SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी Sic पtrauranurauth योग वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT62F768M64D4ZU-031 RF WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4ZU-031 RF WT: B TR 27.9300
सराय
ECAD 5757 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT62F768 - 557-MT62F768M64D4ZU-031RFWT: BTR 2,500
MT25QU256ABA8E12-MAAT Micron Technology Inc. MT25QU256ABA8E12-MAAT 5.6268
सराय
ECAD 6403 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.7V ~ 2V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - 557-MT25QU256ABA8E12-MAAT 1 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस चमक 32 सिया x 8 सवार 1.8ms
MT62F1G64D4EK-023 FAAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 FAAT: B 63.8550
सराय
ECAD 6443 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर - सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: B 1 ४.२६६ तंग सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 तपस्वी -
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT: F TR -
सराय
ECAD 1179 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT: FTR शिर 2,000
MT29F4T08EULEEM4-M:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-M: E 85.7850
सराय
ECAD 8880 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर तमाम नहीं है - 557-MT29F4T08EULEEM4-M: E 1
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AIT: B 44.2350
सराय
ECAD 9484 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT: B 1 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 768M x 64 तपस्वी 18NS
MT53E128M32D2FW-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 WT: एक TR 7.9200
सराय
ECAD 9758 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 557-MT53E128M32D2FW-046WT: ATR 1 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 18NS
MT53E768M32D4DE-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DE-046 WT: E TR 25.0400
सराय
ECAD 2846 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E768M32D4DE-046WT: ETR 1 २.१३३ सरायम सराय 24gbit 3.5 एनएस घूंट 768M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E384M32D2FW-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E384M32D2FW-046 WT: E TR 10.4600
सराय
ECAD 2491 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 557-MT53E384M32D2FW-046WT: ETR 1 २.१३३ सरायम सराय 12gbit 3.5 एनएस घूंट 384M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046 AAT: A -
सराय
ECAD 4983 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 556-TFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - Rohs3 आजthabaira 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT: ए शिर 1 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 768M x 64 तपस्वी 18NS
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AUT: L TR 14.5800
सराय
ECAD 6828 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046AUT: LTR 1
MT53E256M32D1KS-046 WT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 WT: L 9.6500
सराय
ECAD 4709 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046WT: L 1
MT53E256M32D1KS-046 AUT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AUT: L 14.5800
सराय
ECAD 8566 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046AUT: L 1
MT53E256M32D1KS-046 IT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 IT: L 10.6300
सराय
ECAD 6487 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046IT: L 1
MT53E256M32D1KS-046 AAT:L Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AAT: L 9.2705
सराय
ECAD 6022 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: L 1
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AIT: L TR 11.6800
सराय
ECAD 8256 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 200-वीएफबीजीए 200-((10x14.5) - तमाम 557-MT53E256M32D1KS-046AIT: LTR 1
MT40A512M16TD-062E AUT:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TD-062E AUT: R TR -
सराय
ECAD 9159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 96-TFBGA 96-((7.5x13) - तमाम 557-MT40A512M16TD-062EAUT: RTR 1
MT40A1G8AG-062E AUT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AUT: R TR -
सराय
ECAD 7620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम 557-MT40A1G8AG-062EAUT: RTR 1
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 TR 17.0762
सराय
ECAD 8675 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213TR 2,000
MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 -
सराय
ECAD 2488 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 1
MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 Micron Technology Inc. MT29VZZZ7D8GQFSL-046 W.9P8 -
सराय
ECAD 3924 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 1
MTFC128GBCAQTC-AIT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AIT 57.6200
सराय
ECAD 7241 0.00000000 तमाम - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MTFC128GBCAQTC-AIT 1,520
MTFC128GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GBCAQTC-AAT 62.4100
सराय
ECAD 2118 0.00000000 तमाम - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MTFC128GBCAQTC-AAT 1,520
MTFC64GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AAT 35.1800
सराय
ECAD 4179 0.00000000 तमाम - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MTFC64GBCAQTC-AAT 1,520
MTFC64GBCAQTC-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AIT TRA 22.2750
सराय
ECAD 8836 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MTFC64GBCAQTC-AITTR 2,000
MT41K512M8DA-093 IT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-093 IT: P TR -
सराय
ECAD 1823 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc. Mt29f4g01abafd12-aates: f -
सराय
ECAD 8709 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 24-टीबीजीए MT29F4G01 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 सराय 4 जीबिट चमक 4 जी x 1 एसपीआई -
MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 16.7100
सराय
ECAD 5444 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29GZ6A6BPIET-046IT.112 1
MT41K512M4DA-125:K Micron Technology Inc. MT41K512M4DA-125: k -
सराय
ECAD 9956 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 800 तंग सराय 2 जीबिट 13.75 एनएस घूंट 512M x 4 तपस्वी -
MT53D1536M32D6BE-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1536M32D6BE-046 WT: D -
सराय
ECAD 5800 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D1536 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT53D1536M32D6BE-046WT: D 1,360 २.१३३ सरायम सराय 48gbit घूंट 1.5GX 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम