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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT40A256M16GE-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-062E: B TR -
सराय
ECAD 9652 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-((9x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT40A256M16GE-062E: BTR शिर 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AAT: P TR 21.0750
सराय
ECAD 9846 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((8x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT41K512M16VRN-107AAT: PTR Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 8gbit 20 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 15NS
MT41DC11TW-V88A TR Micron Technology Inc. Mt41dc11tw-v88a tr -
सराय
ECAD 7892 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT41DC - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 2,000
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AAT: J TR -
सराय
ECAD 8169 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC4M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी 12NS
MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEJP-5M AIT TR -
सराय
ECAD 2849 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए MTFC16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.9V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 एमएमसी -
MTFC4GMVEA-WT Micron Technology Inc. Mtfc4gmvea-wt -
सराय
ECAD 9450 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc4 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 32Gbit चमक 4 जी x 8 एमएमसी -
M29W640GT90NA6E Micron Technology Inc. M29W640GT90NA6E -
सराय
ECAD 7546 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 64mbit 90 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 90NS
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT: B TR 44.2350
सराय
ECAD 6216 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 1.5GX 32 तपस्वी 18NS
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 WT ES: D TR -
सराय
ECAD 5142 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AAT: J -
सराय
ECAD 6375 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,080 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT53E128M32D2DS-053 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AAT: A 12.1200
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-053 WT ES: C -
सराय
ECAD 7693 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 840 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT: P TR 8.4000
सराय
ECAD 1632 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ वायर x १६ तपस्वी -
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc. MT47H256M4SH-25E: M TR -
सराय
ECAD 1160 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((8x10) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT47H256M4SH-25E: MTR Ear99 8542.32.0032 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट २५६ वायर x ४ तपस्वी 15NS
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-IT: A TR -
सराय
ECAD 1332 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-6 L IT: B TR -
सराय
ECAD 2514 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48H16M32 SDRAM - KANAN LPSDR 1.7V ~ 1.95V 90-((10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
NAND01GW3B2BZA6E Micron Technology Inc. NAND01GW3B2BZA6E -
सराय
ECAD 6581 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-TFBGA Nand01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -Nand01gw3b2bza6e 3A991B1A 8542.32.0051 210 सराय 1gbit 30 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 30ns
MT40A4G4VA-062EPS:B Micron Technology Inc. MT40A4G4VA-062EPS: B -
सराय
ECAD 1343 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a4g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((10x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT40A4G4VA-062EPS: B शिर 1,520 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 4 जी x 4 तपस्वी 15NS
MT53D512M64D8HR-053 WT:B Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT: B -
सराय
ECAD 5920 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT42L64M64D2KH-3 IT:A Micron Technology Inc. MT42L64M64D2KH-3 IT: A -
सराय
ECAD 5023 0.00000000 तमाम - थोक शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA MT42L64M64 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 ३३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
MT28F400B3SG-8 B Micron Technology Inc. MT28F400B3SG-8 B -
सराय
ECAD 3010 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-SCIC (0.496 ", 12.60 मिमी rana) MT28F400B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 44- तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 500 सराय 4Mbit 80 एनएस चमक 512K x 8, 256K x 16 तपस्वी 80NS
MT55L512Y36PT-6 Micron Technology Inc. MT55L512Y36PT-6 18.9400
सराय
ECAD 424 0.00000000 तमाम ZBT® थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT55L512Y SRAM - KENRA, ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 १६६ सराय सराय 18mbit 3.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR -
सराय
ECAD 2604 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28FW512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 3.6V ५६-स - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 105 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 60NS
MT41K512M16HA-125 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 IT: A -
सराय
ECAD 1377 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,020 800 तंग सराय 8gbit 13.5 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D Micron Technology Inc. Mt29f4g16abadah4-ait: d -
सराय
ECAD 4355 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F4G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 4 जीबिट चमक २५६ वायर x १६ तपस्वी -
RC48F4400P0VB0EA Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0EA -
सराय
ECAD 7427 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 64-टीबीजीए RC48F4400 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 864 ५२ सराय सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MT48V8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc. MT48V8M32LFF5-8 यह यह -
सराय
ECAD 7536 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT48V8M32 SDRAM - KANAN LPSDR 2.3V ~ 2.7V 90-((8x13) - रोहस २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १२५ सराय सराय 256Mbit 7 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 15NS
M50FLW080BK5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW080BK5TG TR -
सराय
ECAD 8271 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FLW080 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 750 ३३ सराय सराय 8mbit 250 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी -
M29W010B70N1 Micron Technology Inc. M29W010B70N1 -
सराय
ECAD 6108 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) M29W010 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 सराय 1mbit 70 एनएस चमक 128K x 8 तपस्वी 70NS
MT46V32M16TG-75E:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E: C TR -
सराय
ECAD 5255 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 512MBIT 750 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम