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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS42S16160J-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL 3.5400
सराय
ECAD 157 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS63WV1288DBLL-10HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10HLI 1.8062
सराय
ECAD 7731 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी ranak) IS63WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 234 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
IS42S32160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BLI 15.8300
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 167 अय्यर सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS61LPS12836A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200TQI -
सराय
ECAD 7888 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS61LF12836A-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-6.5TQLI 8.3815
सराय
ECAD 1416 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LF12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १३३ सराय सराय 4.5mbit 6.5 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS43LD16640A-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BL -
सराय
ECAD 9054 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1354 Ear99 8542.32.0002 171 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46R86400D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6TLA1-TR 8.6250
सराय
ECAD 5054 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS46R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS49NLC36800-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25BLI -
सराय
ECAD 5203 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC36800 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 8 सिया x 36 तपस्वी -
IS49NLC36800A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25EWBL 29.0237
सराय
ECAD 5037 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLC36800A-25EWBL 104 ४०० सराय सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 8 सिया x 36 एचएसटीएल -
IS43TR16256A-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBL-TR -
सराय
ECAD 6240 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS42S16160J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TL-TR 2.7132
सराय
ECAD 9773 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV6416BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416BLL-55BLI 2.0771
सराय
ECAD 2174 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV6416 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 480 सराय 1mbit 55 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 55NS
IS43LR32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BLI 8.0950
सराय
ECAD 3692 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 12NS
IS43TR16640C-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI-TR 3.2532
सराय
ECAD 3497 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR16640C-125JBLI-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25LQ080-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JNLE -
सराय
ECAD 1604 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LQ080 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 1ms
IS46TR81280B-15GBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-15GBLA2 -
सराय
ECAD 9045 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR81280B-12GBLA2 Ear99 8542.32.0032 136 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS61NLP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3I-TR -
सराय
ECAD 4624 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS46TR16256AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA1 -
सराय
ECAD 9893 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS62C1024AL-35TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TI-TR -
सराय
ECAD 5441 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62C1024 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 सराय 1mbit 35 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 35NS
IS46LQ16256AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062BLA1-TR1 -
सराय
ECAD 9472 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL 18NS
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI -
सराय
ECAD 6668 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 171 ३३३ सरायम सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLC18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33BL -
सराय
ECAD 9571 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR 2.6025
सराय
ECAD 6908 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,500 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43LR16640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-5BL 9.4267
सराय
ECAD 9562 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43LR16640 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 300 २०० सराय सराय 1gbit 5 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BLI 4.2900
सराय
ECAD 275 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS43LD32640B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI-TR -
सराय
ECAD 4369 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS43LD32640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 ४०० सराय सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 15NS
IS41LV16100B-50KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50KL -
सराय
ECAD 1051 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 42-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS41LV16100 तंग - ईदो 3V ~ 3.6V 42-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 16 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32160F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL 11.6311
सराय
ECAD 3969 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 167 अय्यर सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS62WV5128DALL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI -
सराय
ECAD 1047 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS25WQ040-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JNLE-TRE -
सराय
ECAD 2272 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25WQ040 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम