SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS22TF128G-JCLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JCLA1-TR 73.8150
सराय
ECAD 5808 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF128G-JCLA1-TRE 2,000 २०० सराय सराय 1tbit चमक 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS25LP064D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JKLE 1.3549
सराय
ECAD 4254 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP064D-JKLE 570 १६६ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS25WP064D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JBLE 1.3626
सराय
ECAD 2143 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP064D-JBLE 90 १६६ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS43TR16640ED-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-125KBLI-TR 5.4170
सराय
ECAD 3361 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR16640ED-125KBLI-TR 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16512BL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1-TRA 21.6125
सराय
ECAD 4230 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR 2,000 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EFBLL-10TLI-TRE 2.8969
सराय
ECAD 8236 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR 1,000 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 10NS
IS43LQ16256AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256AL-062BLI -
सराय
ECAD 5085 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16256AL-062BLI 136 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL -
IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA1-TRA 9.5760
सराय
ECAD 9697 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS61WV6416EEBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-8TLI 2.3255
सराय
ECAD 6337 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI 135 सराय 1mbit 8 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 8NS
IS25LP040E-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLA3 0.5163
सराय
ECAD 5187 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP040E-JNLA3 100 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 40s, 1.2ms
IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-104NLI-TRE 2.1457
सराय
ECAD 2540 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस तड़प 2 सींग x 8 SPI, QPI -
IS66WVO32M8DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvo32m8dall-200bli-tr 4.4904
सराय
ECAD 2996 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI-TR 2,500 २०० सराय सराय 256Mbit तड़प 32 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 40NS
IS46TR16640ED-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA3-TRA -
सराय
ECAD 8032 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16640ED-125KBLA3-TR 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 Sstl_15 15NS
IS61WV5128FBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128FBLL-10TLI-TRE 2.2048
सराय
ECAD 5531 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV5128FBLL-10TLI-TR 1,000 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS62WVS5128GALL-30NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GALL-30NLI 4.5292
सराय
ECAD 1307 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Sram - सिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS62WVS5128GALL-30NLI 100 30 सराय सराय 4Mbit 23 एनएस शिर 512K x 8 Spi - कthamay i/o, sdi -
IS46LQ32256A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA1 22.5750
सराय
ECAD 8978 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32256A-062BLA1 136 1.6 GHz सराय 8gbit 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x ३२ LVSTL 18NS
IS43LR16640C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BLI-TR 7.1820
सराय
ECAD 5302 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LR16640C-6BLI-TR 2,000 १६६ सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43QR16512A-075VBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBLI-TRE 17.8087
सराय
ECAD 1163 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((10x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43QR16512A-075VBLI-TR 2,000 १.३३३ सरायम सराय 8gbit 18 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
IS46LD32640B-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA2 -
सराय
ECAD 5178 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32640B-25BLA2 1 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS25LX256-LHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX256-LHLE 5.1400
सराय
ECAD 240 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए चमक 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LX256-LHLE 480 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस चमक 32 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 1.8ms
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10BLI-TRE 2.1688
सराय
ECAD 2304 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR 2,500 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS66WVS2M8BLL-104NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-104NLI 3.3300
सराय
ECAD 390 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Is66wvs2m8 Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI 3A991B2A 8542.32.0041 100 १०४ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस तड़प 2 सींग x 8 SPI, QPI -
IS46TR16640BL-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA3-TRA -
सराय
ECAD 1598 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तमाम -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46LQ32128AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062BLA2-TRA -
सराय
ECAD 8205 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32128AL-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS25LP020E-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3 0.4819
सराय
ECAD 2487 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक * शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP020E-JNLA3 100
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EBLL-70BLI 4.7200
सराय
ECAD 20 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Is66wve4m16 Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1547 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
IS43TR16640B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125KBL-TR -
सराय
ECAD 6334 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तमाम 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16640B-125KBL-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61NLP102418B-200B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200B3L-TR 13.8630
सराय
ECAD 6459 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS43R16320D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TLI-TR 7.8600
सराय
ECAD 8458 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32200E-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BI -
सराय
ECAD 8795 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर तमाम -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम