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स स0500 (70500)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
S29PL032J55BAI120 Infineon Technologies S29PL032J55BAI120 -
सराय
 ECAD 9690 0.00000000 इंफीनन टेक पीएल-पीएल शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 48-वीएफबीजीए S29PL032 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-FBGA (8.15x6.15) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 338 सराय 32Mbit 55 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 55NS
IS61VPS204836B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-2550B3L-TR 112.7000
सराय
 ECAD 5788 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VPS204836 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २५० तंग सराय 72MBIT 2.8 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
MX29LV400CTXBC-70G Macronix MX29LV400CTXBC-70G -
सराय
 ECAD 1767 0.00000000 तिहाई MX29LV शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA, CSPBGA MX29LV400 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA, CSP (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 480 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 70NS
W25Q32JVZPAQ Winbond Electronics W25Q32JVZPAQ -
सराय
 ECAD 7607 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x5) - 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25Q32JVZPAQ 1 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 सवार 3ms
60KD4-C ProLabs 60kd4-c 30.0000
सराय
 ECAD 7698 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-60KD4-C Ear99 8473.30.5100 1
RM25C128C-LTAI-T Adesto Technologies RM25C128C-LTAI-T -
सराय
 ECAD 5927 0.00000000 एडेसmuth टेक सराय R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) RM25C128 एक प्रकार का 1.65V ~ 3.6V 8-TSSOP - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 10 सराय सराय 128kbit CBRAM® ६४ तंग एसपीआई 100s, 5ms
FM25CL64B-DGTR Infineon Technologies FM25CL64B-DGTR 3.5400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 इंफीनन टेक F-ram ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana FM25CL64 फrigurैम (ther फेruriguthurिक riैम) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (4x4.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 २० सभा सराय 64kbit शिर 8K x 8 एसपीआई -
IS42SM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200C-75BLI -
सराय
 ECAD 2528 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16200 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस घूंट 2 सींग x 16 तपस्वी -
93LC56A-E/MS Microchip Technology 93LC56A-E/MS 0.4950
सराय
 ECAD 7901 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 मिमी ranak) 93LC56 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-एमएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93LC56A-E/MS-NDR Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8 अफ़सस 6ms
7006S17PF Renesas Electronics America Inc 7006S17PF -
सराय
 ECAD 1081 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलक 7006S17 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 64-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 45 सराय 128kbit 17 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी 17ns
IS66WV51216EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EALL-70BLI 2.8713
सराय
 ECAD 4421 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS66WV51216 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 8mbit 70 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 70NS
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B2LA3-TR -
सराय
 ECAD 5853 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS64LPS102436 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 १६६ सराय सराय 36mbit 3.8 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
AS6C6264-55SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C6264-55SINTR 2.5643
सराय
 ECAD 7540 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-SHIC (0.330 ", 8.38 मिमी antake) AS6C6264 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 5.5V 28-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 64kbit 55 एनएस शिर 8K x 8 तपस्वी 55NS
IS43R16160F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TL 2.7093
सराय
 ECAD 5045 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R16160 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 २०० सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
MR0DL08BMA45 Everspin Technologies Inc. MR0DL08BMA45 15.1871
सराय
 ECAD 1792 0.00000000 Rayrauth टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-LFBGA Mr0dl08 Mram (t मैगthurrauntuth riैम) 2.7V ~ 3.6V 48-‘(8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 819-1060 Ear99 8542.32.0071 349 सराय 1mbit 45 एनएस तमाम 128K x 8 तपस्वी 45NS
M29W800FB70ZA3SE Micron Technology Inc. M29W800FB70ZA3SE -
सराय
 ECAD 9182 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA M29W800 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 187 सराय 8mbit 70 एनएस चमक 1m x 8, 512k x 16 तपस्वी 70NS
CAT25160YI-G onsemi Cat25160yi-g -
सराय
 ECAD 4453 0.00000000 Onsemi - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) CAT25160 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २० सभा सराय 16kbit ईपॉम 2k x 8 एसपीआई 5ms
S-93C76AFT-TB-U ABLIC Inc. S-93C76AFT-TB-U 0.2673
सराय
 ECAD 4735 0.00000000 एब एब इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) S-93C76 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8542.32.0051 4,000 २ सराय सराय 8kbit ईपॉम 512 x 16 अफ़सस 10ms
MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-AITX: E -
सराय
 ECAD 7219 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G08 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((9x11) - तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 तपस्वी -
70V261L35PF8 Renesas Electronics America Inc 70V261L35PF8 -
सराय
 ECAD 9968 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70V261 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 750 सराय 256kbit 35 एनएस शिर 16K x 16 तपस्वी 35NS
AT25128N1-10SI Microchip Technology AT25128N1-10SI -
सराय
 ECAD 9283 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT25128 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 16-हुकिक तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम AT25128N110SI Ear99 8542.32.0051 48 ३ सराय सराय 128kbit ईपॉम 16K x 8 एसपीआई 5ms
IS43R86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI-TR 5.3639
सराय
 ECAD 2578 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R86400 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
MT46V64M4P-6T:GTR Micron Technology Inc. MT46V64M4P-6T: GTR -
सराय
 ECAD 1505 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT46V64M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 1,000 167 अय्यर सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 64 सिया x 4 तपस्वी 15NS
W947D6HBHX5E Winbond Electronics W947D6HBHX5E 3.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 इलेक - शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 60-TFBGA W947D6 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-((8x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 312 २०० सराय सराय 128Mbit 5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 15NS
CY7C4022KV13-106FCXC Infineon Technologies CY7C4022KV13-106FCXC 246.3293
सराय
 ECAD 9235 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 361-BBGA, FCBGA CY7C4022 SRAM - PARCARोनस, QDR IV 1.26V ~ 1.34V 361-FCBGA (21x21) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम SP005651539 3A991B2A 8542.32.0041 300 1.066 GHz सराय 72MBIT शिर 4 सिया x 18 तपस्वी -
IS61WV3216DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV3216DBLL-10TLI-TRE 2.3210
सराय
 ECAD 2206 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS61WV3216 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 512kbit 10 एनएस शिर 32K x 16 तपस्वी 10NS
71V67603S166BQ8 Renesas Electronics America Inc 71V67603S166BQ8 32.2143
सराय
 ECAD 2237 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए 71V67603 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-नग (13x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १६६ सराय सराय 9mbit 3.5 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
IS64C25616AL-12CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64C25616AL-12CTLA3-TR 9.4500
सराय
 ECAD 1234 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64C25616 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
27C128-30MD Rochester Electronics, LLC 27C128-30MD 44.1100
सराय
 ECAD 154 0.00000000 रत्यसदुरी, - थोक शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 27C128 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0061 1 सराय 128kbit 300 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी -
CY7C1021CV26-15ZSXET Infineon Technologies CY7C1021CV26-15ZSXET 5.1975
सराय
 ECAD 8990 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY7C1021 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 2.7V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 सराय 1mbit 15 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 15NS
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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