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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS61DDPB41M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB41M18A-400M3L 44.1540
सराय
ECAD 1666 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDPB41 Sram - सिंकthirोनस, ddr iip 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0002 105 ४०० सराय सराय 18mbit शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR 4.0426
सराय
ECAD 7722 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64WV3216 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 512kbit 15 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 15NS
IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS4M8BLL-104NLI-TRE 2.3566
सराय
ECAD 9807 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Psram (sram sram) 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR 3,000 १०४ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस तड़प ४ सींग x 8 SPI, QPI -
IS61NVP25672-200B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1 -
सराय
ECAD 2694 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 209-बीजीए IS61NVP25672 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 209-LFBGA (14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 72 तपस्वी -
IS25LP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE 0.3900
सराय
ECAD 9208 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LP040 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP040E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 १०४ सराय सराय 4Mbit 8 एनएस चमक 512K x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 1.2ms
IS42S16160B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TI -
सराय
ECAD 2567 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS29GL256-70SLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70SLET-TRE 5.2027
सराय
ECAD 7007 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 3V ~ 3.6V 56-tsop मैं तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS29GL256-70SLET-TR 800 सराय 256Mbit 70 एनएस चमक 32 सिया x 8 सीएफआई 70NS, 200 और
IS46LD32640C-18BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2-TR -
सराय
ECAD 8721 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS46LD32640C-18BLA2-TR 1 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS62WV10248HBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45BLI-TR 3.8489
सराय
ECAD 9764 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62WV10248HBLL-45BLI-TR 2,500 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 1 सिया x 8 तपस्वी 45NS
IS43LD32320A-3BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-3BL-TR -
सराय
ECAD 2584 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,200 ३३३ सरायम सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी 15NS
IS65WV1288DBLL-45TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288DBLL-45TLA3 -
सराय
ECAD 7725 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS65WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 156 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 45NS
IS43TR85120A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBL -
सराय
ECAD 9430 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 220 800 तंग सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS25LP080D-JNLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLA3 1.1500
सराय
ECAD 11 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) IS25LP080 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP080D-JNLA3 Ear99 8542.32.0071 100 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS25LP512MG-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE -
सराय
ECAD 9680 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) IS25LP512 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25LP512MG-RMLE 3A991B1A 8542.32.0071 44 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1ms
IS61WV102416FBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10TLI-TRE 9.4500
सराय
ECAD 3200 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) IS61WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 10NS
IS62WV51216HBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 3.8443
सराय
ECAD 6732 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 1,000 सराय 8mbit 45 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 45NS
IS61NLF51236-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQLI-TR -
सराय
ECAD 4460 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS45S16100E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1-TR -
सराय
ECAD 9813 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 50-Tsop (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS45S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 50-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS61NLF25636A-7.5B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5B2I -
सराय
ECAD 2783 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61NLF25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS43R16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI 2.5198
सराय
ECAD 6768 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16800 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १६६ सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
IS43DR16128B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBLI-TR -
सराय
ECAD 6845 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,500 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS49NLC18160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25WBL 27.7833
सराय
ECAD 4109 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-‘, 11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS49NLC18160A-25WBL 104 ४०० सराय सराय 288mbit 20 एनएस घूंट 16 सिया x 18 एचएसटीएल -
IS61NLP102418-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200TQLI -
सराय
ECAD 7574 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42S83200B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TI -
सराय
ECAD 3087 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S83200 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी -
IS61C6416AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12KLI 2.1754
सराय
ECAD 7825 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61C6416 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-SOJ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 16 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
IS61NLP25636A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200TQI-TR -
सराय
ECAD 1153 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP25636 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 800 २०० सराय सराय 9mbit 3.1 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS42S32400B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BI -
सराय
ECAD 1035 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी -
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL-TR -
सराय
ECAD 4782 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-250M3 -
सराय
ECAD 5549 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61DDB41 SRAM - PARCURोनस, DDR II 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS61LPD102418A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD102418A-200TQI -
सराय
ECAD 6446 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LPD102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम