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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS42S16400D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI -
सराय
ECAD 4495 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV51216EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TRE 5.0696
सराय
ECAD 4092 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए IS62WV51216 Sram - एसिंकthirोनस 1.65V ~ 2.2V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 8mbit 55 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 55NS
IS62WV12816FBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1.5749
सराय
ECAD 4559 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1,000 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS
IS61LV5128AL-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI -
सराय
ECAD 6195 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61LV5128 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS43TR16128C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL 5.5338
सराय
ECAD 8707 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 667 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61VPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B3 -
सराय
ECAD 8171 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPS102418 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S32200E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI-TR -
सराय
ECAD 5495 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 १४३ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS61DDP2B21M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B21M36A-400M3L 71.5551
सराय
ECAD 7798 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDP2 Sram - सिंकthirोनस, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 ४०० सराय सराय 36mbit शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS61LV12824-8TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ -
सराय
ECAD 8306 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LV12824 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 सराय 3mbit 8 एनएस शिर 128K x 24 तपस्वी 8NS
IS42S83200D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TL-TR -
सराय
ECAD 2201 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS42S16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6TL 12.7725
सराय
ECAD 1647 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S32800G-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BI-TR -
सराय
ECAD 2215 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61LPS102418A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200TQLI -
सराय
ECAD 1554 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPS102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS43DR16640C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI-TR 4.7803
सराय
ECAD 4083 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,500 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLS18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BLI -
सराय
ECAD 5863 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ३०० तंग सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S32200L-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-5TL-TR 3.1434
सराय
ECAD 2080 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 २०० सराय सराय 64mbit 4.8 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS43R86400E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6TLI -
सराय
ECAD 2593 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS61WV12816EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EDBLL-10TLI 2.6286
सराय
ECAD 3632 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 2mbit 10 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 10NS
IS61VPD102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-2550B3I -
सराय
ECAD 8972 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPD102418 Sram - कthama theircut 2.375V ~ 2.625V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 २५० तंग सराय 18mbit 2.6 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42RM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32200K-6BLI-TR -
सराय
ECAD 5181 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32200 Sdram - ranak 2.3V ~ 2.7V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी -
IS43R32160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BL -
सराय
ECAD 4370 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32160 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 144-LFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 189 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
IS42S16100E-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-5TL-TR -
सराय
ECAD 8015 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS42S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 २०० सराय सराय 16Mbit 5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS43LR32800F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800F-6BL -
सराय
ECAD 8143 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
IS42S16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6TL-TR 12.1050
सराय
ECAD 2281 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS61C6416AL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12KLI-TR 2.0882
सराय
ECAD 1911 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61C6416 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 800 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
IS43DR81280B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25DBL-TR 4.3541
सराय
ECAD 4558 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS46DR81280C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA1 -
सराय
ECAD 6845 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 242 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS45S16160G-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA1 7.1328
सराय
ECAD 1758 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 348 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS25CQ032-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CQ032-JBLE-TR -
सराय
ECAD 2799 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25CQ032 चमक 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 एसपीआई 4ms
IS43LR32320B-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BL -
सराय
ECAD 5745 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS43LR32320 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-LFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 240 २०० सराय सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम