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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS46LQ16128A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA1-TRA 9.5760
सराय
ECAD 9412 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128A-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS25LP040E-JYLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25lp040e-jyla3-tr 0.4703
सराय
ECAD 2227 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25LP040E-JYLA3-TRE 5,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 40s, 1.2ms
IS61DDB41M36C-300M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-300M3LI -
सराय
ECAD 1338 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB41 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ३०० तंग सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB24M18A-400M3L 100.1770
सराय
ECAD 1062 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDPB24 Sram - सिंकthirोनस, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 ४०० सराय सराय 72MBIT शिर 4 सिया x 18 तपस्वी -
IS46TR16640B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA1-TRA -
सराय
ECAD 9212 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR16640B-107MBLA1-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 933 सरायम सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S83200D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI -
सराय
ECAD 2856 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS46TR81280B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25 -
सराय
ECAD 4060 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 115 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46TR81280B-125JBLA25 Ear99 8542.32.0032 136 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS63LV1024-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J-TR -
सराय
ECAD 6685 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.300 ", 7.62 मिमी antake) IS63LV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-सोज तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 12NS
IS46TR16128C-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-15HBLA1-TR 5.5595
सराय
ECAD 5368 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS21ES04G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES04G-JCLI-TR -
सराय
ECAD 5793 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21es04 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 २०० सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 ईएमएमसी -
IS43TR16256A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI -
सराय
ECAD 1005 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS46LQ16128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1 -
सराय
ECAD 8140 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128AL-062BLA1 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS61LPD51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3I -
सराय
ECAD 8437 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPD51236 Sram - कthama theircut 3.135V ~ 3.465V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS49NLS18160A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25EWBL 29.0237
सराय
ECAD 1840 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLS18160A-25EWBL 104 ४०० सराय सराय 288mbit 15 एनएस घूंट 16 सिया x 18 एचएसटीएल -
IS29GL128-70SLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLEB-TRE 4.6300
सराय
ECAD 1460 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 3V ~ 3.6V 56-tsop मैं तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS29GL128-70SLEB-TRE 800 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16 सिया x 8 सीएफआई 70NS, 200 और
IS61WV102416EDALL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-12BLI-TR 11.5311
सराय
ECAD 5244 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV102416EDALL-12BLI-TR 2,500 सराय 16Mbit 12 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 12NS
IS61NLP102418-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3-TR -
सराय
ECAD 6062 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS43LD32128A-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPLI-TR -
सराय
ECAD 2851 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS43LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128A-18BPLI-TR शिर 1 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS49NLS18160-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BLI -
सराय
ECAD 7939 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 104 ३०० तंग सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 तपस्वी -
IS43TR16128B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-125KBL -
सराय
ECAD 3070 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS22TF32G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF32G-JQLA1 37.7610
सराय
ECAD 9199 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF32G-JQLA1 98 २०० सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 EMMC_5.1 -
IS61QDB41M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36C-2550M3L -
सराय
ECAD 5398 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdb41 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS62LV256AL-20JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-20JLI 1.2315
सराय
ECAD 3035 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-((0.300 ", 7.62 मिमी ranak) IS62LV256 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 28-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 25 सराय 256kbit 20 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 20NS
IS61LV5128AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T-TR -
सराय
ECAD 6126 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV5128 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS25WD040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JBLE -
सराय
ECAD 2402 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25WD040 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 90 80 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 3ms
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062TBLI-TR 8.6583
सराय
ECAD 4789 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16128AL-062TBLI-TR 2,500 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS43LR16128B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16128B-6BLI 9.5468
सराय
ECAD 6981 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LR16128B-6BLI 300 १६६ सराय सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46LQ32128A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA1 -
सराय
ECAD 2641 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ32128A-062BLA1 136 1.6 GHz सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 LVSTL 18NS
IS46TR16256BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA1-TRA 8.2137
सराय
ECAD 6692 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46TR16256BL-107MBLA1-TR 1,500 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी 15NS
IS25WP512M-RMLA3-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3-TY 9.1840
सराय
ECAD 8046 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WP512M-RMLA3-TY 176 १३३ सराय सराय 512MBIT 7.5 एनएस चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 2ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम