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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU256HBA8ESF-0SIT TR -
सराय
ECAD 1938 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L768M32D3PU-107 WT: B TR -
सराय
ECAD 6886 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA MT52L768 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 168-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 24gbit घूंट 768M x 32 - -
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L512M32D2PF-107 WT: B TR 24.1050
सराय
ECAD 2225 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 178-वीएफबीजीए MT52L512 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 178-FBGA (11.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AUT: B TR -
सराय
ECAD 9302 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
EDF8164A3MD-GD-F-D TR Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FD TR -
सराय
ECAD 6450 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 2,400 800 तंग सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB2432B4MA-1DAUT-FR TR -
सराय
ECAD 1256 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए EDB2432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी -
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
सराय
ECAD 1185 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA EDB4432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी -
EDF8132A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8132A3PB-GD-FR TR -
सराय
ECAD 2250 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur - EDF8132 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000 800 तंग सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FR TR -
सराय
ECAD 1083 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur - EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000 800 तंग सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
EDF8164A3PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PK-JD-FR TR -
सराय
ECAD 3705 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDF8164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
EDFA164A2PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-JD-FR TR -
सराय
ECAD 2167 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur - EDFA164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ तपस्वी -
EDFA332A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FR TR -
सराय
ECAD 6875 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa232 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 तपस्वी -
EDFP164A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-JD-FR TR -
सराय
ECAD 6067 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - EDFP164 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 24gbit घूंट 384M x 64 तपस्वी -
EDW4032BABG-60-F-R TR Micron Technology Inc. EDW4032BABG-60-FR TR -
सराय
ECAD 7783 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 170-TFBGA Edw4032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.65V 170-((12x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz सराय 4 जीबिट तमाम 128 सिया x 32 तपस्वी -
EMF8132A3PF-DV-F-R TR Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FR TR -
सराय
ECAD 7499 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर EMF8132 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1,000
M29F400FT55M3T2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3T2 TR -
सराय
ECAD 8397 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F400 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 500 सराय 4Mbit 55 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 55NS
N25Q064A13EF640FN02 TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF640FN02 TR -
सराय
ECAD 6782 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((6x5) (एमएलपी 8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 4,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR -
सराय
ECAD 4227 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MTFC4GMWDQ-3M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC4GMWDQ-3M AIT TR -
सराय
ECAD 8064 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
MTFC8GACAENS-K1 AIT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-K1 AIT TR -
सराय
ECAD 1461 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT25QU256ABA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-0AAT TR 5.4450
सराय
ECAD 2250 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR -
सराय
ECAD 1749 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25TL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR -
सराय
ECAD 9496 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xu01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 २०० सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 XCCELA बस -
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR -
सराय
ECAD 9982 0.00000000 तमाम XCCELA ™ - MT35X R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 24-टीबीजीए Mt35xu02 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 २०० सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k XCCELA बस -
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 WT: B TR -
सराय
ECAD 1448 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 216-FBGA (15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NH-062 WT: B TR -
सराय
ECAD 5731 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT53B256M64D2NW-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NW-062 WT: C -
सराय
ECAD 4506 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4TX-053 WT: B TR -
सराय
ECAD 7221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 384M x 64 - -
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. MT53B4DABNK-DC -
सराय
ECAD 2600 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 366-WFBGA Mt53b4 SDRAM - KANAK LPDDR4 366-WFBGA (15x15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 सराय घूंट
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NW-062 WT ES: C -
सराय
ECAD 6258 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम