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स्मृति (70500)
| छवि | उत्पाद संख्या | मूल्य निर्धारण (USD) | मात्रा | इकैड | उपलब्धि | वजन (किग्रा) | मंचित | शृंखला | पैकेट | उत्पाद की स्थिति | परिचालन तापमान | माउन्टिंग का प्रकार | पैकेज / मामला | आधार उत्पाद संख्या | तकनीकी | वोल्टेज - आपूर्ति | आपूर्तिकर्ता युक्ति पैकेज | डेटा शीट | रोह्स स्टेटस | नमी संवेदनशीलता स्तर (एमएसएल) | तक पहुँचने की स्थिति | अन्य नामों | ईसीसीएन | HTSUS | मानक पैकेज | घड़ी आवृत्ति | स्मृति प्रकार | मेमोरी का आकार | पहूंच समय | स्मृति प्रारूप | स्मृति संगठन | मैमोरी इंटरफ़ेस | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT28C010-12UM/883 | 590.5950 |  | 2877 | 0.00000000 | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी | - | डिब्बा | सक्रिय | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | होल के माध्यम से | 30-बीसीपीजीए | AT28C010 | ईपॉम | 4.5V ~ 5.5V | 30-सीपीजीए (16.51x13.97) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | AT28C01012UM883 | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 20 | गैर वाष्पशील | 1mbit | 120 एनएस | ईपॉम | 128K x 8 | समानांतर | 10ms | ||
 | BR24T02F-WGE2 | 0.3900 | | 441 | 0.00000000 | रोहम सेमीकंडक्टर | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-SHIC (0.173 ", 4.40 मिमी चौड़ाई) | BR24T02 | ईपॉम | 1.6V ~ 5.5V | 8-सेप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | गैर वाष्पशील | 2kbit | ईपॉम | 256 x 8 | I ac | 5ms | |||
 | MT46H16M16LFBF-6: A TR | - | | 6278 | 0.00000000 | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | - | टेप और रील (टीआर) | Sic में बंद कर दिया | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह पर्वत | 60-वीएफबीजीए | MT46H16M16 | SDRAM - मोबाइल LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-वीएफबीजीए (8x9) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 256Mbit | 5 एनएस | घूंट | 16 मीटर x 16 | समानांतर | 12NS | ||
 | MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR | - | | 1303 | 0.00000000 | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 137-वीएफबीजीए | MT29C4G48 | फ्लैश - नंद, मोबाइल lpdram | 1.7V ~ 1.95V | 137-वीएफबीजीए (13x10.5) | - | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 मेगाहर्ट्ज | गैर-वाष्पशील, अस्थिर | 4 जीबिट (नंद), 2 जीबिट (एलपीडीआरएम) | फ्लैश, राम | 512M x 8 (NAND), 64M x 32 (LPDRAM) | समानांतर | - | ||||
 | BR24C02-MN6TP | 0.4500 | | 2 | 0.00000000 | रोहम सेमीकंडक्टर | - | टेप और रील (टीआर) | नए डिजाइनों के लिए नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-SHIC (0.154 ", 3.90 मिमी चौड़ाई) | BR24C02 | ईपॉम | 4.5V ~ 5.5V | 8-सेप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | गैर वाष्पशील | 2kbit | ईपॉम | 256 x 8 | I ac | 5ms | |||
 | 24AA014HT-I/MNY | 0.4050 | | 9561 | 0.00000000 | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-wfdfn ने पैड को उजागर किया | 24AA014 | ईपॉम | 1.7V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | गैर वाष्पशील | 1kbit | 900 एनएस | ईपॉम | 128 x 8 | I ac | 5ms | ||
 | 71V424S10YG8 | 7.5700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह पर्वत | 36-बीएसओजे (0.400 ", 10.16 मिमी चौड़ाई) | 71V424 | SRAM - एसिंक्रोनस | 3V ~ 3.6V | 36-SOJ | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | परिवर्तनशील | 4Mbit | 10 एनएस | श्रीम | 512K x 8 | समानांतर | 10NS | |||
 | 70T3599S200BC8 | 236.2549 | | 8721 | 0.00000000 | Renesas इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह पर्वत | 256-एलबीजीए | 70T3599 | SRAM - दोहरी बंदरगाह, सिंक्रोनस | 2.4V ~ 2.6V | 256-कैबा (17x17) | डाउनलोड करना | ROHS गैर-अनुपालन | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 4.5mbit | 3.4 एनएस | श्रीम | 128K x 36 | समानांतर | - | ||
| BR24C02-WMN6TP | 0.3285 | | 9556 | 0.00000000 | रोहम सेमीकंडक्टर | - | टेप और रील (टीआर) | नए डिजाइनों के लिए नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-SHIC (0.154 ", 3.90 मिमी चौड़ाई) | BR24C02 | ईपॉम | 2.5V ~ 5.5V | 8-सेप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | गैर वाष्पशील | 2kbit | ईपॉम | 256 x 8 | I ac | 5ms | |||
 | IDT71V3558S100BG8 | - | | 1805 | 0.00000000 | Renesas इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | सतह पर्वत | 119-बीजीए | IDT71V3558 | एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर (जेडबीटी) | 3.135V ~ 3.465V | 119-पीबीजीए (14x22) | डाउनलोड करना | ROHS गैर-अनुपालन | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 71V3558S100BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 4.5mbit | 5 एनएस | श्रीम | 256K x 18 | समानांतर | - | |
 | BR93G86FVT-3BGE2 | - | | 9003 | 0.00000000 | रोहम सेमीकंडक्टर | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी चौड़ाई) | BR93G86 | ईपॉम | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSSOP | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 3 मेगाहर्ट्ज | गैर वाष्पशील | 16kbit | ईपॉम | 1k x 16 | माइक्रोवायर | 5ms | |||
 | AT28HC256E-12SU-202 | - | | 5474 | 0.00000000 | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | सतह पर्वत | 28-SHIC (0.295 ", 7.50 मिमी चौड़ाई) | AT28HC256 | ईपॉम | 4.5V ~ 5.5V | 28-SCIC | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | गैर वाष्पशील | 256kbit | 120 एनएस | ईपॉम | 32K x 8 | समानांतर | 10ms | |||
 | BR34E02NUX-WTR | 0.5900 | | 1 | 0.00000000 | रोहम सेमीकंडक्टर | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-ufdfn ने पैड को उजागर किया | BR34E02 | ईपॉम | 1.7V ~ 3.6V | VSON008X2030 | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 1 (असीमित) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 400 kHz | गैर वाष्पशील | 2kbit | ईपॉम | 256 x 8 | I ac | 5ms | |||
 | IS66WVE4M16TBLL-70BLI | 4.4342 | | 5755 | 0.00000000 | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | - | ट्रे | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFBGA | Is66wve4m16 | PSRAM (छद्म SRAM) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | परिवर्तनशील | 64mbit | 70 एनएस | सराय | 4 मीटर x 16 | समानांतर | 70NS | |||
 | S29AL016J70TFA013 | - | | 3058 | 0.00000000 | इंफीनन टेक्नोलॉजीज | मोटर वाहन, AEC-Q100, AL-J | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी चौड़ाई) | S29AL016 | फ्लैश - और न ही | 2.7V ~ 3.6V | 48-स्टॉप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | गैर वाष्पशील | 16Mbit | 70 एनएस | चमक | 2m x 8, 1m x 16 | समानांतर | 70NS | |||
 | IS62WV2568EBLL-45HLI-TR | 2.3162 | | 9557 | 0.00000000 | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी चौड़ाई) | IS62WV2568 | SRAM - एसिंक्रोनस | 2.2V ~ 3.6V | 32-tsop I | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | परिवर्तनशील | 2mbit | 45 एनएस | श्रीम | 256K x 8 | समानांतर | 45NS | |||
| CY7C1061G30-10ZXE | 50.0500 | | 1475 | 0.00000000 | इंफीनन टेक्नोलॉजीज | - | ट्रे | सक्रिय | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी चौड़ाई) | CY7C1061 | SRAM - एसिंक्रोनस | 2.2V ~ 3.6V | 48-tsop I | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 192 | परिवर्तनशील | 16Mbit | 10 एनएस | श्रीम | 1 मीटर x 16 | समानांतर | 10NS | |||
 | MT46H64M16LFBF-5 IT: B | 7.8100 | | 4 | 0.00000000 | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | - | ट्रे | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 60-वीएफबीजीए | MT46H64M16 | SDRAM - मोबाइल LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-वीएफबीजीए (8x9) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,782 | 200 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 1gbit | 5 एनएस | घूंट | 64 मीटर x 16 | समानांतर | 15NS | ||
 | AS4C8M32MSA-6BINTR | 5.7851 | | 6527 | 0.00000000 | गठबंधन स्मृति, इंक। | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 90-वीएफबीजीए | AS4C8M32 | SDRAM - मोबाइल | 1.14V ~ 1.95V | 90-एफबीजीए (8x13) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 256Mbit | 5.5 एनएस | घूंट | 8m x 32 | समानांतर | 15NS | ||
 | Nand512w3a2sn6f tr | - | | 3147 | 0.00000000 | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी चौड़ाई) | Nand512 | फ्लैश - नंद | 2.7V ~ 3.6V | 48-स्टॉप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | गैर वाष्पशील | 512MBIT | 50 एनएस | चमक | 64 मीटर x 8 | समानांतर | 50NS | |||
 | IS43TR16640B-107MBL | - | | 1063 | 0.00000000 | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | - | ट्रे | अप्रचलित | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | सतह पर्वत | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-बीडब्ल्यूबीजीए (9x13) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 1gbit | 20 एनएस | घूंट | 64 मीटर x 16 | समानांतर | 15NS | ||
 | 71T75902S75PFGI8 | 43.0025 | | 4055 | 0.00000000 | Renesas इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 100-lqfp | 71T75902 | एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर (जेडबीटी) | 2.375V ~ 2.625V | 100-टीक्यूएफपी | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | परिवर्तनशील | 18mbit | 7.5 एनएस | श्रीम | 1 मीटर x 18 | समानांतर | - | |||
 | IS43R16160D-6BLI | 6.1578 | | 5488 | 0.00000000 | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | - | ट्रे | नए डिजाइनों के लिए नहीं | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-TFBGA (8x13) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 256Mbit | 700 पीएस | घूंट | 16 मीटर x 16 | समानांतर | 15NS | ||
 | SST39VF1601C-70-4I-EKE-T | 2.5200 | | 117 | 0.00000000 | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी | SST39 MPF ™ | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी चौड़ाई) | SST39VF1601 | चमक | 2.7V ~ 3.6V | 48-स्टॉप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | गैर वाष्पशील | 16Mbit | 70 एनएस | चमक | 1 मीटर x 16 | समानांतर | 10μs | |||
 | CY7C1020CV33-15ZSXET | - | | 2382 | 0.00000000 | इंफीनन टेक्नोलॉजीज | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | सतह पर्वत | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी चौड़ाई) | CY7C1020 | SRAM - एसिंक्रोनस | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | परिवर्तनशील | 512kbit | 15 एनएस | श्रीम | 32K x 16 | समानांतर | 15NS | |||
 | SST38VF6401B-70I/CD | 7.1600 | | 123 | 0.00000000 | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी | Sst38 | ट्रे | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 48-TFBGA | SST38VF6401 | चमक | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | गैर वाष्पशील | 64mbit | 70 एनएस | चमक | 4 मीटर x 16 | समानांतर | 10μs | |||
| GD25LQ255ESIGR | 3.4600 | | 6269 | 0.00000000 | Gigadevice सेमीकंडक्टर (HK) लिमिटेड | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-SHIC (0.209 ", 5.30 मिमी चौड़ाई) | फ्लैश - न ही (एसएलसी) | 1.65V ~ 2V | 8-सेप | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 2,000 | 133 मेगाहर्ट्ज | गैर वाष्पशील | 256Mbit | 6 एनएस | चमक | 32 मीटर x 8 | SPI - क्वाड I/O, QPI | 60s, 2.4ms | |||||
 | IS42S16800F-7BI-TR | - | | 9184 | 0.00000000 | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | - | टेप और रील (टीआर) | अप्रचलित | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 54-TFBGA | IS42S16800 | एसडीआरएएम | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 मेगाहर्ट्ज | परिवर्तनशील | 128Mbit | 5.4 एनएस | घूंट | 8 मीटर x 16 | समानांतर | - | ||
 | W25N512GVEIR TR | 1.9405 | | 2767 | 0.00000000 | विनबोंड इलेक्ट्रॉनिक्स | Spiflash® | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 8-WDFN ने पैड को उजागर किया | W25N512 | फ्लैश - नंद (एसएलसी) | 2.7V ~ 3.6V | 8-WSON (8x6) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | 256-W25N512GVEIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 166 मेगाहर्ट्ज | गैर वाष्पशील | 512MBIT | 6 एनएस | चमक | 64 मीटर x 8 | एसपीआई - क्वाड आई/ओ | 700 ofs | |
 | 71342LA25PFGI8 | 31.2624 | | 4554 | 0.00000000 | Renesas इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | - | टेप और रील (टीआर) | सक्रिय | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | सतह पर्वत | 64-टीक्यूएफपी | 71342LA | SRAM - दोहरी बंदरगाह, अतुल्यकालिक | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | डाउनलोड करना | ROHS3 आज्ञाकारी | 3 (168 घंटे) | अप्रभावित पहुंचना | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | परिवर्तनशील | 32kbit | 25 एनएस | श्रीम | 4K x 8 | समानांतर | 25NS |
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