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कनम (461)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय तमाम सवार तमाम अनुमोदन एजेंसी कन (अधिकतम) तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम वोलmuth re वोलmuth re पंकth -yauraunada S इंडक @ ktume सराफक रसीला R प rayrतिirोधirोध (ther) (अधिकतम अधिकतम) पtranama @
ACE1V2012-201-R Eaton - Electronics Division ACE1V2012-201-R 0.3571
सराय
 ECAD 7051 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ACE1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - 0.055 "(1.40 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-ACA1V2012-201-RTR Ear99 8548.00.0000 2,000 अमीर - 50 वी 2 330ma 350MOHM 200 वो @ 100 सरायम
ECMS1V0704-301-R Eaton - Electronics Division ECMS1V0704-301-R 0.4783
सराय
 ECAD 1565 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMS1V0704 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.295 "एल X 0.236" PARCAUTHU (7.50 मिमी x 6.00 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.150 "(3.80 मिमी) तंग 1 (असीमित) 283-ECMS1V0704-301-RTR Ear99 8548.00.0000 1,500 अफ़सीर - 80V 2 5 ए 10mohm ३०० @ @ १०
MFBW1V3216-090-R Eaton - Electronics Division MFBW1V3216-090-R 0.1000
सराय
 ECAD 850 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 4 ए 50mohm 9 @ @ 100 सराय
ACE1V3225-110-R Eaton - Electronics Division ACE1V3225-110-R 0.8700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ACE1V3225 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.098 "(2.50 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-ACA1V3225-110-RCT Ear99 8548.00.0000 1,000 अमीर - 80V 2 11 .H @ 100 kHz 300ma 400MOHM ५०० @ @ १० सारा
MFBW1V1005-070-R Eaton - Electronics Division MFBW1V1005-070-R 0.0055
सराय
 ECAD 7775 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V1005-070-RTR Ear99 8504.50.8000 10,000 - 1 800ma 40mohm 7 @ @ 100 सरायम
MFBA3V1608C-100-R Eaton - Electronics Division MFBA3V1608C-100-R 0.1000
सराय
 ECAD 7810 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA3V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव 0.037 "(0.95 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 - 1 700ma 200mohm १० @ @ @ १०
MFBW1V2012-150-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-150-R 0.1000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V2012-150-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 3 ए 30mohm १५ @ @ @ १०
MFBM1V1005-601-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1005-601-R 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 10,000 अफ़सीर 1 500ma 500mohm ६०० @ @ १०
ECMS1V0905-272-R Eaton - Electronics Division ECMS1V0905-272-R 1.0000
सराय
 ECAD 3741 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMS1V0905 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.374 "एल X 0.276" डब50 (9.50 मिमी x 7.00 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.189 "(4.80 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8548.00.0000 700 अफ़सीर - 80V 2 2 ए 80mohm 2.7 KOHMS @ 100 सारा
MFBM1V1608-501-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-501-R 0.1000
सराय
 ECAD 464 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 1.2 ए 180MOHM ५०० @ @ १०
MFBW1V2012-202-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-202-R 0.0216
सराय
 ECAD 4624 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V2012-202-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 300ma 500mohm 2 कोहमth @ @ 100 तंग
ACE1V4532-110-R Eaton - Electronics Division ACE1V4532-110-R 0.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ACE1V4532 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.177 "एल x 0.126" डबmuntugh (4.50 मिमी x 3.20 मिमी मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.118 "(3.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 500 अमीर - 50 वी 2 11 .H @ 100 kHz 250ma 600mohm 700 @ @ 10 सरायम
MFBM1V1005-121-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1005-121-R 0.1000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 10,000 अफ़सीर 1 800ma 150mohm १२० @ @ @ १०
ACE1V2012-681-R Eaton - Electronics Division ACE1V2012-681-R 0.3571
सराय
 ECAD 6862 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ACE1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.055 "(1.40 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-ACA1V2012-681-RTR Ear99 8548.00.0000 2,000 अमीर - 50 वी 2 220ma 800MOHM 680 K @ 100 सारा
MFBW1V3216-501-R Eaton - Electronics Division MFBW1V3216-501-R 0.0355
सराय
 ECAD 8557 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V3216-501-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 2 ए 200mohm ५०० @ @ १०
MFBM1V3216-300-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-300-R 0.1000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V3216-300-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 15mohm ३० @ @ १०० सींग
ECMS1V0704-141-R Eaton - Electronics Division ECMS1V0704-141-R 1.0900
सराय
 ECAD 77 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMS1V0704 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.295 "एल X 0.236" PARCAUTHU (7.50 मिमी x 6.00 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.150 "(3.80 मिमी) तंग 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 1,500 अफ़सीर - 80V 2 9 ए 10mohm 140 of @ 100 सराय
MFBW1V3216-700-R Eaton - Electronics Division MFBW1V3216-700-R 0.1000
सराय
 ECAD 181 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 3 ए 70MOHM 70 k @ 100 सरायम
ECMS1V0905-601-R Eaton - Electronics Division ECMS1V0905-601-R 1.1000
सराय
 ECAD 254 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMS1V0905 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.374 "एल X 0.276" डब50 (9.50 मिमी x 7.00 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.189 "(4.80 मिमी) तंग 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 700 अफ़सीर - 80V 2 5.5 ए 8MOHM ६०० @ @ १०
MFBW1V2012-300-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-300-R 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 3 ए 50mohm ३० @ @ १०० सींग
MFBM1V2012-501-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-501-R 0.1000
सराय
 ECAD 39 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 2 ए 100mohm ५०० @ @ १०
ECMT1V1714H-350-R Eaton - Electronics Division ECMT1V1714H-350-R 1.3025
सराय
 ECAD 8034 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMT1V17 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.669 "एल x 0.630" किलमग्यू (17.00 मिमी x 16.00 मिमी) होल के kaytaumauth से सराय, 4 वीं सभा - - 0.551 "(14.00 मिमी) तंग तंग 283-ECMT1V1714H-350-R Ear99 8548.00.0000 1,056 अफ़सीर 250V - 2 35 mH @ 1 kHz 500ma 2OHM
ECMT1V1714H-100-R Eaton - Electronics Division ECMT1V1714H-100-R 2.6500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMT1V17 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.669 "एल x 0.630" किलमग्यू (17.00 मिमी x 16.00 मिमी) होल के kaytaumauth से सराय, 4 वीं सभा - - 0.551 "(14.00 मिमी) तंग तंग 283-ECMT1V1714H-100-R Ear99 8548.00.0000 1,056 अफ़सीर 250V - 2 10 mH @ 1 kHz 1.2 ए 600mohm
MFBA2V2012P-111-R Eaton - Electronics Division MFBA2V2012P-111-R 0.1000
सराय
 ECAD 9855 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव 0.041 "(1.05 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 - 1 5 ए 13MOHM ११० @ @ @ १०
MFBM1V1608-090-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-090-R 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 20mohm 9 @ @ 100 सराय
MFBW1V3216-260-R Eaton - Electronics Division MFBW1V3216-260-R 0.0315
सराय
 ECAD 4509 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V3216-260-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 3 ए 50mohm २६ @ @ १०
MFBA3V1608K-151-R Eaton - Electronics Division MFBA3V1608K-151-R 0.1000
सराय
 ECAD 2637 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA3V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव 0.037 "(0.95 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 - 1 600ma 250mohm १५० @ @ १०० तंग
CMS3-6-R Eaton - Electronics Division CMS3-6-r 5.1300
सराय
 ECAD 826 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 160 ° C - 0.450 "of x 0.450" डब extum (11.43 मिमी x 11.43 मिमी) सतह rurcur कmun, 4 पीसी पैड - - 0.236 "(6.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 600 अफ़सीर - - 2 217 .H @ 100 kHz 2.85a 20MOHM
ECMT1V2429S-150-R Eaton - Electronics Division ECMT1V2429S-150-R 3.1512
सराय
 ECAD 9217 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। ECMT1V24 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C - 0.945 "एल X 0.787" डबmutum (24.00 मिमी x 20.00 मिमी) होल के kaytaumauth से सराय, 4 वीं सभा - - 1.142 ”(29.00 मिमी) तंग तंग 283-ECMT1V2429S-150-R Ear99 8548.00.0000 448 अफ़सीर 250V - 2 15 mH @ 1 kHz 1 क 600mohm
MFBW1V2012-152-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-152-R 0.1000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 300ma 500mohm 1.5 KOHMS @ 100 सारा
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