SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब - Sic पtrauranurauth योग
CY7C1525V18-250BZXC Infineon Technologies CY7C1525V18-250BZXC -
सराय
ECAD 7145 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1525 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 5 (48 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 102 २५० तंग सराय 72MBIT शिर 8 सिया x 9 तपस्वी -
MT29F128G08AKAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5-IT: A -
सराय
ECAD 3924 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 52-वीएलजीए MT29F128G08 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 तपस्वी -
93LC56/SN Microchip Technology 93lc56/sn 0.7400
सराय
ECAD 565 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93LC56 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 93LC56/SN-NDR Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8, 128 x 16 अफ़सस 10ms
SST25WF020A-40I/MF Microchip Technology SST25WF020A-40I/MF 1.3050
सराय
ECAD 6494 0.00000000 तमाम SST25 नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana SST25WF020 चमक 1.65V ~ 1.95V 8-WDFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 98 40 सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 3.5ms
NM27C128Q150 onsemi NM27C128Q150 -
सराय
ECAD 5939 0.00000000 Onsemi - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 28-CDIP (0.600 ", 15.24 विंडो) विंडो NM27C12 EPROM - UV 4.5V ~ 5.5V 28-सीडीआईपी तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0061 12 सराय 128kbit 150 एनएस शिर 16K x 8 तपस्वी -
MT53D4DANW-DC Micron Technology Inc. MT53D4DANW-DC -
सराय
ECAD 4950 0.00000000 तमाम - कड़ा शिर Mt53d4 - 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1,190
C-1333D3QR4RN/32G ProLabs C-1333D3QR4RN/32G 187.5000
सराय
ECAD 8662 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-C-1333D3QR4RN/32G Ear99 8473.30.5100 1
49Y1562-C ProLabs 49Y1562-C 37.0000
सराय
ECAD 9325 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-49Y1562-C Ear99 8473.30.5100 1
575-A0113-02 Cypress Semiconductor Corp 575-A0113-02 1.6640
सराय
ECAD 360 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - शिर शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2832-575-A0113-02 360 तमाम नहीं है
IS43LQ16128AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062TBLI 9.7726
सराय
ECAD 2995 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43LQ16128AL-062TBLI 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 12.6754
सराय
ECAD 2938 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA33 480 सराय 8mbit 10 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 10NS
S26KL512SDABHB030 Infineon Technologies S26KL512SDABHB030 12.6525
सराय
ECAD 1716 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, एईसी-क emachut 100, vanahirrautun ™ ™ शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-वीबीजीए S26KL512 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -S26KL512SDABHB030 3A991B1A 8542.32.0071 338 100 सराय सराय 512MBIT 96 एनएस चमक 64 सिया x 8 तपस्वी -
S25FL256SAGBAEA03 Infineon Technologies S25FL256SAGBAEA03 74.0600
सराय
ECAD 7591 0.00000000 इंफीनन टेक फ़thur-एस R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 सवार -
IS43LD32128B-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPL-TR -
सराय
ECAD 2549 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 168-वीएफबीजीए IS43LD32128 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 168-वीएफबीजीए (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32128B-25BPL Ear99 8542.32.0036 1 ४०० सराय सराय 4 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 128 सिया x 32 Hsul_12 15NS
AA286624-C ProLabs AA286624-C 55.7500
सराय
ECAD 7199 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-AA286624-C Ear99 8473.30.5100 1
FT24C04A-ETR-B Fremont Micro Devices Ltd Ft24c04a-etr-b -
सराय
ECAD 8194 0.00000000 Fremont vapakirो kanaute लिमिटेड - नली Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) FT24C04 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 4kbit 550 एनएस ईपॉम 512 x 8 मैं एसी 5ms
DS28E02P-W10+4T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E02P-W10+4T -
सराय
ECAD 1794 0.00000000 तंग kanak इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -20 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 6-जे, लीड-लीड DS28E02 ईपॉम 1.75V ~ 3.65V 6-टॉक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 175-DS28E02P-W10+4TTR शिर 4,000 सराय 1kbit 2 µs ईपॉम 256 x 4 1 कसौटी® 25ms
93AA66-I/P Microchip Technology 93AA66-I/P 0.7500
सराय
ECAD 3061 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) 93AA66 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम 93AA66-I/P-NDR Ear99 8542.32.0051 60 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 अफ़सस 10ms
71V124SA10YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10YG 1.6000
सराय
ECAD 310 0.00000000 आईडीटी, एकीकृत rurण पruthurauthuth इंक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) 71V124 Sram - एसिंकthirोनस 3.15V ~ 3.6V 32-सोज तंग 3A991B2B 8542.32.0041 1 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
M36W432T85ZA6T STMicroelectronics M36W432T85ZA6T -
सराय
ECAD 5711 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-LFBGA M36W432 चमक 2.7V ~ 3.3V 66-LFBGA (12x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 सराय 32Mbit 85 एनएस चमक 2 सींग x 16 तपस्वी 85NS
W25R128FVEIQ Winbond Electronics W25R128FVEIQ -
सराय
ECAD 8086 0.00000000 इलेक Spiflash® नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25R128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25R128FVEIQ शिर 8542.32.0071 63 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार 50s, 3ms
71T75602S100BGG Renesas Electronics America Inc 71T75602S100BGG 41.3158
सराय
ECAD 4447 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर तंग 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए 71T75602 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 2.375V ~ 2.625V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 100 सराय सराय 18mbit 5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
CY7C1170KV18-450BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1170KV18-450BZXC 41.2200
सराय
ECAD 591 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1170 SRAM - PARCURोनस, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-((13x15) तंग 8 ४५० सराय सराय 18mbit शिर 512K x 36 तपस्वी - तमाम नहीं है
IS46DR81280C-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA2-TR -
सराय
ECAD 1196 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit 400 पीएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
AS4C128M32MD2-18BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BINTR -
सराय
ECAD 8242 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-वीएफबीजीए AS4C128 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-((10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,000 ५३३ सरायम सराय 4 जीबिट घूंट 128 सिया x 32 तपस्वी 15NS
LE25U40CMDTWG onsemi LE25U40CMDTWG 1.0700
सराय
ECAD 4 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) तंग -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) LE25U40 चमक 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira २ (१ सींग) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 40 सराय सराय 4Mbit चमक 512K x 8 एसपीआई 5ms
AF010GEC5A-2004IX ATP Electronics, Inc. AF010GEC5A-2004IX 17.5900
सराय
ECAD 20 0.00000000 इलेक इलेकmuniraugut, इंक। - शिर शिर तंग 1 (असीमित) तमाम 1282-AF010GEC5A-2004IX 760
93LC46AX-I/SN Microchip Technology 93LC46AX-I/SN 0.3150
सराय
ECAD 7830 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93LC46 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 93LC46AX-I/SNG-ND Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 1kbit ईपॉम 128 x 8 अफ़सस 6ms
S25FL116K0XMFB040 Nexperia USA Inc. S25FL116K0XMFB040 -
सराय
ECAD 3136 0.00000000 अफ़संद - थोक शिर - 2156-S25FL116K0XMFB040 1
BR93G66NUX-3BTTR Rohm Semiconductor BR93G66NUX-3BTTR 0.5000
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran BR93G66 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V VSON008X2030 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 4,000 ३ सराय सराय 4kbit ईपॉम 256 x 16 अफ़सस 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम