SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS49RL18320-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125EBLI -
सराय
ECAD 9900 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-LBGA IS49RL18320 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 119 800 तंग सराय 576MBIT 10 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
IS25CD512-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JNLE-TRE -
सराय
ECAD 9672 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25CD512 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 एसपीआई 5ms
IS43TR16128C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-107MBLI-TR -
सराय
ECAD 2125 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 2 जीबिट 195 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61WV25616EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDALL-20BLI 5.1733
सराय
ECAD 8382 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 20 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 20NS
IS62WVS2568GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS2568GBLL-45NLI 2.5369
सराय
ECAD 4194 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Sram - सिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 8-हुक - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI 100 ४५ तंग सराय 2mbit 15 एनएस शिर 256K x 8 Spi - कthamay i/o, sdi -
IS62WV25616DALL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TLI -
सराय
ECAD 9279 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS25LQ025B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JULE -
सराय
ECAD 5346 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran IS25LQ025 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LQ025B-JULETR Ear99 8542.32.0071 5,000 १०४ सराय सराय 256kbit 8 एनएस चमक 32K x 8 सवार 800 ओएफएस
IS46LQ32640AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA2 -
सराय
ECAD 7726 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA2 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS43TR85120B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBL 6.1353
सराय
ECAD 5511 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR85120B-125KBL 242 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS46DR16320E-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1-TR 4.5063
सराय
ECAD 7398 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61QDP2B21M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B21M18A-333M3L 44.1540
सराय
ECAD 6117 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdp2 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ३३३ सरायम सराय 18mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS46LQ32256AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1-TR1-TR1 21.2800
सराय
ECAD 5942 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32256AL-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 8gbit 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x ३२ LVSTL 18NS
IS25LP032D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JNLE-TRE 1.2100
सराय
ECAD 6 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Is25lp032 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS61LF12836A-7.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5B2I -
सराय
ECAD 3615 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61LF12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 सराय सराय 4.5mbit 7.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS43TR82560D-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-107MBL 4.6106
सराय
ECAD 6114 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर IS43TR82560 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Q12358570 Ear99 8542.32.0036 242
IS43TR16256A-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBLI-TR -
सराय
ECAD 3743 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS46R86400D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6BLA1-TR 9.3450
सराय
ECAD 9722 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS62C256AL-25ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-25ULI-TR 1.1969
सराय
ECAD 7139 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-SHIC (0.330 ", 8.38 मिमी antake) IS62C256 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 28-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 256kbit 25 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 25NS
IS25WP080D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE-TRE 0.5836
सराय
ECAD 7686 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25WP080 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRE 10.8000
सराय
ECAD 2084 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS64LF12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 सराय सराय 4.5mbit 7.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS42S16800E-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETL -
सराय
ECAD 3635 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS42RM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BLI-TR 4.2627
सराय
ECAD 4630 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32400 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS25LP256H-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-JLLE 3.6663
सराय
ECAD 2675 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP256H-JLLE 480 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS62WV25616EBLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-55TLI-TR -
सराय
ECAD 7921 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
IS25WP032A-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wp032a-jkle -
सराय
ECAD 2824 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana Is25wp032 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 570 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS62WV12816BLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-45TLI 3.2692
सराय
ECAD 3887 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS61NVF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-7.5B3I-TR -
सराय
ECAD 3812 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVF102418 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42RM16800H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-75BLI 4.4684
सराय
ECAD 2870 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42RM16800 Sdram - ranak 2.3V ~ 2.7V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S16100H-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7TL-TR 1.0540
सराय
ECAD 2168 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS61WV20488FBLL-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-8TLI 10.1210
सराय
ECAD 5210 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV20488FBLL-8TLI 135 सराय 16Mbit 8 एनएस शिर 2 सींग x 8 तपस्वी 8NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम