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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F8T08EULCHD5-R:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-R: C TR 167.8050
सराय
ECAD 3165 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F8T08EULCHD5-R: CTR 2,000
M25P40-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P40-VMN3PB -
सराय
ECAD 9599 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P40 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 75 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
NP8P128AE3B1760E Micron Technology Inc. NP8P128AE3B1760E -
सराय
ECAD 6313 0.00000000 तमाम ओमनेओ ™ नली शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए NP8P128A पीसीएम (प्रैम) 2.7V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 सराय 128Mbit 135 एनएस पीसीएम (प्रैम) 16 सिया x 8 तमाम, सवार 135NS
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-062E IT: B TR -
सराय
ECAD 4059 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT45W4MW16BCGB-701 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 WT -
सराय
ECAD 3704 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-‘(6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F Micron Technology Inc. Mt29f4g08abafah4-aates: f -
सराय
ECAD 7479 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,620 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT52L4DAPQ-DC Micron Technology Inc. MT52L4DAPQ-DC -
सराय
ECAD 6647 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर MT52L4 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,134
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AATX: B -
सराय
ECAD 9712 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC2M32B2B5-6A:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2B5-6A: J TR -
सराय
ECAD 1824 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-वीएफबीजीए (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F Micron Technology Inc. MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F -
सराय
ECAD 8666 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT29VZZZAC8 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,520
MT46H8M32LFB5-5:H TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-5: H TR -
सराय
ECAD 9736 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H8M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-वीएफबीजीए (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
M29W128GH7AZA6E Micron Technology Inc. M29W128GH7AZA6E -
सराय
ECAD 3844 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 136 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M -
सराय
ECAD 2222 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F256G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V शराबी - 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1 ३३३ सरायम सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F8G08ADBDAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ADBDAH4: D TR -
सराय
ECAD 4073 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D7DKFRL-107 W.9A7 TR -
सराय
ECAD 4283 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर Mt29tzzz5 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,000
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT: B TR -
सराय
ECAD 9457 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MTFC32GAMALAM-WT ES Micron Technology Inc. Mtfc32gamalam-wt es -
सराय
ECAD 6074 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - Mtfc32g फmume - नंद - - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,520 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
MT40A512M16JY-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E: B TR -
सराय
ECAD 2498 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 १.३३ तंग सराय 8gbit घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT62F1536M64D8EK-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8EK-026 AAT: B 94.8300
सराय
ECAD 9126 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT: B 1 3.2 GHz सराय 96gbit घूंट 1.5GX 64 - -
M25PX80-VMP6TG0C TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0C TR -
सराय
ECAD 8351 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25PX80 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 4,000 75 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT29F32G08AECCBH1-10:C Micron Technology Inc. MT29F32G08AECCBH1-10: c -
सराय
ECAD 9537 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-वीबीजीए MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1 100 सराय सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT29F16G08DAAWP-ET:A TR Micron Technology Inc. MT29F16G08DAAWP-et: A TR -
सराय
ECAD 9237 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F16G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 16Gbit चमक 2 जी x 8 तपस्वी -
MTFC16GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. Mtfc16gakaena-4m यह tr -
सराय
ECAD 5576 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए MTFC16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.9V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
N25Q256A83E1240E Micron Technology Inc. N25Q256A83E1240E -
सराय
ECAD 3273 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए N25Q256A83 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-1567 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 108 सराय सराय 256Mbit चमक 64 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT52L512M64D4GN-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L512M64D4GN-107 WT: B -
सराय
ECAD 4150 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 256-WFBGA MT52L512 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 256-((14x14) - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 933 सरायम सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
M25P20-VMP6 Micron Technology Inc. M25P20-VMP6 -
सराय
ECAD 6126 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25P20 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-VFQFPN (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,940 ५० सभा सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT29F1G16ABBEAH4-IT:E Micron Technology Inc. Mt29f1g16abbeah4-it: e -
सराय
ECAD 7607 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT49H8M36SJ-TI:B Micron Technology Inc. Mt49h8m36sj-ti: b -
सराय
ECAD 1087 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H8M36 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 सराय 288mbit घूंट 8 सिया x 36 तपस्वी -
MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR Micron Technology Inc. MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR -
सराय
ECAD 4195 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT29C1G12MAACAEAMD-6 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAAAEAMD-6 IT TR -
सराय
ECAD 8902 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C1G12 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १६६ सराय सींग 1GBIT (NAND), 512Mbit (LPDRAM) अफ़म, रत्न 128M x 8 (NAND), 32M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम