SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT29F128G08CBECBL95B3WC2 Micron Technology Inc. MT29F128G08CBECBL95B3WC2 -
सराय
ECAD 7394 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V शराबी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
EDB4064B4PB-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1D-FD -
सराय
ECAD 5743 0.00000000 तमाम - थोक शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDB4064 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-WFBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,680 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 64 सिया x 64 तपस्वी -
N25Q128A23BF840E Micron Technology Inc. N25Q128A23BF840E -
सराय
ECAD 1214 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-वीडीएफएन ने ने पैड को को ranahar N25Q128A23 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-((एमएलपी 8) (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) -N25Q128A23BF840E 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
PC28F512P30TFA Micron Technology Inc. PC28F512P30TFA -
सराय
ECAD 2357 0.00000000 तमाम एकmuth ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-टीबीजीए PC28F512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 64-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 ५२ सराय सराय 512MBIT 100 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 100NS
MTFC64GAZAOTD-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAZAOTD-AIT 33.5100
सराय
ECAD 1489 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MTFC64GAZAOTD-AIT 1
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-6 IT: B TR -
सराय
ECAD 4401 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-वीएफबीजीए MT46H16M32 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-((9x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 १६६ सराय सराय 512MBIT 5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 15NS
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F Micron Technology Inc. MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F -
सराय
ECAD 8666 0.00000000 तमाम - थोक शिर MT29VZZZAC8 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,520
M28W640FCT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W640FCT70N6F TR -
सराय
ECAD 7948 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) M28W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 4 सिया x 16 तपस्वी 70NS
M25P64-VMF3TPB TR Micron Technology Inc. M25P64-VMF3TPB TR -
सराय
ECAD 4559 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) M25P64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 75 सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
MT62F2G32D4DS-023 IT:C Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 IT: C 50.2800
सराय
ECAD 1002 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -40 ° C ~ 95 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023IT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 तपस्वी -
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E TR 45.0150
सराय
ECAD 6009 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 132-((12x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: ETR: 8542.32.0071 2,000 267 सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 AUT: E -
सराय
ECAD 5821 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-वीएफबीजीए MT53D1024 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-((10x14.5) - 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 - -
MT29F1T08EELGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F1T08ELGEJ4-ITF: G TR 38.2050
सराय
ECAD 8140 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MT29F1T08ELGEJ4-ITF: GTR 2,000
MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HPC-1SIT TR -
सराय
ECAD 8266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए MT28EW128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-LBGA (11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 सराय 128Mbit 95 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 60NS
MTFC32GJTED-IT Micron Technology Inc. Mtfc32gjted-it -
सराय
ECAD 5535 0.00000000 तमाम ई • एमएमसी ™ शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 169-वीएफबीजीए Mtfc32g फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 169-((14x18) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 256gbit चमक 32 जी x 8 एमएमसी -
PC28F128M29EWHX Micron Technology Inc. PC28F128M29EWHX -
सराय
ECAD 8257 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए PC28F128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 184 सराय 128Mbit 60 एनएस चमक 16M x 8, 8m x 16 तपस्वी 60NS
M50FLW040AK5G Micron Technology Inc. M50FLW040AK5G -
सराय
ECAD 5192 0.00000000 तमाम - नली शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) M50FLW040 फmut - rey औ ही ही ही 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 32 ३३ सराय सराय 4Mbit 250 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी -
MT48LC16M8A2P-75:GTR Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-75: GTR -
सराय
ECAD 5953 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC16M8A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,000 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU01GHBB8ESF-0SIT TR -
सराय
ECAD 9029 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
MT58L128L32P1T-6 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-6 4.8600
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L128L32 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 500 १६६ सराय सराय 4Mbit 3.5 एनएस शिर 128K x 32 तपस्वी -
N25QH32A13EV7A0 Micron Technology Inc. N25QH32A13EV7A0 -
सराय
ECAD 1774 0.00000000 तमाम - थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1
MT53E128M32D2DS-053 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M32D2DS-053 AIT: A TR 7.9500
सराय
ECAD 1146 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53E128 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम MT53E128M32D2DS-053AIT: ATR Ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 - -
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT: B TR -
सराय
ECAD 7183 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 256-WFBGA MT52L256 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.2V 256-((14x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ - -
MT47H64M16BT-3:A TR Micron Technology Inc. MT47H64M16BT-3: A TR -
सराय
ECAD 2969 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 92-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 92-((11x19) तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,000 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MT53D512M64D8HR-053 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT: B TR -
सराय
ECAD 3728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) MT53D512M64D8HR-053WT: BTR शिर 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz सराय 32Gbit घूंट 512M x 64 - -
MT29F8G16ADADAH4-IT:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADADAH4-IT: D -
सराय
ECAD 3599 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F8G16 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 63-((9x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 8gbit चमक ५१२ सिया x १६ तपस्वी -
MT41K512M8DA-107 XIT:P Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 XIT: P 10.6400
सराय
ECAD 978 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA MT41K512M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1 933 सरायम सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी -
MT53D384M32D2DS-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 WT ES: E -
सराय
ECAD 3373 0.00000000 तमाम - शिर शिर -30 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA MT53D384 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1,360 1.866 GHz सराय 12gbit घूंट 384M x 32 - -
MT41J64M16JT-15E AAT:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E AAT: G -
सराय
ECAD 9207 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-((8x14) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 667 तंग सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी -
MT46V32M16BN-5B IT:F Micron Technology Inc. MT46V32M16BN-5B IT: F -
सराय
ECAD 8119 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-((10x12.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,000 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम