SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT48LC32M16A2TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2TG-75: C TR -
सराय
ECAD 2136 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC32M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
N25Q064A13ESE40F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESE40F TR -
सराय
ECAD 5701 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-w तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT51J256M32HF-80:B Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80: बी: बी -
सराय
ECAD 8979 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-((12x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0071 1,260 2 गीज़ सराय 8gbit तमाम २५६ वायर x ३२ तपस्वी -
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GBBB8ESF-0AAT 23.3000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT29F2G08AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AABWP-ET TR -
सराय
ECAD 6677 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F2G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी -
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR -
सराय
ECAD 9691 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) MT25TL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
M58WR064KT7AZB6E Micron Technology Inc. M58WR064KT7AZB6E -
सराय
ECAD 5538 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५६-वीएफबीजीए M58WR064 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 56-((7.7x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 336 ६६ सराय सराय 64mbit 70 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
PC48F4400P0TB0EH Micron Technology Inc. PC48F4400P0TB0EH -
सराय
ECAD 9588 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-एलबीजीए PC48F4400 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 864 ५२ सराय सराय 512MBIT 95 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 95NS
PC28F320C3BD70A Micron Technology Inc. PC28F320C3BD70A -
सराय
ECAD 4397 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F320 फmume - ब ब 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 144 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT48H16M32LFB5-6 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFB5-6 AAT: C TR -
सराय
ECAD 4651 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBCBBJ4-37ES: B TR -
सराय
ECAD 7324 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT28F004B3VG-8 T Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 T -
सराय
ECAD 7815 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F004B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 80NS
MT29F4G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-E: D -
सराय
ECAD 1844 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F4G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 960 सराय 4 जीबिट चमक 512M x 8 तपस्वी -
EDB5432BEPA-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DAAT-FR TR -
सराय
ECAD 8552 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 168-WFBGA EDB5432 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 ५३३ सरायम सराय 512MBIT घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
MT53D4DCSB-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCSB-DC -
सराय
ECAD 9813 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 1,190
MT53D1G32D4NQ-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D1G32D4NQ-062 WT: D TR -
सराय
ECAD 6997 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G32 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT48H8M32LFF5-8 Micron Technology Inc. MT48H8M32LFF5-8 -
सराय
ECAD 6187 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT48H8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-8 यह TR -
सराय
ECAD 1307 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.9V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F1T208ECHBBJ4-3RES: B TR -
सराय
ECAD 1269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F1T208 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 1.125TBIT चमक 144G x 8 तपस्वी -
MT29F8T08EULCHD5-M:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-M: C 167.8050
सराय
ECAD 2655 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F8T08EULCHD5-M: C 1
MT48V4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc. MT48V4M32LFF5-10: जी -
सराय
ECAD 7377 0.00000000 तमाम - कड़ा Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V4M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 100 सराय सराय 128Mbit 7 एनएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAH4-ITE: F TR -
सराय
ECAD 4826 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MTFC16GJVEC-2F WT Micron Technology Inc. MTFC16GJVEC-2F WT -
सराय
ECAD 7553 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - Mtfc16g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AIT: D 35.5500
सराय
ECAD 2461 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर तंग -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
M29W800DB70N6F TR Micron Technology Inc. M29W800DB70N6F TR -
सराय
ECAD 7500 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
MT48LC8M32LFB5-10 Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 -
सराय
ECAD 4351 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48LC8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 3V ~ 3.6V 90-((8x13) - Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 100 सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
MT25QU128ABA8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0SIT 4.7300
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT25QU128 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR Micron Technology Inc. Mt45w4mw16bfb-708 wt f tr -
सराय
ECAD 3529 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-((6x9) तंग रोहस २ (१ सींग) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT47H64M8CB-5E:B TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-5E: B TR -
सराय
ECAD 8940 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-एफबीजीए तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,000 २०० सराय सराय 512MBIT 600 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08ABEABM73A3WC1P -
सराय
ECAD 2721 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F32G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम