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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS43DR16640B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI 8.9400
सराय
ECAD 209 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1277 Ear99 8542.32.0032 209 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL 5.8712
सराय
ECAD 6958 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 242 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS61NVF102418-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5B3I -
सराय
ECAD 8598 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NVF102418 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS46R16320E-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-5BLA1 8.2846
सराय
ECAD 8630 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLC93200-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-33BI -
सराय
ECAD 7136 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
IS61VPD51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3 -
सराय
ECAD 8309 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPD51236 Sram - कthama theircut 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-125KBLA2-TR 7.2904
सराय
ECAD 9549 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32800G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL 7.3485
सराय
ECAD 4267 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS25LX128-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lx128-jhla3 3.7731
सराय
ECAD 4997 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS25LX128 चमक 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LX128-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ -
IS61NLP204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204836B-166TQLI-TR 98.0000
सराय
ECAD 5233 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP204836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १६६ सराय सराय 72MBIT 3.8 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS46TR16128BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA2 -
सराय
ECAD 5323 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BLI -
सराय
ECAD 9699 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS25LP256D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JLLE-TRE 3.4650
सराय
ECAD 4590 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25LP256 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS43DR81280B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL 5.0116
सराय
ECAD 2916 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 242 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS43LQ16128AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062TBLI 9.7726
सराय
ECAD 2995 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16128AL-062TBLI 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS63LV1024-8KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is63lv1024-8ki-tr -
सराय
ECAD 5264 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS63LV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V 32-सोज तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 800 सराय 1mbit 8 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 8NS
IS41LV16105B-50TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50TL-TR -
सराय
ECAD 5628 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS45S32800J-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-7TLA1 7.9025
सराय
ECAD 5132 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS61LV2568L-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-8TL -
सराय
ECAD 6782 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV2568 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 8 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी 8NS
IS42S32800J-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BLI-TRE 5.8950
सराय
ECAD 5820 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI-TR 7.1194
सराय
ECAD 3318 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 १३३ सराय सराय 4.5mbit 6.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS61NLP51236-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250TQLI -
सराय
ECAD 3504 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS25WP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILE-TR 10.6799
सराय
ECAD 5173 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-एलबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WP01G-RILE-TRE 2,500 १०४ सराय सराय 1gbit 10 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS42S32400F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BL-TR 4.2932
सराय
ECAD 9659 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS43R86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI 5.9099
सराय
ECAD 9147 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS62WV12816BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BLI 2.2578
सराय
ECAD 7862 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 55NS
IS49RL18320-093BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-093BL -
सराय
ECAD 5897 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 168-LBGA IS49RL18320 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-FBGA (13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz सराय 576MBIT 10 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
IS45S32400F-7BA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7BA25 -
सराय
ECAD 3413 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS45S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS45S32400F-7BA25 शिर 240 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M36A-300M3L 74.4172
सराय
ECAD 9459 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB42 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 ३०० तंग सराय 72MBIT शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS61NLP12836B-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQI -
सराय
ECAD 3810 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम