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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS43DR16160A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBLI-TR -
सराय
ECAD 9256 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TLI-TR -
सराय
ECAD 8694 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
सराय
ECAD 6153 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 156 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS21ES08G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI -
सराय
ECAD 2600 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21es08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1641 3A991B1A 8542.32.0071 152 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 ईएमएमसी -
IS42S16320F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6BL-TR 10.7700
सराय
ECAD 8496 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 167 अय्यर सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS61NVF25672-6.5B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1-TR -
सराय
ECAD 5218 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NVF25672 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS43R16160D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TLI-TR 3.7555
सराय
ECAD 2430 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42RM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI 9.2729
सराय
ECAD 5441 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS42S32800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7B-TR -
सराय
ECAD 7936 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS62WV25616DBLL-45TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TI -
सराय
ECAD 1700 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
IS61LV12824-8BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61lv12824-8bl-tr -
सराय
ECAD 7073 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए IS61LV12824 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 3mbit 8 एनएस शिर 128K x 24 तपस्वी 8NS
IS42S16400D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TL-TR -
सराय
ECAD 5396 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS61VPS51236B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-2550B3LI 17.0617
सराय
ECAD 8103 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPS51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS25WQ020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JVLE-TRE -
सराय
ECAD 7359 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25WQ020 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-वीवीएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,500 १०४ सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 1ms
IS25LP064D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLA3-TRE 1.5948
सराय
ECAD 9146 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP064D-JBLA3-TRE 2,000 १६६ सराय सराय 64mbit 6.5 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 40s, 800 और
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1 -
सराय
ECAD 3752 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 242 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS42S32800B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL -
सराय
ECAD 3731 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS42RM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI -
सराय
ECAD 9542 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS65LV256AL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65LV256AL-45TLA3-TR 2.7498
सराय
ECAD 9124 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 28-TSSOP (0.465 ", 11.80 मिमी antau IS65LV256 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 28-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 2,000 सराय 256kbit 45 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 45NS
IS42S32160F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI 13.0430
सराय
ECAD 3253 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 167 अय्यर सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS61NVP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1-TR -
सराय
ECAD 5011 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NVP25672 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS62C5128EL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45QLI 3.5516
सराय
ECAD 7679 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-एसओपी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62C5128EL-45QLI 84 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS61NVP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI-TR -
सराय
ECAD 4627 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NVP204836 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १६६ सराय सराय 72MBIT 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS62WV12816EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55BLI 2.7843
सराय
ECAD 5817 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS43LQ32640A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640A-062BLI -
सराय
ECAD 5086 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ32640A-062BLI 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS61NVP51236-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200TQLI -
सराय
ECAD 7240 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NVP51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS34ML04G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G084-TLI-TR 8.4321
सराय
ECAD 8452 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Is34ml04 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 4 जीबिट 25 एनएस चमक 512M x 8 तपस्वी 25NS
IS43DR16320E-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL-TR 2.2990
सराय
ECAD 1458 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 84-TFBGA SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43DR16320E-3DBL-TR 2,500 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 Sstl_18 15NS
IS43R16160D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TLI-TR 3.5735
सराय
ECAD 2990 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16128BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA2 -
सराय
ECAD 5323 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम