SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
MT58L32L32PT-6 Micron Technology Inc. MT58L32L32PT-6 10.9700
सराय
ECAD 38 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2B 8542.32.0041 500 १६६ सराय सराय 1mbit 3.5 एनएस शिर 32K x 32 तपस्वी -
MT58L512L18PS-6 Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-6 -
सराय
ECAD 9880 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L512L18 Sram - सिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 १६६ सराय सराय 8mbit 3.5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
MT58L64L18PT-7.5 Micron Technology Inc. MT58L64L18PT-7.5 8.0800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L64L18 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2B 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 1mbit 4.2 एनएस शिर 64K x 18 तपस्वी -
MT57W512H36JF-5 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-5 28.0100
सराय
ECAD 262 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए MT57W512H SRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 २०० सराय सराय 18mbit 5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
MT58L256L36FT-10IT Micron Technology Inc. MT58L256L36FT-10IT 17.3600
सराय
ECAD 447 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp SRAM - SANANY 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 ६६ सराय सराय 8mbit 10 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
MT55L256V32PT-7.5 Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-7.5 8.9300
सराय
ECAD 345 0.00000000 तमाम ZBT® थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT55L256V SRAM - KENRA, ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 १३३ सराय सराय 8mbit 4.2 एनएस शिर 256K x 32 तपस्वी -
MT57W2MH8CF-6 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-6 28.3700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए Mt57w2mh Sram - सिंकthirोनस 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 अय्यर सराय 18mbit शिर 2 सींग x 8 तपस्वी -
MT58L64L36PT-5 Micron Technology Inc. MT58L64L36PT-5 5.7500
सराय
ECAD 197 0.00000000 तमाम सींग थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp MT58L64L36 शिर 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 २०० सराय सराय 2mbit 3.5 एनएस शिर 64K x 36 तपस्वी -
MT55L256L18P1F-10 Micron Technology Inc. MT55L256L18P1F-10 5.5100
सराय
ECAD 149 0.00000000 तमाम ZBT® थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए SRAM - ZBT 3.135V ~ 3.465V 165-((13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 सराय सराय 4Mbit 5 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT: E -
सराय
ECAD 9875 0.00000000 तमाम - शिर शिर सतह rurcur 200-WFBGA MT53E512 200-WFBGA (10x14.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) शिर 1,360
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AUT: D TR -
सराय
ECAD 2642 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: DTR 1 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AUT: D -
सराय
ECAD 4416 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: D 1 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E1G32D2FW-046 AIT:C Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AIT: C -
सराय
ECAD 5951 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AIT: C 1 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAAT: बी -
सराय
ECAD 4582 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAAT: बी 1 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 32 तपस्वी 18NS
MT53E1G32D2FW-046 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 AAT: C TR -
सराय
ECAD 6418 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046AAT: CTR 1 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B TR -
सराय
ECAD 1661 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT: BTR 1 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 512M x 32 तपस्वी 18NS
MTFC128GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAZAOTD-AAT 65.5350
सराय
ECAD 5494 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MTFC128GAZAOTD-AAT 1
MTFC128GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC128GBCAVTC-AAT ES 60.4800
सराय
ECAD 1573 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MTFC128GBCAVTC-AATES 1
MT53E768M32D2FW-046 AUT:C Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 AUT: C 43.6350
सराय
ECAD 6976 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT53E768M32D2FW-046AUT: C 1
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AUT: B TR 71.3850
सराय
ECAD 9640 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AUT: BTR 1,500 3.2 GHz सराय 64gbit घूंट 1 जी x 64 तपस्वी -
MT29F512G08EBLEEJ4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F512G08EBLEEJ4-QA: E 13.2450
सराय
ECAD 2426 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QA: E 1
MTFC64GBCAQTC-AAT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc64gbcaqtc-aat es tr 29.4000
सराय
ECAD 7673 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर - 557-MTFC64GBCAQTC-AATESTRE 2,000
MT62F2G64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F2G64D8CL-023 WT: B 74.4900
सराय
ECAD 4341 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - DDR5 1.05V - - 557-MT62F2G64D8CL-023WT: बी 1 ४.२६६ तंग सराय 128gbit घूंट 2 जी x 64 तपस्वी -
MT29F4G01ABAFD12-AUT:F Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFD12-AUT: F 4.2603
सराय
ECAD 2937 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर - 557-MT29F4G01ABAFD12-AUT: F 1
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT ES: B 31.9350
सराय
ECAD 9571 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AATES: B 1 ४.२६६ तंग सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 तपस्वी -
MT53E1536M32D4DE-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 WT: B TR 36.0000
सराय
ECAD 4674 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046WT: BTR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 48gbit 3.5 एनएस घूंट 1.5GX 32 तपस्वी 18NS
MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: A TR 27.1500
सराय
ECAD 2425 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT: ATR 2,000 २.१३३ सरायम सराय 32Gbit घूंट 1 जी x 32 तपस्वी 18NS
MT62F2G32D4DS-026 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AAT: B TR 63.8550
सराय
ECAD 9218 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AAT: BTR 2,000 3.2 GHz सराय 64gbit घूंट 2 जी x 32 तपस्वी -
MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR Micron Technology Inc. MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K TR -
सराय
ECAD 3143 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 149-WFBGA फmut - नंद (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-WFBGA (8x9.5) तंग 557-MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87KTR शिर 2,000 सींग 4 जीबिट 25 एनएस अफ़म, रत्न 512M x 8 ओनफी 30ns
MT40A2G8JE-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A2G8JE-062E AUT: E 24.0300
सराय
ECAD 2769 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((9x11) तंग 557-MT40A2G8JE-062EAUT: E 1 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 2 जी x 8 पॉड 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम