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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2NK-062 WT ES: C -
सराय
ECAD 4302 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,190 1.6 GHz सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
M29F040B90N6 Micron Technology Inc. M29F040B90N6 -
सराय
ECAD 9435 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) M29F040 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 156 सराय 4Mbit 90 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 90NS
N25Q064A13ESEC0F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESEC0F TR -
सराय
ECAD 2505 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-w - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT29F64G08AEAAAC5-ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5-ITZ: A TR -
सराय
ECAD 5577 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-वीएलजीए MT29F64G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 तपस्वी -
M29W640GT70ZA6EP Micron Technology Inc. M29W640GT70ZA6EP -
सराय
ECAD 3621 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -M29W640GT70ZA6EP 3A991B1A 8542.32.0071 187 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHAFM4-3T: एक TR -
सराय
ECAD 2536 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 फmume - नंद 2.5V ~ 3.6V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 ३३३ सरायम सराय 4tbit चमक 512G x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75 IT: G TR -
सराय
ECAD 8506 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((8x16) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
M29W128FH70ZA6E Micron Technology Inc. M29W128FH70ZA6E -
सराय
ECAD 7625 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 136 सराय 128Mbit 70 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 70NS
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M32LFCX-5 AIT: B TR -
सराय
ECAD 7233 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H64M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 2 जीबिट 5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 21.6407
सराय
ECAD 8659 0.00000000 तमाम - थोक शिर - 557-MT29VZZZAD9GUFSM-046W.213 1,520
MTFC64GAZAQHD-IT Micron Technology Inc. Mtfc64gazaqhd-it 29.3250
सराय
ECAD 2142 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए MTFC64 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MTFC64GAZAQHD-IT 1,520 २०० सराय सराय 512GBIT चमक 64G x 8 ईएमएमसी -
MT41J128M16HA-15E AAT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E AAT: D -
सराय
ECAD 6704 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((9x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0036 1,000 667 तंग सराय 2 जीबिट 13.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी -
MT28F640J3RG-115 ET TR Micron Technology Inc. MT28F640J3RG-115 ET TR -
सराय
ECAD 5134 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F640J3 चमक 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64mbit 115 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी -
MT29F16T08GSLCEM9-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 312.5850
सराय
ECAD 3231 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 1
MT29F2T08GELCEJ4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QB: C 39.0600
सराय
ECAD 1867 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB: C 1
MT29F1G08ABAEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-AITX: E -
सराय
ECAD 4884 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) तंग तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8SQ-053 WT ES: E -
सराय
ECAD 7815 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 556-वीएफबीजीए MT53D1G64 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 556-‘(12.4x12.4) - 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 - -
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-10Z: ए -
सराय
ECAD 4288 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-टीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 100-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
M25PE80-VMS6TG TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMS6TG TR -
सराय
ECAD 4222 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar M25PE80 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((6x5) (एमएलपी 8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 75 सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 एसपीआई 15ms, 3ms
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADYAKE-5 IT -
सराय
ECAD 6720 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 137-TFBGA MT29C1G12 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,190 २०० सराय सींग 1GBIT (NAND), 512Mbit (LPDRAM) अफ़म, रत्न 128M x 8 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT: E 23.6850
सराय
ECAD 3661 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53E768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E768M32D4DT-053WT: E Ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz सराय 24gbit घूंट 768M x 32 - -
MT53E512M16D1FW-046 AAT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M16D1FW-046 AAT: D TR 10.3200
सराय
ECAD 6137 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M16D1FW-046AAT: DTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 8gbit 3.5 एनएस घूंट ५१२ सिया x १६ तपस्वी 18NS
MTFC64GBCAVTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc64gbcavtc-aat es tr 38.4600
सराय
ECAD 5345 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MTFC64GBCAVTC-AATESTR 2,000
MT62F4G32D8DV-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-026 AAT: B TR 126.4350
सराय
ECAD 7742 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C - - SDRAM - SDANA LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-026AAT: BTR 2,000 3.2 GHz सराय 128gbit घूंट 4 जी x 32 तपस्वी -
MT29VZZZCD9FQKPR-046 W.G9L TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCD9FQKPR-046 W.G9L TR -
सराय
ECAD 6914 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर MT29VZZZCD9 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 557-MT29VZZZCD9FQKPR-046W.G9LTR शिर 2,000
M50FLW040ANB5TG TR Micron Technology Inc. M50FLW040ANB5TG TR -
सराय
ECAD 9652 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.488 ", 12.40 मिमी antak) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT29F4T08EULKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULKEM4-ITF: K TR 136.1250
सराय
ECAD 4726 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F4T08EULKEM4-ITF: KTR 2,000
MT53E1536M64D8HJ-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 AUT: C 103.8600
सराय
ECAD 5181 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT53E1536M64D8HJ-046AUT: C 1
MT29F8T08EULCHD5-M:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EULCHD5-M: C 167.8050
सराय
ECAD 2655 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F8T08EULCHD5-M: C 1
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CBM-25 IT: B -
सराय
ECAD 4385 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA MT49H32M18 घूंट 1.7V ~ 1.9V 144-ofbga (18.5x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 ४०० सराय सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 32 सिया x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम