SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम आवृतmus - सthव kanause सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक रन (amps) सरायम तमाम तमाम सराफक - अंठल (इसात) R प rayrतिirोध (ther) Q @ freq इंडकth -lect -ति
CIH03Q1N0CNC Samsung Electro-Mechanics CIH03Q1N0CNC -
सराय
ECAD 1545 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 10GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ४ ९ ० अफ़सस - 1 एनएच - 90MOHM मैक 13 @ 500MHz ५०० तंग
CIG21W1R5MNE Samsung Electro-Mechanics CIG21W1R5MNE -
सराय
ECAD 2176 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG21W R टेप ray ryील (ther) शिर ± 25% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) एक प्रकार का - तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.4000 3,000 960 अराय सरायम - 1.5 µh - 150mohm - 1 सराय
CIH03T24NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T24NJNC -
सराय
ECAD 2999 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 1.8GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 100 सवार अफ़सस - 24 एनएच - 1.6OHM मैक 5 @ 100MHz 100 सराय
CIH03T33NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T33NJNC -
सराय
ECAD 2109 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 1.7GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ५० सदा अफ़सस - 33 एनएच - 2.1OHM मैक 4 @ 100mHz 100 सराय
CIH03T68NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T68NJNC -
सराय
ECAD 2075 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 1.05GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ५० सदा अफ़सस - 68 एनएच - 3OHM मैक 5 @ 100MHz 100 सराय
CIH03T82NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T82NJNC -
सराय
ECAD 8155 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 900MHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ५० सदा अफ़सस - 82 एनएच - 4OHM मैक 5 @ 100MHz 100 सराय
CIH05T1N8CNC Samsung Electro-Mechanics CIH05T1N8CNC -
सराय
ECAD 7742 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का 6ghz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ३०० सना हुआ अफ़सस - 1.8 एनएच - 140MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
CIH05T5N6CNC Samsung Electro-Mechanics CIH05T5N6CNC -
सराय
ECAD 6100 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का 4GHZ - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ३०० सना हुआ अफ़सस - 5.6 एनएच - 270MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
CIH10T4N7SNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T4N7SNC -
सराय
ECAD 4289 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 4GHZ तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 800 सना हुआ अफ़सस - 4.7 एनएच - 160MOHM मैक 10 @ 100mHz 100 सराय
CIGT201210UH1R5MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT201210UH1R5MNE -
सराय
ECAD 1097 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) पतली फिल - - 0805 (2012 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 2.1 ए अफ़सस तंग 1.5 µh 2.6 ए 97MOHM मैक - 1 सराय
CIL10J3R9KNC Samsung Electro-Mechanics CIL10J3R9KNC -
सराय
ECAD 2091 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIL10 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.037 "(0.95 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - - 36MHz ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 15 सना हुआ सरायम तड़प 3.9 µh - 1.7OHM मैक 35 @ 10MHz 10 सराय
CIGT252010EH1R0MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT252010EH1R0MNE 0.2800
सराय
ECAD 162 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) पतली फिल - - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 4.1 ए अफ़सस तंग 1 µh 5 ए 30MOHM मैक - 1 सराय
CIH10T22NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T22NJNC -
सराय
ECAD 2712 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 1.6GHz तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ५०० सना हुआ अफ़सस - 22 एनएच - 400MOHM मैक 12 @ 100mHz 100 सराय
CIH02T2N6BNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T2N6BNC -
सराय
ECAD 5648 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.1NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 7GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 200 एमए अफ़सस - 2.6 एनएच - 800MOHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIGW201610GL1R0MLE Samsung Electro-Mechanics CIGW201610GL1R0MLE -
सराय
ECAD 3471 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 0806 (2016 के लिए) तेरम - - 0806 (2016 के लिए) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 3.4 ए सरायम तंग 1 µh 2.9a 49MOHM मैक - 1 सराय
CIH10T1N5SNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T1N5SNC -
सराय
ECAD 2059 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 6ghz तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 800 सना हुआ अफ़सस - 1.5 एनएच - 100mohm अधिकतम 8 @ 100MHz 100 सराय
CIL21NR56KNE Samsung Electro-Mechanics CIL21NR56KNE -
सराय
ECAD 9989 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक Cil21 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.057 "(1.45 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) - - 115MHz 0805 (2012 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 १५० सना हुआ सरायम तड़प 560 एनएच - 500MOHM मैक 25 @ 25MHz २५ सभा
CIL10NR82KNC Samsung Electro-Mechanics CIL10NR82KNC -
सराय
ECAD 3054 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIL10 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.037 "(0.95 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - - 75MHz ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ३५ सना हुआ सरायम तड़प 820 एनएच - 2.1OHM मैक 15 @ 25MHz २५ सभा
CIH02T2N1CNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T2N1CNC -
सराय
ECAD 7243 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 8GHZ ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 200 एमए अफ़सस - 2.1 एनएच - 700MOHM SAUTUNE 2 @ 100MHz 100 सराय
CIGT252010LMR47MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT252010LMR47MNE 0.2500
सराय
ECAD 39 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) पतली फिल - - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 4.2 ए अफ़सस तंग 470 एनएच 6 ए 29MOHM मैक - 1 सराय
CIH03T1N8SNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T1N8SNC -
सराय
ECAD 2448 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 10GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 200 एमए अफ़सस - 1.8 एनएच - 190MOHM मैक 4 @ 100mHz 100 सराय
CIGT252008LM2R2MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT252008LM2R2MNE 0.2500
सराय
ECAD 236 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) पतली फिल - - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 2 ए अफ़सस तंग 2.2 ग्रोन 2.1a 97MOHM मैक - 1 सराय
CIH02T1N0SNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T1N0SNC -
सराय
ECAD 7186 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 10GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 २५० सना हुआ अफ़सस - 1 एनएच - 400MOHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIH02T3N4CNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T3N4CNC -
सराय
ECAD 8166 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 6.5GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 180 सना हुआ अफ़सस - 3.4 एनएच - 1.1OHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIGW252010EH4R7SNE Samsung Electro-Mechanics CIGW252010EH4R7SNE -
सराय
ECAD 4158 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) - सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) तेरम - - 1008 (2520 पचुर) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 सरायम तंग 4.7 µh - - - 1 सराय
CIGT201210UM1R0MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT201210UM1R0MNE -
सराय
ECAD 9992 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) - सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) पतली फिल - - 0805 (2012 पचुर) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 सरायम तंग 1 µh - - - 1 सराय
CIH03T1N2CNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T1N2CNC -
सराय
ECAD 2089 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 10GHz - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 २५० सना हुआ अफ़सस - 1.2 एनएच - 140MOHM मैक 4 @ 100mHz 100 सराय
CIG22B1R5MNE Samsung Electro-Mechanics CIG22B1R5MNE -
सराय
ECAD 1152 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG22B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) एक प्रकार का - - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 1.15 ए सरायम - 1.5 µh - 148MOHM - 1 सराय
CIGT201208EM1R0SNE Samsung Electro-Mechanics CIGT201208EM1R0SNE -
सराय
ECAD 9403 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.031 "(0.80 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) पतली फिल - - 0805 (2012 पचुर) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 सरायम तंग 1 µh - - - 1 सराय
CIGT252010TM1R0MLE Samsung Electro-Mechanics CIGT252010TM1R0MLE 0.1584
सराय
ECAD 7451 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) पतली फिल - - 1008 - 1 (असीमित) तमाम 1276-CIGT252010TM1R0MLETR Ear99 8504.50.8000 3,000 5 ए सरायम तंग 1 µh 5.3a 23MOHM मैक - 1 सराय
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम