SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT -
सराय
ECAD 2658 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT29C4G48 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 16 (LPDRAM) तपस्वी -
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMEABH7-12: एक TR -
सराय
ECAD 5426 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-टीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT53E768M64D4HJ-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 WT: एक TR -
सराय
ECAD 9885 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT53E768M64D4HJ-046WT: ATR शिर 2,000
MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 TR 18.3750
सराय
ECAD 6366 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 149-वीएफबीजीए फmut - नंद (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-((8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112TR 2,000 सींग 8gbit 25 एनएस अफ़म, रत्न 1 जी x 8 ओनफी 30ns
MT29F8G08ABBCAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4: C TR -
सराय
ECAD 8449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2TG-75 L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2TG-75 L: G: G: G: -
सराय
ECAD 5595 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT40A1G16KH-062E AIT:E Micron Technology Inc. MT40A1G16KH-062E AIT: E 15.6150
सराय
ECAD 8976 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x13) तंग 557-MT40A1G16KH-062EAIT: E 1 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 1 जी x 16 पॉड 15NS
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-ITX: B TR -
सराय
ECAD 2016 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F8G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 8gbit चमक 1 जी x 8 तपस्वी -
MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18 IT: C TR -
सराय
ECAD 4742 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-WFBGA MT42L64M32 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,000 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी -
1787 Micron Technology Inc. 1787 59.8650
सराय
ECAD 8186 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-1787M 1
MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW01GABA1LPC-0AAT TR 16.5900
सराय
ECAD 4461 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए MT28FW01 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 3.6V 64-LBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 सराय 1gbit 105 एनएस चमक 64 सिया x 16 तपस्वी 60NS
M25P10-AVMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6TP TR -
सराय
ECAD 8910 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P10 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ५० सभा सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT45W1MW16PDGA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W1MW16PDGA-70 IT -
सराय
ECAD 9167 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W1MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 16Mbit 70 एनएस तड़प 1 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT40A512M8RH-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-062E: B TR -
सराय
ECAD 4538 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MTEDFAE4SCA-1P2 Micron Technology Inc. Mtedfae4sca-1p2 -
सराय
ECAD 3466 0.00000000 तमाम - नली शिर Mtedfae4 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 150
MT62F2G32D4DS-023 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AIT: B TR 58.0650
सराय
ECAD 7069 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AIT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 तपस्वी -
MT53D1024M32D4NQ-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-053 WT: D -
सराय
ECAD 6891 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT29F128G08AMAAAC5-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMAAAC5-ITZ: A TR -
सराय
ECAD 2049 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-वीएलजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC8M8A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E: G: G: G: -
सराय
ECAD 2426 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सीन x 8 तपस्वी 14NS
MT29F1T08CUCABK8-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCABK8-6: A TR -
सराय
ECAD 2549 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F1T08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 अय्यर सराय 1tbit चमक 128g x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2P-75 L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75 L: G TR -
सराय
ECAD 5674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MTFC32GAKAEDQ-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AIT TRA -
सराय
ECAD 7516 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-एलबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 100-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MTFC32GAKAEDQ-AITTR शिर 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
PC28F256P30B2F TR Micron Technology Inc. PC28F256P30B2F TR -
सराय
ECAD 4306 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F256 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-Easybga (10x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 256Mbit 100 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT29F128G08AMCABJ2-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABJ2-10Z:। TR -
सराय
ECAD 6219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-टीबीजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT29F128G08AMCABK3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10itz: ए -
सराय
ECAD 5765 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT62F1G64D4EK-023 AUT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AUT: B 73.4400
सराय
ECAD 5149 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023AUT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 तपस्वी -
MT29F32G08CBACAWP-Z:C Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-Z: C -
सराय
ECAD 1965 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
MT48H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6: B TR -
सराय
ECAD 8269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MTFC16GAPALBH-IT Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-IT -
सराय
ECAD 6656 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA MTFC16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18BM-25E: B TR -
सराय
ECAD 9748 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम