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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS49NLC93200A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25EWBL 29.0237
सराय
ECAD 8427 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLC93200A-25EWBL 104 ४०० सराय सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 32 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS61LV25616AL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BI-TR -
सराय
ECAD 3170 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61LV25616 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS43R86400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BLI-TR 8.4600
सराय
ECAD 9516 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS46TR16128CL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-15HBLA2-TR 6.5574
सराय
ECAD 7979 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S16400J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TLI-TR 1.6792
सराय
ECAD 8341 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S16100E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7BL -
सराय
ECAD 3434 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 286 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS21TF16G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JQLI 33.9200
सराय
ECAD 8464 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Is21tf16g फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF16G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 २०० सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
IS61QDPB41M36A-450M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-450M3I -
सराय
ECAD 3591 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdpb41 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ४५० सराय सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS61LPS204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204836B-166TQLI 114.4219
सराय
ECAD 8065 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS204836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १६६ सराय सराय 72MBIT 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS42RM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BLI 10.7025
सराय
ECAD 4408 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32160 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS43TR81280CL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBLI 3.8222
सराय
ECAD 3150 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR81280CL-125JBLI Ear99 8542.32.0032 242 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS46TR16256AL-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25 -
सराय
ECAD 4967 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 115 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16256AL-125KBLA25 Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS45S32200E-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA2 -
सराय
ECAD 1792 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १४३ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR -
सराय
ECAD 5809 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS65WV1288 Sram - सिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR Ear99 8542.32.0041 1,500 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 55NS
IS42S32160B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6BLI-TR -
सराय
ECAD 6454 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-WBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS49RL36320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-093EBLI 129.6426
सराय
ECAD 4657 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-LBGA Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49RL36320-093EBLI 119 1.066 GHz सराय 1.152GBIT 8 एनएस घूंट 32 सिया x 36 तपस्वी -
IS42S83200J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7TL 2.9802
सराय
ECAD 8175 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS42VM32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400G-6BLI-TR -
सराय
ECAD 9404 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42VM32400 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS42S16160D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75EBLI-TR -
सराय
ECAD 1064 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS43DR16160A-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBI -
सराय
ECAD 1226 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 209 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46LD32128A-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1 -
सराय
ECAD 8575 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS46LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32128A-18BPLA1 शिर 1 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS62WV6416BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55TLI 2.2900
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV6416 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 135 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 55NS
IS61NLP12836B-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200B2LI -
सराय
ECAD 8955 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61NLP12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS42S16320B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TL -
सराय
ECAD 6092 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS61DDB451236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB451236A-2550M3L 32.3796
सराय
ECAD 9104 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB451236 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 २५० तंग सराय 18mbit शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS42S32400D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7B -
सराय
ECAD 6072 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS61LV12816L-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10BI -
सराय
ECAD 2077 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61LV12816 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 10NS
IS61C5128AS-25QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25QLI-TR 3.4742
सराय
ECAD 8657 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) IS61C5128 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 25 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 25NS
IS45S32400E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1 -
सराय
ECAD 9982 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS42RM32800E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI-TR 8.6727
सराय
ECAD 5735 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम