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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग अफ़सीर HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
GD25LQ64ENAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENAGR 1.5582
सराय
ECAD 5729 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) - 1970-GD25LQ64ENAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD55LE511MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LE511MEYIGY 4.3092
सराय
ECAD 8110 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड - शिर शिर - 1970-GD55LE511MEYIGY 4,800
GD25Q32ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EGEGR 0.8705
सराय
ECAD 6144 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-((3x4) तंग 1970-GD25Q32EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 140 और, 4ms
GD25B32EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32EWIGR 0.7134
सराय
ECAD 9009 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25B32EWIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 7 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 70, एस, 2.4ms
GD25LD20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20EKIGR 0.3167
सराय
ECAD 4484 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD20EKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 2mbit 12 एनएस चमक 256K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD55B01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEBIRY 8.4011
सराय
ECAD 3284 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD55B01GEBIRY 8542.32.0071 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ40EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EEIGR 0.3818
सराय
ECAD 4285 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x2) तंग 1970-GD25LQ40EEIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EKIGR 0.3676
सराय
ECAD 3820 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25WD40EK6IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EK6IGR 0.4077
सराय
ECAD 9951 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD40EK6IGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25LT512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEYIGR 5.7190
सराय
ECAD 6710 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LT512MEYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25WQ80ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80ETJGR 0.5242
सराय
ECAD 9287 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25WQ80ETJGRTR 3,000 84 तंग सराय 8mbit 12 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 240, एस, 8ms
GD25LQ64ENJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ENJGR 1.0811
सराय
ECAD 2294 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((3x4) तंग 1970-GD25LQ64ENJGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
GD55LT02GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBARY 37.1750
सराय
ECAD 2866 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55LT शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 24-TFBGA (6x8) - 1970-GD55LT02GEBARY 4,800 १६६ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25B512MEBJRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEBJRY 5.2136
सराय
ECAD 4467 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25B शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 24-TFBGA (6x8) तंग 1970-GD25B512MEBJRY 4,800 १३३ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80EGREGREG 0.4525
सराय
ECAD 2591 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q80EGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 7 एनएस चमक 1 सिया x 8 सवार 140 और, 4ms
GD55WB512MEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55WB512MEYIGY 4.6816
सराय
ECAD 4786 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55WB शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD55WB512MEYIGY 4,800 १०४ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 सवार -
GD25LQ64EWAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EWAGR 1.6045
सराय
ECAD 6739 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25LQ64EWAGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 8 सीन x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 100s, 4ms
GD25LD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD40EKIGR 0.3619
सराय
ECAD 4375 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25LD40EKIGRTR 3,000 ५० सभा सराय 4Mbit 12 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
GD25D80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D80CTIGRIGRIGRIGR। 0.2783
सराय
ECAD 2411 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25D R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25D80CTIGRTR 3,000 100 सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - rurी i/o 50s, 4ms
GD5F4GM8REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GM8REYIGR 5.9085
सराय
ECAD 2453 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 2V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F4GM8REYIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4 जीबिट 9 एनएस चमक 512M x 8 Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD5F2GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEYIGY 3.2825
सराय
ECAD 6646 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F2GM7UEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 2 जीबिट 7 एनएस चमक २५६ सिया x k Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25Q256EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWIGY 2.2897
सराय
ECAD 7620 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग 1970-GD25Q256EWIGY 5,700 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
GD25LT512MEFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEFIRY 5.7957
सराय
ECAD 6463 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LT शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 16-सेप - 1970-GD25LT512MEFIRY 1,760 २०० सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25Q64CW2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CW2GR 1.3970
सराय
ECAD 9623 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) - 1970-GD25Q64CW2GRTR 3,000 १२० सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 60s, 4ms
GD5F1GQ5UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5UEYIGY 2.3296
सराय
ECAD 8895 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GQ5UEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 600 ओएफएस
GD5F1GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GM7UEYIGY 2.0634
सराय
ECAD 8752 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड Gd5f शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) तंग 1970-GD5F1GM7UEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit 7 एनएस चमक २५६ वायर x ४ Spi - कthamay i/o, dtr 600 ओएफएस
GD25Q64ESJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESJGR 0.8705
सराय
ECAD 3820 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25Q R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-सेप तंग 1970-GD25Q64ESJGRTR 2,000 १३३ सराय सराय 64mbit 7 एनएस चमक 8 सीन x 8 सवार 140 और, 4ms
GD55B01GEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEYIGY 8.8738
सराय
ECAD 4263 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD55B शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x8) - 1970-GD55B01GEYIGY 4,800 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr -
GD25LQ128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EQIGR 1.3900
सराय
ECAD 5298 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-((4x4) तंग 1970-GD25LQ128EQIGRTR 3,000 १२० सराय सराय 128Mbit 6 एनएस चमक 16 सिया x 8 सवार 60 के दशक, 2.4ms
GD9FU2G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU2G8F2AMGI 4.5630
सराय
ECAD 3459 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD9F शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग 1970-GD9FU2G8F2AMGI 960 सराय 2 जीबिट 18 एनएस चमक २५६ सिया x k ओनफी 20NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम