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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
सराय
ECAD 5783 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S86400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी -
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TRE -
सराय
ECAD 2450 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS66WVH16M8 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 36 एनएस तड़प 16 सिया x 8 तपस्वी 36NS
IS42S16800F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TL-TR 2.1697
सराय
ECAD 5624 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS25LP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLE 0.8200
सराय
ECAD 14 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LP080 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1580 Ear99 8542.32.0071 100 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS46DR16640C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-25DBLA2 7.0301
सराय
ECAD 9571 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 209 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL-TR 6.7200
सराय
ECAD 1482 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33.7200
सराय
ECAD 107 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21tf16g फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS21TF16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 २०० सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
IS62WV51216BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55BI -
सराय
ECAD 9324 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 312 सराय 8mbit 55 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS25LD020-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JDLE-TR -
सराय
ECAD 4938 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) IS25LD020 चमक 2.3V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,500 100 सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 5ms
IS42S16160J-6TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TI-TR -
सराय
ECAD 3163 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE 0.8600
सराय
ECAD 4 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25WP080 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 100 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS61LV25616AL-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TL-TR 4.4700
सराय
ECAD 4 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV25616 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS25LP256E-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-JLLE-TRE 3.3357
सराय
ECAD 3906 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP256E-JLLE-TRE 4,000 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS62WV5128EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BI -
सराय
ECAD 8259 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 1 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS42S32400F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6B -
सराय
ECAD 6205 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १६६ सराय सराय 128Mbit घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS49NLS18160A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-18WBLI 33.5439
सराय
ECAD 8006 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS18160A-18WBLI 104 ५३३ सरायम सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 16 सिया x 18 एचएसटीएल -
IS42S16800D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7TI-TR -
सराय
ECAD 7256 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR81024B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBLI 28.7000
सराय
ECAD 96 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81024 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR81024B-125KBLI Ear99 8542.32.0036 136 800 तंग सराय 8gbit 20 एनएस घूंट 1 जी x 8 तपस्वी 15NS
IS43TR85120A-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBL-TR -
सराय
ECAD 5302 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR85120A-093NBL-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS45S16160J-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA1 4.4613
सराय
ECAD 5556 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
सराय
ECAD 1967 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 45NS
IS49NLC96400A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-18WBLI 57.2059
सराय
ECAD 1133 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLC96400A-18WBLI 104 ५३३ सरायम सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 64 सिया x 9 एचएसटीएल -
IS45S16320D-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA2-TR 24.7650
सराय
ECAD 3487 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR16128A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-15HBLI-TR -
सराय
ECAD 3027 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61LV6416-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61lv6416-10tli-tr -
सराय
ECAD 1276 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV6416 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 10NS
IS49NLC18160-33B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33B -
सराय
ECAD 1608 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS46DR16320E-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA2 5.5581
सराय
ECAD 1677 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 209 ४०० सराय सराय 512MBIT 400 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR85120A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120A-125KBLA2 -
सराय
ECAD 7237 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR85120A-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS49NLC93200-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-33WBLI -
सराय
ECAD 4921 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 32 सिया x 9 तपस्वी -
IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TRE 3.6017
सराय
ECAD 1064 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit तड़प 16 सिया x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ ओ 37.5NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम