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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
MX68GL1G0GDXFI-11Q Macronix MX68GL1G0GDXFI-11Q 14.0030
सराय
 ECAD 2310 0.00000000 तिहाई MX68GL शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V ५६-स - 3 (168 घंटे) 1092-MX68GL1G0GDXFI-11Q 144 सराय 1gbit 110 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 110NS
74S289PC Fairchild Semiconductor 74S289PC -
सराय
 ECAD 6609 0.00000000 सराय * थोक शिर - रोहस 2 ए ए (4 किलोशान) सराय Ear99 8542.32.0071 1
IS61LF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3 -
सराय
 ECAD 9073 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 144 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IDT71016S12PHGI Renesas Electronics America Inc IDT71016S12PHGI -
सराय
 ECAD 7904 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IDT71016 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग 3 (168 घंटे) तमाम 71016S12PHGI 3A991B2B 8542.32.0041 26 सराय 1mbit 12 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 12NS
CG8188AA Infineon Technologies CG8188AA -
सराय
 ECAD 9008 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 468
GD25LQ80ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80ETIGR 0.3786
सराय
 ECAD 9730 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LQ R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-सेप तंग 1970-GD25LQ80ETIGRTR 3,000 १३३ सराय सराय 8mbit 6 एनएस चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 60 के दशक, 2.4ms
IS45S16160J-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7BLA2-TR 4.2171
सराय
 ECAD 8141 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
24LC00T-I/OTG Microchip Technology 24LC00T-I/OTG 0.2400
सराय
 ECAD 7610 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur SC-74A, SOT-753 24LC00 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V -23-5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz सराय 128bit 3.5 µs ईपॉम 16 x 8 मैं एसी 4ms
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TRE 7.5000
सराय
 ECAD 5923 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS64WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
W25Q32FVSSIG TR Winbond Electronics W25Q32FVSSIG TR -
सराय
 ECAD 6078 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) W25Q32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
MX25S6433FM2I02 Macronix MX25S6433FM2I02 1.5504
सराय
 ECAD 8019 0.00000000 तिहाई Mxsmio ™ नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.14V ~ 1.6V 8-सेप - 3 (168 घंटे) 1092-MX25S6433FM2I02 92 १०४ सराय सराय 64mbit 6 एनएस चमक 16M x 4, 32M x 2, 64M x 1 सवार 100s, 4.6ms
M29W640GT70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GT70ZS6E -
सराय
 ECAD 6133 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए M29W640 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 160 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 70NS
AS6C2008-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C2008-55SIN 3.7403
सराय
 ECAD 5978 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.445 ", 11.30 मिमी rana) AS6C2008 Sram - एसिंकthirोनस 2.7V ~ 3.6V 32-एसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 सराय 2mbit 55 एनएस शिर 256K x 8 तपस्वी 55NS
CY7C1645KV18-400BZXI Cypress Semiconductor Corp CY7C1645KV18-400BZXI 319.9600
सराय
 ECAD 58 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1645 Sram - सिंकthirोनस, qdr ii+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) तंग 1 ४०० सराय सराय 144mbit शिर 4 परा x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
S29GL512T13DHNV10 Infineon Technologies S29GL512T13DHNV10 12.0050
सराय
 ECAD 1840 0.00000000 इंफीनन टेक जीएल-जीएल शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL512 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 64-((9x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,600 सराय 512MBIT 130 एनएस चमक 64 सिया x 8 तपस्वी 60NS
MT40A4G4VA-062EPS:B Micron Technology Inc. MT40A4G4VA-062EPS: B -
सराय
 ECAD 1343 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA Mt40a4g4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-((10x11) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 557-MT40A4G4VA-062EPS: B शिर 1,520 1.6 GHz सराय 16Gbit 19 एनएस घूंट 4 जी x 4 तपस्वी 15NS
CY14B104N-ZS25XI Cypress Semiconductor Corp CY14B104N-ZS25XI 1.0000
सराय
 ECAD 8124 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) CY14B104 Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B2B 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 25 एनएस एक प्रकार का 256K x 16 तपस्वी 25NS तमाम नहीं है
S25FL116K0XNFI013 Cypress Semiconductor Corp S25FL116K0XNFI013 4.0000
सराय
 ECAD 16 0.00000000 Rayr सेमीकंडक FL1-k R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana S25FL116 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8542.32.0071 125 108 सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 3ms
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-45TLA3-TRE -
सराय
 ECAD 7396 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS65WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 45NS
AT24C02C-MAHM-T Microchip Technology AT24C02C-MAHM-T 0.3000
सराय
 ECAD 54 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran AT24C02 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 5,000 1 सराय सराय 2kbit 550 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
N25Q128A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13ESF40F TR -
सराय
 ECAD 7145 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) N25Q128A13 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 16- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 सराय सराय 128Mbit चमक 32 सिया x 4 एसपीआई 8ms, 5ms
W25M512JWBIQ TR Winbond Electronics W25M512JWBIQ TR 5.9250
सराय
 ECAD 9891 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए W25M512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25M512JWBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 512MBIT 7 एनएस चमक 64 सिया x 8 एसपीआई 5ms
AS62V256A-70SIN Alliance Memory, Inc. AS62V256A-70SIN 1.7995
सराय
 ECAD 3606 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 28-SHIC (0.330 ", 8.38 मिमी antake) AS62V256 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 28-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-1130-5 Ear99 8542.32.0041 25 सराय 256kbit 70 एनएस शिर 32K x 8 तपस्वी 70NS
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4D4D4SB-046 XT ES: A TR -
सराय
 ECAD 7689 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.1V - शिर 2,000 २.१३३ सरायम सराय 48gbit घूंट 768M x 64 - -
IDT71V016SA20Y Renesas Electronics America Inc IDT71V016SA20Y -
सराय
 ECAD 7186 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 44-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IDT71V016 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 44-SOJ तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 71V016SA20Y 3A991B2B 8542.32.0041 16 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 20NS
IS42VM32100D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32100D-75BLI-TR 2.2831
सराय
 ECAD 8780 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42VM32100 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस घूंट 1 सिया x 32 तपस्वी -
HN58X2404STI#S0 Renesas Electronics America Inc HN58X2404STI#S0 1.3000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 3,000
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R Micron Technology Inc. EDFA364A3PD-JDTJ-FR -
सराय
 ECAD 8380 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFA364 SDRAM - KANAK LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 933 सरायम सराय 16Gbit घूंट २५६ वायर x ६४ तपस्वी -
W66CM2NQUAHJ TR Winbond Electronics W66CM2NQUAHJ TR 9.3900
सराय
 ECAD 2501 0.00000000 इलेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA W66CM2 SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-WFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W66CM2NQUAHJTR Ear99 8542.32.0036 2,500 २.१३३ सरायम सराय 4 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Lvstl_11 18NS
BR25G320FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR25G320FVT-3GE2 0.7200
सराय
 ECAD 5141 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) BR25G320 ईपॉम 1.6V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 २० सभा सराय 32kbit ईपॉम 4K x 8 एसपीआई 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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