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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
W29N01HVDINF TR Winbond Electronics W29N01HVDINF TR 2.7628
सराय
ECAD 8782 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए W29N01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-‘(8x6.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W29N01HVDINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 3,500 सराय 1gbit 20 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 25NS
W631GU6NB15I Winbond Electronics W631GU6NB15I 4.7200
सराय
ECAD 188 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-वीएफबीजीए W631GU6 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 96-((7.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W631GU6NB15I Ear99 8542.32.0032 198 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
W97AH6NBVA1E TR Winbond Electronics W97AH6NBVA1E TR 3.9000
सराय
ECAD 9047 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए W97AH6 SDRAM - PANAN LPDDR2 -S4B 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W97AH6NBVA1ET Ear99 8542.32.0032 3,500 ५३३ सरायम सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 Hsul_12 15NS
W9412G6JB-5 TR Winbond Electronics W9412G6JB-5 TR -
सराय
ECAD 2596 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA W9412G6 एक प्रकार का 2.7V ~ 2.3V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W9412G6JB-5TR Ear99 8542.32.0002 2,500 २०० सराय सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 8 सिया x 16 Lvttl 15NS
W25Q512NWBIM TR Winbond Electronics W25Q512NWBIM TR -
सराय
ECAD 5169 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25Q512 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q512NWBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 3ms
W25N01JWZEIT TR Winbond Electronics W25N01JWZEIT TR 2.9922
सराय
ECAD 4839 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25N01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25N01JWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १६६ सराय सराय 1gbit 6 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 700 ओएफएस
W9864G2JH-6I TR Winbond Electronics W9864G2JH-6I TR 2.8787
सराय
ECAD 4513 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) W9864G2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W9864G2JH-6ITR Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 64mbit 5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 Lvttl -
W25M02GVSFIG TR Winbond Electronics W25M02GVSFIG TR -
सराय
ECAD 8159 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) W25M02 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25M02GVSFIGTR शिर 1,000 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 7 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
W989D2DBJX6E TR Winbond Electronics W989D2DBJX6E TR 3.1263
सराय
ECAD 3948 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 90-TFBGA W989D2 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W989D2DBJX6ET Ear99 8542.32.0028 2,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 LVCMOS 15NS
W25N02JWTBIF Winbond Electronics W25N02JWTBIF 5.4771
सराय
ECAD 5128 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25N02 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25N02JWTBIF 3A991B1A 8542.32.0071 480 १६६ सराय सराय 2 जीबिट 8 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr 700 ओएफएस
W25Q01NWTBIM Winbond Electronics W25Q01NWTBIM 10.3800
सराय
ECAD 6118 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25Q01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q01NWTBIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 3ms
W25N512GWYIR TR Winbond Electronics W25N512GWYIR TR -
सराय
ECAD 3762 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-UFBGA, WLCSP W25N512 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 48-WLCSP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25N512GWYIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 512MBIT 7 एनएस चमक 64 सिया x 8 सवार 700 ओएफएस
W25Q80DLUXIE TR Winbond Electronics W25Q80DLUXIE TR 0.6700
सराय
ECAD 626 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran W25Q80 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q80DLUXIETRCT Ear99 8542.32.0071 4,000 80 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 30s, 3ms
W956D6KBKX7I TR Winbond Electronics W956D6KBKX7I TR 2.5650
सराय
ECAD 8504 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 49-WFBGA W956D6 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 49-WFBGA (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W956D6KBKX7ITR Ear99 8542.32.0041 5,000 १३३ सराय सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी -
W25Q32JVTCIM Winbond Electronics W25Q32JVTCIM -
सराय
ECAD 3260 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q32JVTCIM 3A991B1A 8542.32.0071 480 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 3ms
W632GU8NB-09 TR Winbond Electronics W632GU8NB-09 TR 4.2475
सराय
ECAD 8377 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-वीएफबीजीए W632GU8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-‘(8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W632GU8NB-09TR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
W9816G6JB-5 Winbond Electronics W9816G6JB-5 2.3023
सराय
ECAD 2451 0.00000000 इलेक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA W9816G6 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((6.4x10.1) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W9816G6JB-5 Ear99 8542.32.0002 286 २०० सराय सराय 16Mbit 4.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 Lvttl -
W63AH2NBVABI Winbond Electronics W63AH2NBVABI 4.9953
सराय
ECAD 3072 0.00000000 इलेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 178-वीएफबीजीए W63AH2 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 178-((11x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W63AH2NBVABI Ear99 8542.32.0032 189 800 तंग सराय 1gbit 5.5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ Hsul_12 15NS
W97BH2MBVA1E Winbond Electronics W97BH2MBVA1E 6.3973
सराय
ECAD 8121 0.00000000 इलेक - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए W97BH2 SDRAM - PANAN LPDDR2 -S4B 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W97BH2MBVA1E Ear99 8542.32.0036 168 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 Hsul_12 15NS
W63AH2NBVADI TR Winbond Electronics W63AH2NBVADI TR 4.3693
सराय
ECAD 4582 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 178-वीएफबीजीए W63AH2 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 178-((11x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W63AH2NBVADITR Ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz सराय 1gbit 5.5 एनएस घूंट ३२ सिया x ३२ Hsul_12 15NS
W25M02GWTCIG Winbond Electronics W25M02GWTCIG -
सराय
ECAD 1282 0.00000000 इलेक Spiflash® शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25M02 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25M02GWTCIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 १०४ सराय सराय 2 जीबिट 8 एनएस चमक २५६ सिया x k सवार 700 ओएफएस
W631GU8NB-09 TR Winbond Electronics W631GU8NB-09 TR 3.1427
सराय
ECAD 4333 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-वीएफबीजीए W631GU8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V, 1.425V ~ 1.575V 78-‘(8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W631GU8NB-09TR Ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
W97BH2MBVA1E TR Winbond Electronics W97BH2MBVA1E TR 5.6550
सराय
ECAD 6801 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए W97BH2 SDRAM - PANAN LPDDR2 -S4B 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W97BH2MBVA1ET Ear99 8542.32.0036 3,500 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 Hsul_12 15NS
W25R128JWEIQ TR Winbond Electronics W25R128JWEIQ TR 2.0767
सराय
ECAD 2235 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25R128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25R128JWEQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई -
W25Q512NWFIQ TR Winbond Electronics W25Q512NWFIQ TR 5.4150
सराय
ECAD 7046 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) W25Q512 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q512NWFIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 3ms
W978H6KBVX1E TR Winbond Electronics W978H6KBVX1E TR 4.3650
सराय
ECAD 1383 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए W978H6 SDRAM - PANAN LPDDR2 -S4B 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W978H6KBVX1TR Ear99 8542.32.0024 3,500 ५३३ सरायम सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 Hsul_12 15NS
W29N01HWSINA TR Winbond Electronics W29N01HWSINA TR -
सराय
ECAD 6686 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) W29N01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W29N01HWSINATR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 1gbit 22 एनएस चमक 64 सिया x 16 ओनफी 25NS
W989D6DBGX6E Winbond Electronics W989D6DBGX6E 3.2692
सराय
ECAD 1363 0.00000000 इलेक - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 54-TFBGA W989D6 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 54-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W989D6DBGX6E Ear99 8542.32.0028 312 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 32 सिया x 16 LVCMOS 15NS
W632GU8NB09I TR Winbond Electronics W632GU8NB09I TR 4.7803
सराय
ECAD 1057 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-वीएफबीजीए W632GU8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-‘(8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W632GU8NB09ITR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
W25N512GWBIR TR Winbond Electronics W25N512GWBIR TR -
सराय
ECAD 1507 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25N512 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25N512GWBIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 512MBIT 7 एनएस चमक 64 सिया x 8 सवार 700 ओएफएस
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम