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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
JS28F512M29EWLA Micron Technology Inc. JS28F512M29EWLA -
सराय
ECAD 3064 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) JS28F512M29 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V ५६-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 576 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 64 पर X 8, 32 THER X 16 तपस्वी 110NS
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-5 IT: C TR 6.1500
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H16M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT46V32M16TG-6T:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-6T: C TR -
सराय
ECAD 8804 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स - रोहस 4 (72 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MTFC8GLWDM-3L AAT Z Micron Technology Inc. MTFC8GLWDM-3L AAT Z -
सराय
ECAD 3504 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-TFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT46V64M4P-6T:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4P-6T: GTR -
सराय
ECAD 1505 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2FB-7E: D TR -
सराय
ECAD 4256 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT48LC32M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((8x16) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 14NS
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR Micron Technology Inc. MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR -
सराय
ECAD 2573 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
N25Q064A13ESEC0G Micron Technology Inc. N25Q064A13EEC0G -
सराय
ECAD 9164 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) N25Q064A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-w - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 108 सराय सराय 64mbit चमक 16 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
MT28HL32GQBA6EBL-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBA6EBL-0GCT -
सराय
ECAD 3332 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 270
M29W320DT70ZE6E Micron Technology Inc. M29W320DT70ZE6E -
सराय
ECAD 8853 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W320 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -M29W320DT70ZE6E 3A991B1A 8542.32.0071 187 सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 70NS
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAYAMD-5 TR TR -
सराय
ECAD 8419 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 130-वीएफबीजीए MT29C1G12 फmus - नंद, rana, lpdram 1.7V ~ 1.95V 130-((8x9) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 २०० सराय सींग 1GBIT (NAND), 512Mbit (LPDRAM) अफ़म, रत्न 128M x 8 (NAND), 16M x 32 (LPDRAM) तपस्वी -
M29W640GB70ZF3F TR Micron Technology Inc. M29W640GB70ZF3F TR -
सराय
ECAD 1090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
MT46V64M4P-5B:M Micron Technology Inc. Mt46v64m4p-5b: m -
सराय
ECAD 2005 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
MT29F256G08CECABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CECABH6-6: ए -
सराय
ECAD 3587 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 152-वीबीजीए MT29F256G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 152-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 १६६ सराय सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 तपस्वी -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES: B TR -
सराय
ECAD 7722 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F384G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 सराय 384GBIT चमक 48 जी x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-75 IT: G TR -
सराय
ECAD 8506 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-एफबीजीए MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-((8x16) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AAT: J TR -
सराय
ECAD 8303 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC2M32B2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,000 167 अय्यर सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 2 सींग x 32 तपस्वी 12NS
MT46V128M4P-6T:F TR Micron Technology Inc. MT46V128M4P-6T: F TR -
सराय
ECAD 3260 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 128 सिया x 4 तपस्वी 15NS
M58WR032KB7AZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR032KB7AZB6F TR -
सराय
ECAD 1563 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur ५६-वीएफबीजीए M58WR032 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 56-((7.7x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 ६६ सराय सराय 32Mbit 70 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 70NS
MT45W4MW16BBB-708 WT TR Micron Technology Inc. MT45W4MW16BBB-708 WT TR -
सराय
ECAD 9448 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए MT45W4MW16 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 54-((6x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 64mbit 70 एनएस तड़प 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PH-107 WT ES: B TR -
सराय
ECAD 8979 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT52L256 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 8gbit घूंट २५६ वायर x ३२ - -
MT53D4D1ABP-DC Micron Technology Inc. Mt53d4d1abp-dc -
सराय
ECAD 2811 0.00000000 तमाम * थोक शिर Mt53d4 - तमाम 0000.00.0000 1
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C Micron Technology Inc. MT29F2T08CVCCBG6-6R: C -
सराय
ECAD 7357 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 272-LFBGA MT29F2T08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 272-LFBGA (14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 अय्यर सराय 2tbit चमक 256G x 8 तपस्वी -
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Micron Technology Inc. MT53B512M32D2DS-053 AAT: E -
सराय
ECAD 7064 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 1.866 GHz सराय 16Gbit घूंट 512M x 32 - -
MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28FW02GBBA1LPC-0AAT TR 33.7050
सराय
ECAD 5716 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए MT28FW02 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 3.6V 64-LBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT28FW02GBBA1LPC-0AATTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 2 जीबिट 105 एनएस चमक 128 सिया x 16 तपस्वी 60NS
MTFC8GLVEA-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc8glvea-it tr -
सराय
ECAD 1604 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-WFBGA Mtfc8 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 एमएमसी -
MT28F800B3WG-9 T Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 T -
सराय
ECAD 2046 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) MT28F800B3 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 48-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 90 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 90NS
MT28F008B5VG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B5VG-8 TET TR -
सराय
ECAD 5969 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 40-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी rana) MT28F008B5 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 40-tsop I तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,000 सराय 8mbit 80 एनएस चमक 1 सिया x 8 तपस्वी 80NS
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125: ए -
सराय
ECAD 2317 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41K1G16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 0000.00.0000 1,020 800 तंग सराय 16Gbit 13.75 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी -
M29W800FB70ZA3SE Micron Technology Inc. M29W800FB70ZA3SE -
सराय
ECAD 9182 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 187 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम