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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT: B -
सराय
ECAD 1675 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 152-एलबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 980 १६६ सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
M29W400BT90M1T TR Micron Technology Inc. M29W400BT90M1T TR -
सराय
ECAD 2797 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.525 ", 13.34 मिमी rana) M29W400 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 44- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 90NS
N25Q032A11ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q032A11ESE40F TR -
सराय
ECAD 1015 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q032A11 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 सराय सराय 32Mbit चमक 8m x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC8M16LFB4-10:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFB4-10: G -
सराय
ECAD 7023 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT41K2G8KJR-125:A Micron Technology Inc. MT41K2G8KJR-125: ए -
सराय
ECAD 5773 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K2G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,020 800 तंग सराय 16Gbit 13.5 एनएस घूंट 2 जी x 8 तपस्वी -
M29F800FT55M3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT5555M3E2 -
सराय
ECAD 8498 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) M29F800 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 44- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1581 Ear99 8542.32.0071 240 सराय 8mbit 55 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 55NS
M25P64S-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P64S-VMF6TP TR -
सराय
ECAD 5205 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) M25P64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDM79A3WC1 -
सराय
ECAD 6241 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur शराबी MT29F2G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - शिर 1 सराय 2 जीबिट चमक 2 जी x 1 एसपीआई -
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E: C TR 11.4150
सराय
ECAD 6589 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((9x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT: C 30.2400
सराय
ECAD 3027 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 1.5GX 32 तपस्वी 18NS
MTFC8GAMALBH-AAT ES Micron Technology Inc. Mtfc8gamalbh-aat es -
सराय
ECAD 8758 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद - 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT48LC2M32B2P-7:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-7: G: G: G: -
सराय
ECAD 9144 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT48LC2M32B2P7G Ear99 8542.32.0002 1,000 १४३ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 14NS
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT: D -
सराय
ECAD 4304 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (10.5x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 4 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
M29W010B70N1 Micron Technology Inc. M29W010B70N1 -
सराय
ECAD 6108 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) M29W010 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 सराय 1mbit 70 एनएस चमक 128K x 8 तपस्वी 70NS
MTFC4GMVEA-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc4gmvea-it tr -
सराय
ECAD 1784 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W.9B7 TR -
सराय
ECAD 2923 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,000
MTFC64GAPAKEA-WT Micron Technology Inc. MTFC64GAPAKEA-WT -
सराय
ECAD 6282 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA MTFC64 फmume - नंद - 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,520 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 एमएमसी -
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-25 IT: B -
सराय
ECAD 4385 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC32GJWEF-4M AIT Z TR -
सराय
ECAD 2954 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-TFBGA Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-TFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT29C8G96MAZBADJV-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C8G96MAZBADJV-5 IT TR -
सराय
ECAD 9239 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए MT29C8G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 8GBIT (NAND), 4GBIT (LPDRAM) अफ़म, रत्न 512M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29F16G16ADBCAH4:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4: c -
सराय
ECAD 5564 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F16G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 16Gbit चमक 1 जी x 16 तपस्वी -
MTFC32GJTED-IT Micron Technology Inc. Mtfc32gjted-it -
सराय
ECAD 5535 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-वीएफबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
N25Q064A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q064A13E1241E -
सराय
ECAD 3783 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT42L128M64D2MP-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M64D2MP-25 WT: एक TR -
सराय
ECAD 4891 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 220-WFBGA MT42L128M64 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-((14x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
NAND02GW3B2DN6E Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E -
सराय
ECAD 8875 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) Nand02g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand02gw3b2dn6e 3A991B1A 8542.32.0051 576 सराय 2 जीबिट 25 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
PC28F128P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F128P33B85B TR -
सराय
ECAD 9060 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 128Mbit 85 एनएस चमक 8 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 AIT: C -
सराय
ECAD 2417 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,360 २.१३३ सरायम सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
N25Q008A11ESC40F TR Micron Technology Inc. N25Q008A11ESC40F TR -
सराय
ECAD 2539 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) N25Q008A1111 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 5ms
MT48LC8M16A2P-7E IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E IT: G -
सराय
ECAD 2307 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 14NS
JS28F320J3D75A Micron Technology Inc. JS28F320J3D75A -
सराय
ECAD 6854 0.00000000 तमाम Strataflash ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F320J3 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 32Mbit 75 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 75NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम