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कन (847)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25VE16CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE16CTIGR -
सराय
 ECAD 8137 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VE16 फmut - rey औ ही ही ही 2.1V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार -
GD5F1GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGY -
सराय
 ECAD 6722 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F1GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 सवार 700 ओएफएस
GD5F1GQ4UFYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UFYIGY -
सराय
 ECAD 2993 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F1GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 सवार 700 ओएफएस
GD25D05CKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D05CKIGR 0.2725
सराय
 ECAD 6700 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25D05 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 100 सराय सराय 512kbit चमक 64K x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0.7100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25Q40 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 80 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIGR 2.3000
सराय
 ECAD 3 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD25LQ128 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25LQ32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ENIGR 1.0900
सराय
 ECAD 871 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar GD25LQ32 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q16ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ENIGR 0.8700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((4x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25Q64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESIGR 1.1800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1970-GD25Q64ESIGRTR 3A991B2A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25Q32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32ESIGR 0.9400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32ESIGR 1.0100
सराय
 ECAD 13 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25LQ32 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD25Q16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ESIGR 0.7100
सराय
 ECAD 7 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25Q32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EWIGR 1.1100
सराय
 ECAD 5940 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25Q128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYIGR 2.1300
सराय
 ECAD 8352 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25WQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64ESIGR 1.3900
सराय
 ECAD 3498 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 2,000 १०४ सराय सराय 64mbit 12 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 120 और, 4ms
GD55LX01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX01GEFIRR 18.7900
सराय
 ECAD 5406 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1,000 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई - ऑकmun आई/ओ, -
GD55B01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEFIRR 13.0800
सराय
 ECAD 6702 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-सेप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1,000 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD55LE511MEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEWIGY 4.1663
सराय
 ECAD 2768 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD55LE511MEWIGY 5,700
GD25LD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40CEIGR 0.3752
सराय
 ECAD 1631 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE GD25LD40 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 2V 8-((2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 97, एस, 6ms
GD25Q128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQEGR 1.7194
सराय
 ECAD 9428 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((4x4) तंग 1970-GD25Q128EQEGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25WD10CK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD10CK6IGR 0.3468
सराय
 ECAD 4117 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD10CK6IGRTR 3,000 100 सराय सराय 1mbit 12 एनएस चमक 128K x 8 Spi - rurी i/o 55, एस, 6ms
GD55B02GEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBJRY 20.4750
सराय
 ECAD 9921 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55B02GEBJRY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40ESIGR 0.3167
सराय
 ECAD 5297 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q40ESIGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 7 एनएस चमक 512K x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25Q16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ETIGR 0.7500
सराय
 ECAD 26 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १३३ सराय सराय 16Mbit 7 एनएस चमक 2 सींग x 8 सवार 70 और, 2ms
GD25VQ80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CTIGRIGRIGR। -
सराय
 ECAD 2523 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) GD25VQ80 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 १०४ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 सवार 50s, 3ms
GD25Q20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20CSIG -
सराय
 ECAD 6991 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) GD25Q20 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 9,500 १२० सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 सवार 50s, 2.4ms
GD25LB512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEFIRR 4.5486
सराय
 ECAD 3154 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LB R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप तंग 1970-GD25LB512MEFIRRTR 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD5F4GQ4RCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4RCYIGR -
सराय
 ECAD 8974 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
GD5F4GQ4UCYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UCYIGR -
सराय
 ECAD 4519 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana GD5F4GQ4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 १२० सराय सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 सवार
GD25LR256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR256EB2RY 4.2826
सराय
 ECAD 6794 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LR शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD25LR256EB2RY 4,800 सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

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