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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
N25Q064A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF8A0F TR -
सराय
ECAD 1716 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
NP8P128A13B1760E Micron Technology Inc. NP8P128A13B1760E -
सराय
ECAD 1610 0.00000000 तमाम ओमनेओ ™ शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए NP8P128A पीसीएम (प्रैम) 2.7V ~ 3.6V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B 8542.32.0051 1,800 सराय 128Mbit 115 एनएस पीसीएम (प्रैम) 16 सिया x 8 तमाम, सवार 115NS
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abbeah4-it: e tr -
सराय
ECAD 6222 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT41K512M16TNA-107:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-107: ई -
सराय
ECAD 8581 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((10x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT48H8M16LFB4-8 TR Micron Technology Inc. Mt48h8m16lfb4-8 tr -
सराय
ECAD 5273 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48H8M16 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 54-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १२५ सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC16M16A2FG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-75: D TR -
सराय
ECAD 5804 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT48LC16M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-((8x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2TG-6 IT: G -
सराय
ECAD 3376 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR -
सराय
ECAD 3358 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-वीएफबीजीए MT29C4G96 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-((13x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 4 जीबिट (नंद), 4 जीबिट (therएम) अफ़म, रत्न 256M x 16 (NAND), 128M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT53E512M32D2NP-046 TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 TR -
सराय
ECAD 7314 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C सतह rurcur 200-WFBGA MT53E512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,000 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
PC28F640P33B85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P33B85B TR -
सराय
ECAD 7552 0.00000000 तमाम Strataflash ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F640 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 ५२ सराय सराय 64mbit 85 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 85NS
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-6 WT: B TR -
सराय
ECAD 2415 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 १६६ सराय सराय 4 जीबिट 5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT47H256M8THN-25E:H Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-25E: H -
सराय
ECAD 2412 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AAT: J -
सराय
ECAD 6375 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,080 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
M29W160ET70N6F TR Micron Technology Inc. M29W160ET70N6F TR -
सराय
ECAD 2950 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W160 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 16Mbit 70 एनएस चमक 2m x 8, 1m x 16 तपस्वी 70NS
MT44K16M36RB-107E:B TR Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107E: B TR 46.0350
सराय
ECAD 6397 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K16M36 घूंट 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 933 सरायम सराय 576MBIT 8 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
MTFC256GBAOANAM-WT ES Micron Technology Inc. MTFC256GBAOANAM-WT ES -
सराय
ECAD 5446 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MTFC256 फmume - नंद - - - 1 (असीमित) 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 2tbit चमक 256G x 8 एमएमसी -
MT52L256M64D2GN-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT: B -
सराय
ECAD 4046 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 256-WFBGA MT52L256 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 256-((14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT48LC16M8A2P-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E: G: G: G: -
सराय
ECAD 7655 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 14NS
MT46V128M4TG-75E:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-75E: D TR -
सराय
ECAD 7090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A -
सराय
ECAD 1553 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT28F004B5VP-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B5VP-8 T -
सराय
ECAD 3245 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F004B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 80NS
MT25QU02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AAT 41.3700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU02 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k एसपीआई 8ms, 2.8ms
N25Q064A13ESF42F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF42F TR -
सराय
ECAD 9602 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT45W4MW16PBA-70 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 WT -
सराय
ECAD 2973 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75 IT: G TR -
सराय
ECAD 8506 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((8x16) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DAAT-FD -
सराय
ECAD 4493 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए EDB1332 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,100 ५३३ सरायम सराय 1gbit घूंट ३२ सिया x ३२ तपस्वी -
MT46V128M4FN-5B:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-5B: D TR 21.1800
सराय
ECAD 981 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग रोहस 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT46V128M4P-75:D Micron Technology Inc. MT46V128M4P-75: D -
सराय
ECAD 5771 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - Rohs3 आजthabaira 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-ITX: D -
सराय
ECAD 1587 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
MT49H32M18SJ-25E:B Micron Technology Inc. MT49H32M18SJ-25E: B: B: B: -
सराय
ECAD 8108 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-((18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0028 1,120 ४०० सराय सराय 576MBIT 15 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम