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सmuth (10402)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F Micron Technology Inc. Mt29f4g01abbfdwb-ite: f -
सराय
 ECAD 6822 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-UDFN MT29F4G01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V 8-UPDFN (8x6) (MLP8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 83 सराय सराय 4 जीबिट चमक 4 जी x 1 एसपीआई -
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-ITE: F -
सराय
 ECAD 8486 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT41K256M16TW-107 V:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 V: P -
सराय
 ECAD 4914 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,368 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37B: G -
सराय
 ECAD 5742 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 267 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AIT: A -
सराय
 ECAD 2591 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. Mt29f4g16abbfah4-aates: f -
सराय
 ECAD 9723 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBBJ-1DAAT-FD -
सराय
 ECAD 8621 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA EDB4432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,100 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AAT: B -
सराय
 ECAD 1175 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT40A512M8RH-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AAT: B -
सराय
 ECAD 3000 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 1.2 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MTFC8GACAENS-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-AAT -
सराय
 ECAD 4850 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075: E 7.9500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 १.३३ तंग सराय 8gbit घूंट 1 जी x 8 तपस्वी -
MT41DC11TW-V88A Micron Technology Inc. MT41DC11TW-V88A -
सराय
 ECAD 4776 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT41DC - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
EMB8132B4PM-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB8132B4PM-DV-FD -
सराय
 ECAD 3325 0.00000000 तमाम - थोक शिर EMB8132 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1,680
MTFC16GAKAEEF-O1 AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEEF-O1 AIT -
सराय
 ECAD 2231 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-TFBGA MTFC16 फmume - नंद - 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT40A2G4SA-062E:E Micron Technology Inc. MT40A2G4SA-062E: E 10.1850
सराय
 ECAD 3327 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a2g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((7.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,260 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट 2 जी x 4 तपस्वी -
MT40A512M16LY-062E:E Micron Technology Inc. MT40A512M16LY-062E: E 7.9500
सराय
 ECAD 9044 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((7.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,080 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT: B -
सराय
 ECAD 9454 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AIT: B -
सराय
 ECAD 2066 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1DS-062 AUT: C -
सराय
 ECAD 9439 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
MT53D4DBNY-DC Micron Technology Inc. MT53D4DBNY-DC -
सराय
 ECAD 9607 0.00000000 तमाम - थोक शिर - - Mt53d4 SDRAM - KANAK LPDDR4 - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1,360 सराय घूंट
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES: C -
सराय
 ECAD 6212 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R: ए -
सराय
 ECAD 1516 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MTFC32GAKAEDQ-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AAT -
सराय
 ECAD 1074 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-062 AAT: C -
सराय
 ECAD 9105 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT53B512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT: B -
सराय
 ECAD 3019 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT53D384M32D2DS-046 AAT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AAT: E -
सराय
 ECAD 8977 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT: D -
सराय
 ECAD 9156 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MTFC64GAJAEDQ-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAEDQ-AIT -
सराय
 ECAD 9216 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए MTFC64 फmume - नंद - 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT53D384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AUT: E -
सराय
 ECAD 8433 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR: डी -
सराय
 ECAD 5849 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 167 अय्यर सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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