीएच) अधिकतम (वी)4
आईडी मैक्स (ए)3पीडी मैक्स (डब्ल्यू)2.1
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 10 वी (एम ()110क्यूजी टाइप @ वीजीएस = 10 वी (नेकां)11
सीआईएसएस टाइप (पीएफ)324मूल्य निर्धारण$ 0.3569


ONSEMI NTF3055-100T1G का डेटशीट

 

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ONSEMI NTF3055-100T1Gकी श्रेणी - MOSFETS

OnSemi का NTF3055-100T1G, N-Channel पावर MOSFET के रूप में, एन्हांसमेंट-मोड MOSFETs की श्रेणी से संबंधित है और कई एप्लिकेशन परिदृश्यों में अपने अद्वितीय लाभों को प्रदर्शित करता है। विद्युत प्रदर्शन के संदर्भ में, जैसा कि पहले उल्लेख किया गया है, इसमें उत्कृष्ट नाली वर्तमान वहन क्षमता है। ड्रेन-सोर्स वोल्टेज भी सामान्य कम-वोल्टेज सर्किट के लिए उपयुक्त है, और इसके बेहद कम स्थिर नाली-स्रोत ऑन-प्रतिरोध यह चालन हानि के मामले में उल्लेखनीय रूप से अच्छा प्रदर्शन करता है, बिजली अनुप्रयोगों में MOSFET की उच्च दक्षता आवश्यकताओं को पूरा करता है। इसका SOT-223 पैकेजिंग फॉर्म न केवल आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लघुकरण की प्रवृत्ति के अनुरूप है, बल्कि विभिन्न सर्किट बोर्डों पर स्थापना की सुविधा भी देता है, जिससे कॉम्पैक्ट अनुप्रयोग संभव हो जाते हैं।


NTF3055-100T1G के समान MOSFET की खरीद पर विचार करते समय, इसके एन-चैनल की विशेषता यह निर्धारित करती है कि यह कम-साइड स्विचिंग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है। उदाहरण के लिए, पारंपरिक बिजली अनुप्रयोगों में जहां यह ग्राउंडेड है और लीड मुख्य लाइन वोल्टेज से जुड़ा हुआ है, यह डिवाइस स्विचिंग के लिए आवश्यक वोल्टेज ट्रांसमिशन को पूरा कर सकता है। NTF3055-100T1G के प्रदर्शन का मूल्यांकन करते समय, ऊपर वर्णित MOSFETs के परीक्षण के लिए सामान्य तरीकों को अपनाया जा सकता है। डायोड वोल्टेज ड्रॉप की जाँच करते समय, यदि मान 0.4V - 0.9V की सीमा से बाहर है, तो एक को सतर्क होना चाहिए कि डिवाइस दोषपूर्ण हो सकता है। प्रतिरोध का परीक्षण करते समय, नाली और स्रोत के बीच एक अपेक्षाकृत बड़ा प्रतिरोध प्रस्तुत किया जाना चाहिए। यदि परीक्षण के लिए एक डिजिटल मल्टीमीटर का उपयोग किया जाता है, तो मल्टीमीटर के स्रोत को नकारात्मक (-) लीड से जोड़ने जैसे चरणों का पालन करके, मेटल टेस्ट जांच घटकों और टर्मिनलों के साथ संपर्क से बचने के दौरान डिवाइस को पकड़े हुए, मल्टीमीटर के सकारात्मक लीड को गेट से जोड़ने के लिए, और इसके प्रदर्शन को पूरा करने के लिए एक छोटे से दबाव को लागू कर सकता है, एक प्रारंभिक इवैल्यूएशन, एक प्रारंभिक इवैल्यूमेंट को पूरा कर सकता है। आवेदन।

NTF3055-100T1G बनाम NTF6P02T3G


पार्ट्स

                      

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NTF3055-100T1G+बम

                  

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Ntf6p02t3g+बम

उत्पादकपरOnsemi
पैकेटSOT223 - 4एसओटी - 223 - 4
विवरणतीन - पिन एसओटी - 223 एन - चैनल मोसफेट ट्रांजिस्टर एक 3 ए डीसी और 60 वी डीसी क्षमता के साथ

पी - चैनल मोसफेट ट्रांजिस्टरके साथ - 20V वोल्टेज रेटिंग,8.4 ए करंट,और 3 - पिन एसओटी - 223

भंडार16513875
भाग की स्थितिसक्रियसक्रिय
अनुपालनपीबीएएचपीपीबीएएचपी
केस की रूपरेखा0.03180.0318
एमएसएल प्रकार11
एमएसएल अस्थायी (° C)260260
कंटेनर प्रकाररीलरील
कंटेनर qty।10004000
योजनापूर्णएनY
चैनल ध्रुवीयताN - चैनलपी - चैनल
विन्यासअकेलाअकेला
वी (बीआर) डीएसएस मिन (वी)60- 20
वीजीएस मैक्स (वी)208
वीजीएस (टीएच) अधिकतम (वी)4- 1
आईडी मैक्स (ए)3- 10
पीडी मैक्स (डब्ल्यू)2.11.8
क्यूजी टाइप @ वीजीएस = 10 वी (नेकां)1115
सीआईएसएस टाइप (पीएफ)324900
मूल्य निर्धारण$ 0.3599$ 0.5334
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 10 वी (एम ()110-
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 2.5 वी (एम ()-70
आरडीएस (ऑन) अधिकतम @ वीजीएस = 4.5 वी (एम ()-50

Sic के हॉट-सेलिंग उत्पाद

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  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम