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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS46DR16640C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA2-TR 5.9400
सराय
ECAD 1230 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,500 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42VM16160E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160E-6BLI-TR -
सराय
ECAD 5681 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16160 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32400B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BLI-TR -
सराय
ECAD 3292 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS43R16160F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TLI 3.0344
सराय
ECAD 2438 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42SM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI -
सराय
ECAD 1200 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42SM32400 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १३३ सराय सराय 128Mbit 6 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS43QR85120B-083RBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBLI-TR 9.5494
सराय
ECAD 3476 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR 2,000 1.2 GHz सराय 4 जीबिट 19 एनएस घूंट 512M x 8 पॉड 15NS
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI 10.0900
सराय
ECAD 3 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 171 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV51216ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BLI 7.1992
सराय
ECAD 9435 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-Minibga (7.2x8.7) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 312 सराय 8mbit 70 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 70NS
IS61LPD25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD25636A-200TQLI-TR 12.7500
सराय
ECAD 6034 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPD25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS25LP032D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE -
सराय
ECAD 8681 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) Is25lp032 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 44 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS42S16160B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TLI -
सराय
ECAD 5628 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR16640B-15GBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-11GBLA1-TR -
सराय
ECAD 4950 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61LPS51236A-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3LI-TRE -
सराय
ECAD 6311 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPS51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBLI 6.2200
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1557 Ear99 8542.32.0028 209 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS63LV1024-8KI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KI -
सराय
ECAD 5111 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS63LV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V 32-सोज तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 21 सराय 1mbit 8 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 8NS
IS42S16100E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TL-TR -
सराय
ECAD 8393 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १६६ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS25LQ010A-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010A-JDLE -
सराय
ECAD 9125 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) IS25LQ010 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-TSSOP - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 80 सराय सराय 1mbit चमक 128K x 8 सवार 400 ओएफएस
IS61LF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I-TR -
सराय
ECAD 7597 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3I-TR -
सराय
ECAD 7807 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVP51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS61NLP51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200TQLI-TR 13.9821
सराय
ECAD 2127 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS43R83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-6TL -
सराय
ECAD 5624 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS25LQ016B-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JLLE-TRE -
सराय
ECAD 2851 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25LQ016 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 1ms
IS62WV102416BLL-25TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25TLI-TRE 18.0000
सराय
ECAD 8007 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS62WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 16Mbit 25 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 25NS
IS43LD16128B-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BLI 11.0516
सराय
ECAD 3175 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 171 ४०० सराय सराय 2 जीबिट घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61NLF25672-7.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-7.5B1I-TR -
सराय
ECAD 9146 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NLF25672 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS42SM32100C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32100C-6BLI -
सराय
ECAD 6355 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM32100 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १६६ सराय सराय 32Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 32 तपस्वी -
IS46LR32160C-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA2 12.4533
सराय
ECAD 3246 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 12NS
IS41C16257C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16257C-35TLI -
सराय
ECAD 6981 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-त्सप (0.400 ", 10.16 मिमी rana), 40 लीड IS41C16257 DRAM - FP 4.5V ~ 5.5V 40- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 135 सराय 4Mbit 18 एनएस घूंट 256K x 16 तपस्वी -
IS46QR81024A-083TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-083TBLA2-TRA 19.6175
सराय
ECAD 9373 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46QR81024A-083TBLA2-TR 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit 18 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS49NLC18160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-25BL -
सराय
ECAD 9364 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम